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三星致力于遵守當(dāng)?shù)氐姆膳c法規(guī),并且嚴(yán)格要求員工遵守全球行為準(zhǔn)則。三星認(rèn)為,道德經(jīng)營(yíng)不僅是應(yīng)對(duì)全球商業(yè)環(huán)境快速變化的經(jīng)營(yíng)之道,也是與客戶、股東、員工、商業(yè)伙伴和當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)等各利益相關(guān)方建立信任的方式之一。
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| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| CL10A226MQ8NRJE | 貼片電容(MLCC) 0603 |
獲取價(jià)格
|
|
| 100P--50V--5%--COG(X7R) | 貼片電容(MLCC) |
獲取價(jià)格
|
|
| CL10B335KP8NNNC | 貼片電容(MLCC) 0603 |
獲取價(jià)格
|
|
| CL05B121KB5NNNC | 貼片電容(MLCC) 0402 |
獲取價(jià)格
|
|
| CL21C561JCCNNNC | 貼片電容(MLCC) 0805 |
獲取價(jià)格
|
|
| CL31B102KCCNNWC | 貼片電容(MLCC) 1206 1nF ±10% 100V X7R |
獲取價(jià)格
|
|
| CL03B102KO3NNNH | 貼片電容(MLCC) 0201 1nF ±10% 16V X7R |
獲取價(jià)格
|
|
| CL21B224KBFVPNE | 貼片電容(MLCC) 0805 220nF ±10% 50V X7R |
獲取價(jià)格
|
|
| CL31B223KBCNNNC | 貼片電容(MLCC) 1206 22nF ±10% 50V X7R |
獲取價(jià)格
|
|
| RC1608F1021CS | RC1608F1021CS |
獲取價(jià)格
|
|
| RC0603J202CS | RC0603J202CS |
獲取價(jià)格
|
|
| SI-B8R101560US | SI-B8R101560US |
獲取價(jià)格
|
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| SI-B8U101560US | SI-B8U101560US |
獲取價(jià)格
|
|
| SI-B8T101560US | SI-B8T101560US |
獲取價(jià)格
|
|
| SI-B8V101560US | SI-B8V101560US |
獲取價(jià)格
|
|
| RC1608F3011CS | RC1608F3011CS |
獲取價(jià)格
|
|
| RC1608F86R6CS | RC1608F86R6CS |
獲取價(jià)格
|
|
| RC1608F181CS | RC1608F181CS |
獲取價(jià)格
|
|
| RC1608F17R4CS | RC1608F17R4CS |
獲取價(jià)格
|
|
| CL03C820JA3ANNC | 貼片電容(MLCC) 0201 |
獲取價(jià)格
|
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| RC5025J7R5CS | 貼片電阻 2010 7.5Ω ±5% 2/3W ±300ppm/℃ |
獲取價(jià)格
|
|
| RUT3216FR510CS | 貼片電阻 1206 510mΩ ±1% 330W ±150ppm/℃ |
獲取價(jià)格
|
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| KLMBG2JETD-B041 | eMMC 5.1 32 GB 11.5 x 13 x 0.8 mm |
獲取價(jià)格
|
|
| CL05C150JB5NNNC | 貼片電容(MLCC) 0402 15pF ±5% 50V C0G(NP0) |
獲取價(jià)格
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| CL05C220JB51PNC | 貼片電容(MLCC) 0402 22pF ±5% 50V C0G(NP0) |
獲取價(jià)格
|
|
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 16Gb LPDDR4 SDRAM FBGA200 |
獲取價(jià)格
|
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| K4B4G1646E-BYMA | 4Gb E-die DDR3L SDRAM專用x16 FBGA96 |
獲取價(jià)格
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| K4A8G165WB-BCRC | 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16 FBGA96 |
獲取價(jià)格
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| K4A4G165WF-BCTD | 僅4Gb F-die DDR4 SDRAM x16 FBGA96 |
獲取價(jià)格
|
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| KLMAG1JETD-B041 | 三星eMMC產(chǎn)品 FBGA153 16GB 200MHz |
獲取價(jià)格
|
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