紫光成都建設(shè)基地，打造12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線

根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建...

2018-10-16 標簽：NAND存儲器紫光 3k 0

紫光是中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊之一，能否頂住市場壓力？

受到智能手機發(fā)展停滯、服務(wù)器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響，主要NAND Flash閃存制造商將會出現(xiàn)供過于求的情況。據(jù)中國閃存市場Chin...

2018-10-16 標簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 4.2k 0

NAND閃存面臨限制,英特爾的3D XPoint戰(zhàn)略

讓英特爾頭痛的是，3D XPoint市場規(guī)模仍然很小，這讓他們無法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒有高產(chǎn)量，其生產(chǎn)成本將會保持很高，可能高于DRAM。然而，英...

2018-10-16 標簽：半導(dǎo)體NAND晶體管 4.8k 0

2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％

近日，統(tǒng)計機構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于一些原因，2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％。

2018-10-15 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 2k 0

DRAM制程產(chǎn)能滯后 技術(shù)是很大問題

DRAM制程推進已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最后努力。對于...

2018-10-14 標簽：DRAMNAND三星電子 5.8k 0

2018年SSD現(xiàn)狀：SSD價格持續(xù)下滑 市場備貨意向不強烈

2018年原廠不斷擴大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND.

2018-10-14 標簽：東芝NAND三星電子 1.2萬 0

由于市場持續(xù)供過于求，DRAM與NAND Flash第四季價格開始走跌

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，雖然下半年是產(chǎn)業(yè)旺季，但市場持續(xù)供過于求，DRAM第三季合約價格季漲幅縮小到僅1~2%，...

2018-10-11 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 1.2k 0

DRAM和NAND Flash價格呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢，內(nèi)存和SSD產(chǎn)品有望迎來降價浪潮

據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報告顯示，本應(yīng)該是購物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購價均呈現(xiàn)...

2018-10-11 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 1.1k 0

三星采取保守策略，DRAM投資大減，NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支...

2018-10-10 標簽：DRAMNAND三星電子 3.9k 1

東芝TR200SSD240G性能測試 東芝的64層3DNANDSSD有多厲害

傳說中的64層3D NAND的故事，延續(xù)了1年時間。這次巧合的機會體驗到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款6...

2018-10-09 標簽：東芝NANDSSD 1.1萬 0

價格周期性漲跌，NAND Flash產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生新變化

目前，NAND Flash的價格下行趨勢已經(jīng)確立。根據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket近日發(fā)布的數(shù)據(jù)，截止至2018年8月27日，NAND ...

2018-10-09 標簽：閃存NAND存儲 1.8k 0

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為...

2018-10-08 標簽：東芝閃存NAND 2.5k 0

英特爾96層3D NAND二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行

9月21日，英特爾大連非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動儀式。

2018-09-30 標簽：英特爾NAND 4.4k 0

3D NAND芯片市場發(fā)展空間巨大，三星電子很難單獨吞下這一片市場

8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?！笨墒?，三...

2018-10-01 標簽：NAND三星電子 3.3k 0

DRAM、NAND flash和NOR flash三者牢牢控制著內(nèi)存市場

你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過...

2018-09-29 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 6k 0

英特爾70%的3D NAND快閃存儲器來自大連晶圓廠

英特爾2006年與大連市政府達成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負責(zé)處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。

2018-09-29 標簽：英特爾NAND 4.5k 0

NAND的生產(chǎn)工藝提升或?qū)⑼苿又悄苁謾C很快進入TB時代

2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達到1500億美金，其中NAND Flash將超過570億美金，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著中國目前已經(jīng)是全球存儲...

2018-09-28 標簽：智能手機NAND 4.1k 0

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅，以確保供應(yīng)緊縮。

2018-09-28 標簽：NAND三星電子內(nèi)存 1.2k 0

3D NAND TB時代或指日可待，Xtacking會是中國閃存的王牌嗎？

近日，備受業(yè)界關(guān)注的“2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）”在深圳開幕，來自三星、美光、西部數(shù)據(jù)、長江存儲、慧榮科技、群聯(lián)電子以及江波龍等全球...

2018-09-27 標簽：閃存NAND存儲 2.2k 0

有了大連工廠的支撐，Intel能在消費市場上再次開辟一天新天地嗎？

據(jù)媒體報道，近日，Intel大連非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。

2018-09-26 標簽：閃存NANDIntel 1.6k 0