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標簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身。換句話說,關閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。
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ARM談新興NVM存儲技術 存儲市場將改變游戲規(guī)則
ARM正在關注這些前沿的存儲技術,因為它有可能對邏輯空間產(chǎn)生巨大的顛覆性,在硬件和軟件平臺層面也是如此?!坝懈鞣N類型的電阻式RAM和磁性RAM出現(xiàn),TS...
ReRAM存儲器助物聯(lián)網(wǎng)設備降低能源消耗
未來如果該技術成為全球物聯(lián)網(wǎng)芯片主流內(nèi)存解決方案,將有助除去運算與數(shù)據(jù)儲存之間的界線,有利于以數(shù)據(jù)為中心的運算架構發(fā)展。
2018-07-17 標簽:存儲器物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 4.4k 0
富士通3大存儲技術將成黑馬,F(xiàn)RAM,NRAM、ReRAM可替代EEPROM
隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲器市場也一場火爆,作為電子設備系統(tǒng)的關鍵組成部分,性能至關重要。市面上的存儲器參差不齊,該作何選擇?未來的存儲技術又該何去何從呢?
在存儲器的競爭格局中,除了FRAM,不得不提的另外兩個產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡略地講,F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄;ReRAM可替代大容量EEPROM;...
ReRAM解決方案帶來了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領域的偉大創(chuàng)新
ReRAM解決方案帶來了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領域的偉大創(chuàng)新。能夠很容易地、大容量地與邏輯電路、模擬電路和RF組件集成于單個SoC中,并能夠在無須電池充電的條件...
2018-01-10 標簽:物聯(lián)網(wǎng)reram 4.1k 0
將引發(fā)移動、消費電子和聯(lián)網(wǎng)設備的創(chuàng)新?ReRAM真正已經(jīng)來臨
ReRAM被業(yè)界認為其出現(xiàn)將引發(fā)移動、消費電子和聯(lián)網(wǎng)設備的一系列創(chuàng)新!過去幾年,業(yè)界相關ReRAM的技術報道層出不窮,而產(chǎn)品卻并不多見。前不久松下半導體...
富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品
上海, 2016-11-08——富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產(chǎn)品MB8...
曾大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際 為何鎖定ReRAM?
比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產(chǎn)引起業(yè)界關注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際,為何鎖定瞄準ReRAM?主要原因在于ReRAM...
2017-03-01 標簽:中芯國際物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 1.6k 0
比NAND閃存速度快千倍的ReRAM由中芯國際量產(chǎn)
非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機制,開發(fā)出號稱比NAN...
比NAND快千倍40nm ReRAM在中芯投產(chǎn) 2016年VR銷量630萬臺
物聯(lián)網(wǎng)領域,覆蓋領域繁多,2017年新年過后,機器人、VR、5G領域都有最新產(chǎn)品和頻譜劃分的演進工作進展,小編匯總最新的新聞,讓大家看到最新的趨勢。例如...
在經(jīng)過2016的一系列擴張之后,近日,Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣,再次為芯片國產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示,中芯...
作為中國本土半導體制造的龍頭企業(yè),中芯國際(SMIC)的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關注的焦點。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,...
在預定于2013年2月17~21日舉辦的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)中,多家廠商提出了先進存儲器技術的相關論文。 存儲器小組委員會主席Ke...
Panasonic將量產(chǎn)寫入速度達全球最高的新型ReRAM產(chǎn)品
日本媒體日刊工業(yè)新聞15日報導,Panasonic計劃在旗下北陸工廠內(nèi)整備出一條活用8吋晶圓、且采用0.18μm制程的產(chǎn)線,并計劃于2013年1-3月期...
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