完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
文章:411個(gè) 瀏覽:51771次 帖子:15個(gè)
TVS二極管是一種專用于保護(hù)電子電路免受瞬態(tài)電壓沖擊的器件。它在過(guò)壓事件發(fā)生時(shí)會(huì)迅速導(dǎo)通,吸收瞬態(tài)能量,防止電路元件受損。然而,即使是高質(zhì)量的TVS二極...
當(dāng)晶體管柵長(zhǎng)縮至20納米以下,源漏極間可能形成隱秘的電流通道,導(dǎo)致晶體管無(wú)法關(guān)閉。而暈環(huán)注入(Halo Implant) 技術(shù),正是工程師們?cè)O(shè)計(jì)的原子級(jí)...
在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)原子提供; 空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。 提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,因此五...
晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,它是具有PNPN 四層結(jié)構(gòu)的各種開(kāi)關(guān)器件的總稱。按照國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)的定義,晶閘管指那些具有3 個(gè)以上的PN 結(jié),主電...
2023-02-16 標(biāo)簽:晶閘管PN結(jié)開(kāi)關(guān)器件 2k 0
如果用圖示儀觀察TVS的特性,就可得到圖1中左圖所示的波形。如果單就這個(gè)曲線來(lái)看,TVS管和普通穩(wěn)壓管的擊穿特性沒(méi)有什么區(qū)別,為典型的PN結(jié)雪崩器件。
2024-01-19 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管TVSPN結(jié) 2k 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源極之間的pn結(jié)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)柵源極之間的PN結(jié)是其核心組成部分之一,對(duì)于理解JFET的工作原理和特性至關(guān)重要。以下是對(duì)該P(yáng)N結(jié)的介紹: 一、PN結(jié)的形成與特...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管源極 2k 0
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個(gè)pn結(jié),在正向?qū)〞r(shí),背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛?yáng)極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
發(fā)光二極管串聯(lián)和并聯(lián)后壓降會(huì)不會(huì)改變呢?發(fā)光二極管也屬于二極管中的一種,其內(nèi)部也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,由PN結(jié)的特性可知,當(dāng)PN結(jié)正向?qū)〞r(shí),其電流變化很...
PN結(jié)的整流特性:MDD整流二極管的核心物理機(jī)制
MDD整流二極管是電力電子和信號(hào)處理電路中的重要器件,其核心工作原理依賴于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu),通過(guò)其單向?qū)?..
除了上面的伏安特性曲線以外,對(duì)于二極管,你還需要知道兩個(gè)特性:二極管電容和反向恢復(fù)時(shí)間。這兩個(gè)特性掌握了之后,那對(duì)于通常的二極管來(lái)說(shuō),你該知道的基本上就...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系(1)
我們?cè)谖闹蟹磸?fù)提及,電壓是電場(chǎng)的積分,而電場(chǎng)是電荷的積分,所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài),就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。
點(diǎn)接觸二極管是一種半導(dǎo)體器件,它在電子學(xué)和電力電子學(xué)中有著廣泛的應(yīng)用。這種二極管的特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其結(jié)構(gòu)、工作原理、電氣特性以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面。 點(diǎn)接觸二...
2024-09-24 標(biāo)簽:電壓PN結(jié)半導(dǎo)體器件 1.8k 0
前面我們基本完成了穩(wěn)態(tài)狀況下,電流(包含電子電流和空穴電流)與電荷分布之間的關(guān)系,下面我們來(lái)看看穩(wěn)態(tài)下電壓與電荷分布之間的關(guān)系。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對(duì)電場(chǎng)積分,我們看看隨著增長(zhǎng),即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng),柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
許多初學(xué)者對(duì)二極管很“熟悉”,提起二極管的特性可以脫口而出它的單向?qū)щ娞匦?,說(shuō)到它在電路中的應(yīng)用第一反應(yīng)是整流,對(duì)二極管的其他特性和應(yīng)用了解不多,認(rèn)識(shí)上...
2023-03-16 標(biāo)簽:二極管電路分析應(yīng)用電路 1.8k 0
在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái),從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓,少數(shù)載流子難...
2023-03-17 標(biāo)簽:發(fā)光二極管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 1.8k 0
將PN結(jié)用外殼封裝起來(lái),并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管,簡(jiǎn)稱二極管。由P區(qū)引出的電極為陽(yáng)極,由N區(qū)引出的電極為陰極。
2023-10-26 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管PN結(jié) 1.8k 0
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見(jiàn)上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎娼Y(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |