NAND閃存的售價(jià)將在2021年全年將持續(xù)下滑

12月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。

2020-12-16 標(biāo)簽：閃存NAND 2.2k 0

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)技術(shù)隆重亮相2018重慶智博會(huì)

2018年8月23日，首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱“智博會(huì)”）在重慶國(guó)際博覽中心盛大開幕。紫光集團(tuán)作為中國(guó)最大的綜合性集成電路企業(yè)，以“從芯到云，...

2018-08-24 標(biāo)簽：NANDAI紫光 2.2k 0

在三星、海力士持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再成長(zhǎng)10%

DRAM價(jià)格飆漲帶動(dòng)2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4000億美元，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI預(yù)估，在三星電子、SK海力士（SK Hynix）持續(xù)擴(kuò)展DRA...

2018-08-27 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 2.2k 0

旺宏預(yù)計(jì)2019年量產(chǎn)3D NAND，并進(jìn)軍SSD市場(chǎng)

非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。

2018-09-17 標(biāo)簽：NANDSSD旺宏 2.2k 0

全球NAND閃存市場(chǎng)，價(jià)格一路狂飆！

目前閃存市場(chǎng)老大依然是三星，市場(chǎng)份額35.4%，今年Q1營(yíng)收42.156億美元，西數(shù)、東芝、美光、SK Hynix、Intel緊隨其后，市場(chǎng)份額分別是1...

2017-06-11 標(biāo)簽：東芝nandssd 2.2k 0

供過(guò)于求 導(dǎo)致內(nèi)存顆粒價(jià)格不斷下滑

從用戶端來(lái)看，消費(fèi)者無(wú)一不鐘愛持續(xù)走低的產(chǎn)品，尤其是芯片類產(chǎn)品，可能說(shuō)到電子產(chǎn)品大家就會(huì)認(rèn)為價(jià)格一定會(huì)隨著時(shí)間的推移直線走低，但芯片類產(chǎn)品并非如此，其會(huì)...

2019-05-31 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存 2.2k 0

美光首款車用 UFS 3.1讓汽車也能擁有最新智能手機(jī)性能

我們都有過(guò)這樣的經(jīng)歷。 去年才買了最新最酷的智能手機(jī)，很快新一代手機(jī)又上市了。屏幕更大更亮，采用最新有機(jī) LED （OLED） 技術(shù)，內(nèi)存更大，可容納所...

2021-10-13 標(biāo)簽：led智能手機(jī)NAND 2.2k 0

整體NAND Flash市場(chǎng)仍處于供過(guò)于求的狀態(tài)

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成9日表示，客戶需求樂(lè)觀，已與季節(jié)性變化脫鉤，但代工廠產(chǎn)能持續(xù)吃緊，情況可能延續(xù)至5月，因應(yīng)成本墊高、供給吃緊，已對(duì)客戶調(diào)漲NAND Fl...

2021-01-10 標(biāo)簽：芯片pcbNAND 2.2k 0

三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預(yù)計(jì)明年批量生產(chǎn)

12月7日，韓國(guó)半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲(chǔ)單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。

2020-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體控制器NAND 2.2k 0

系統(tǒng)性良率問(wèn)題取代隨機(jī)缺陷成為先進(jìn)工藝芯片制造主要問(wèn)題

最近最重要的變化之一是 3D 檢測(cè)和計(jì)量學(xué)習(xí)的增加。finFET 和納米片晶體管的采用發(fā)生在前端，而高級(jí)封裝則需要在后端進(jìn)行 3D 計(jì)量。

2022-12-13 標(biāo)簽：芯片NAND晶體管 2.2k 0

NOR閃存的競(jìng)爭(zhēng)已走向高端，廠商需在不斷加強(qiáng)創(chuàng)新

NOR 閃存具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、讀取速度快等特性，雖然前幾年被NAND擠壓市場(chǎng)容量趨緩，但近年來(lái)自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興產(chǎn)業(yè)的涌現(xiàn)，使得NOR ...

2018-06-11 標(biāo)簽：nor閃存nand物聯(lián)網(wǎng) 2.2k 0

預(yù)計(jì)二季度NAND閃存會(huì)環(huán)比上漲15%

3月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，此前外媒曾預(yù)計(jì)NAND閃存和DRAM內(nèi)存的合約價(jià)格，在今年二季度的漲幅將達(dá)到兩位數(shù)，現(xiàn)在外媒也逐步給出了具體的預(yù)測(cè)。

2020-03-14 標(biāo)簽：閃存NAND 2.2k 0

三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

　三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 2.2k 0

美光7400 SSD適用于要求苛刻的數(shù)據(jù)中心

　　隨著美光 7400 SSD 的發(fā)布，我們將我們的 NAND 領(lǐng)先地位、控制器設(shè)計(jì)、DRAM 專業(yè)知識(shí)、全球客戶實(shí)驗(yàn)室、世界級(jí)供應(yīng)鏈和制造組織的所有優(yōu)...

2022-04-22 標(biāo)簽：控制器DRAMNAND 2.2k 0

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

　最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之...

2023-08-18 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器多線程技術(shù) 2.2k 0

全球半導(dǎo)體變天！中國(guó)反超韓國(guó)位居全球第二

近日，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心（KISTEP）發(fā)布的《全球半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)估報(bào)告》引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。報(bào)告顯示，中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)已超越韓國(guó)...

2025-09-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體NAND 2.1k 0

日本電子產(chǎn)業(yè)“震化論”：半導(dǎo)體各產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　2011年，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到地震與海嘯的嚴(yán)重破壞。在日本311地震一周年之際，IHS iSuppli的分析師針對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀撰寫了系列分析...

2012-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NANDMEMS 2.1k 0

先進(jìn)封裝推動(dòng)NAND和DRAM技術(shù)進(jìn)步

據(jù)知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole分析，先進(jìn)封裝極大地推動(dòng)了內(nèi)存封裝行業(yè)，推動(dòng)了增長(zhǎng)和創(chuàng)新。

2023-04-20 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 2.1k 0

美光科技推出最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心SATA SSD產(chǎn)品

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克代碼：MU）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心...

2022-06-30 標(biāo)簽：NANDSSD數(shù)據(jù)中心 2.1k 0