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標(biāo)簽 > nmos管
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被ISSCC接收的Digital to Time Converter是如何設(shè)計(jì)的?
下圖給出了反相器相位插指器的基本結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單,**兩個(gè)反相器陣列輸入分別接兩個(gè)時(shí)鐘,輸出直接短接在一起,數(shù)字信號(hào)控制反相器陣列選通的數(shù)目。**
在日常的電路DIY過(guò)程中,有時(shí)候會(huì)用到隔離電源。雖然需要的功率不大,但是單獨(dú)再加個(gè)變壓器確實(shí)有點(diǎn)浪費(fèi)。于是就自行設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)單的電荷泵電路,用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)...
單極運(yùn)算放大器的輸出轉(zhuǎn)移特性曲線仿真
打開(kāi)virtuoso和library manage,我使用前幾天我添加的tsmc018的庫(kù)來(lái)完成仿真
2023-09-11 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器仿真器GND 4k 0
PMOS管與NMOS管控制電路設(shè)計(jì)對(duì)比
如果讓大家舉個(gè)PMOS管實(shí)際應(yīng)用電路,恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開(kāi)關(guān)控制電路外,實(shí)在是想不出更多其它實(shí)用電路了。
2023-10-11 標(biāo)簽:芯片開(kāi)關(guān)電路整流器 3.9k 0
物理驗(yàn)證LVS對(duì)bulk(體)的理解和處理技巧
對(duì)于物理驗(yàn)證中的LVS,需要對(duì)各種物理器件進(jìn)行SpiceVsGDS的比對(duì),基于現(xiàn)在流行的std-cell的庫(kù)的設(shè)計(jì)方法,LVS需要對(duì)CMOS器件多相應(yīng)的處理
NMOS LDO和PMOS LDO的Dropout Voltage簡(jiǎn)析
LDO規(guī)格書(shū)中標(biāo)注Dropout Voltage 這個(gè)指標(biāo)一般都是有特定條件的,一般有負(fù)載電流、輸出電壓條件,在備注或者測(cè)試條件中還有溫度范圍,以及輸入...
一個(gè)簡(jiǎn)單的三角形符號(hào)到底意味著什么?
符號(hào)很重要,但如果一個(gè)符號(hào)可以表示多種東西呢?
2023-07-04 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器反相放大器比較器 3.7k 0
總電壓采樣電路中使用MOS作為開(kāi)關(guān)的問(wèn)題
使用高壓MOS作為開(kāi)關(guān),例如下圖(來(lái)自于ADI官網(wǎng))LTC2949的典型應(yīng)用電路中,使用高壓MOS作為絕緣檢測(cè)的橋臂開(kāi)關(guān);選用高壓MOS的原因是成本相對(duì)...
從零開(kāi)始反相器的verilog設(shè)計(jì)
反相器,是數(shù)字集成電路最基本的電路之一。由一個(gè)pmos和一個(gè)nmos組成,輸入信號(hào)IN接到pmos和nmos的柵極,輸出信號(hào)OUT由漏極引出
關(guān)于NMOS管軟啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)思路
我們知道凡事都得循序漸進(jìn),一步登天都很危險(xiǎn),電路也是如此;在平常電路設(shè)計(jì)中,對(duì)于高電壓我們一般都需要很謹(jǐn)慎,如果一個(gè)項(xiàng)目供電電源不再是3V干電池或者鋰電...
2023-11-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)供電電源NMOS管 3.3k 0
為什么時(shí)鐘樹(shù)上要用clock inverter(min pulse width check)?
最小脈沖寬度檢查可確保時(shí)鐘信號(hào)的寬度足夠?qū)挘员悴杉秸_的數(shù)據(jù),保證設(shè)計(jì)功能。
LDO(低壓降穩(wěn)壓器) 的典型特性便是壓降。因?yàn)樗拿Q(chēng)以及其縮寫(xiě)由此而來(lái)。
2023-09-22 標(biāo)簽:線性穩(wěn)壓器誤差放大器低壓降穩(wěn)壓器 3.2k 0
從一個(gè)反相器開(kāi)始說(shuō)時(shí)序
看到文章的標(biāo)題,我猜您也許會(huì)覺(jué)得反相器很簡(jiǎn)單,但其實(shí)反相器是所有數(shù)字設(shè)計(jì)的基本核心單元。
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
我們?cè)谘邪l(fā)產(chǎn)品時(shí),我們?yōu)榱吮WC產(chǎn)品的可靠性,我們會(huì)設(shè)計(jì)電源防反電路;這是為了防止電源錯(cuò)插,插反導(dǎo)致主板燒毀;為了防止這種情況的發(fā)生,我們?cè)谠搭^增加了這一道程序。
半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)介紹(四)
所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓,一片晶圓通過(guò)高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層,另一片晶圓在硅表面生長(zhǎng)二氧化硅層(見(jiàn)下圖)。
Class-AB輸出級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)的偏置設(shè)計(jì)淺析
采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。
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