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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅 (SiC) FET 推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展

甲碳化硅（SiC） JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型，它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個(gè)強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子 FET 1.8k 0

自蔓延法合成碳化硅的關(guān)鍵控制點(diǎn)

本文主要介紹??????自蔓延法合成碳化硅的關(guān)鍵控制點(diǎn)。?? ???? 合成溫度：調(diào)控晶型、純度與粒徑的關(guān)鍵因素在改進(jìn)的自蔓延合成法中，溫度起著決定性...

2024-12-20 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.8k 0

昕感科技推出超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件

近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻...

2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 SiC 1.8k 0

三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體共同開發(fā)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。

2023-11-15 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 功率半導(dǎo)體 1.8k 0

安森美1200V EliteSiC M3e平臺(tái)讓平面碳化硅性能拉滿

最近，行業(yè)內(nèi)玩家8英寸碳化硅量產(chǎn)如火如荼的進(jìn)行中，安森美（onsemi）也計(jì)劃于今年晚些時(shí)候?qū)?英寸碳化硅晶圓進(jìn)行認(rèn)證，并于2025年投入生產(chǎn)。而在柵極...

2024-10-31 標(biāo)簽：安森美晶圓 SiC 1.8k 0

碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)昕感科技完成新一輪戰(zhàn)略投資

近日，SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)領(lǐng)域的佼佼者昕感科技宣布，已完成新一輪戰(zhàn)略融資，本輪投資方為同鑫投資。此次融資的成功，標(biāo)志著昕感科技在SiC功率器件芯片及...

2024-05-20 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 1.8k 0

意法半導(dǎo)體(ST)在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

??ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地。 ??這項(xiàng)多年長期投資計(jì)劃預(yù)計(jì)投資總額達(dá)50億歐元，包括意大利政府按照...

2024-06-06 標(biāo)簽：ST 意法半導(dǎo)體功率器件 1.8k 0

2025年森國科開啟發(fā)展新篇章

2024年AI智能、電動(dòng)汽車"乘風(fēng)而起"，我們聚焦三大市場，輸出三大主力產(chǎn)品線；2024我們凝心聚力，拓寬應(yīng)用邊界，贏得更多市場認(rèn)可與好評(píng)！

2025-01-20 標(biāo)簽：二極管 SiC 森國科 1.8k 0

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測試和HV-H3T...

2024-03-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 1.8k 0

碳化硅(SiC)廠商瞻芯電子獲得環(huán)境與職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證

近日，浙江瞻芯電子科技有限公司（簡稱“浙江瞻芯“）通過了環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證，分別獲得ISO 14001與ISO 45001證書。浙江瞻芯作為...

2023-12-25 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0

10億元、25萬片！江蘇新增一SiC項(xiàng)目

考察中，雙方就博藍(lán)特第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目落地延陵鎮(zhèn)進(jìn)行了深度洽談，博藍(lán)特計(jì)劃在延陵鎮(zhèn)投資10億元建設(shè)年產(chǎn)25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項(xiàng)目建成...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.8k 0

日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%

日立運(yùn)用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。

2016-09-26 標(biāo)簽：日立 sic 1.8k 0

芯塔電子推出新一代SiC MOSFET，性能達(dá)到國際一流水平

?近日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項(xiàng)性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。此舉標(biāo)志著芯塔...

2022-08-29 標(biāo)簽：SiC 芯塔電子 1.8k 0

為何新能源汽車減產(chǎn),SiC生產(chǎn)線依舊需要擴(kuò)產(chǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期，芯片短缺帶來的影響傳導(dǎo)到新能源汽車、智能手機(jī)等終端市場，這其中對(duì)于新能源汽車的影響更加露骨。從1月份至3月份，新能源...

2022-04-20 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 碳化硅 1.8k 0

從瓦特到兆瓦：碳化硅的優(yōu)勢(shì)及性能

設(shè)計(jì)人員當(dāng)然對(duì)碳化硅感興趣，因?yàn)樗哂袧摿?。這種潛力包括：在不損失效率的情況下實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)——這意味著更快的開關(guān)和更低的開關(guān)損耗。導(dǎo)通電阻 (RDS...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.8k 0

芯聯(lián)集成正在建設(shè)國內(nèi)第一條8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線

近日，芯聯(lián)集成在回答投資者提問時(shí)表示，公司從2021年起投入SiC MOSFET芯片、模組封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，兩年時(shí)間完成了3輪技術(shù)迭代，完成了應(yīng)...

2024-03-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.8k 0

碳化硅半導(dǎo)體與行業(yè)的未來！

雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初，但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關(guān)注。正是在這一點(diǎn)上，它首次用于肖特基二極管...

2023-02-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 半導(dǎo)體 1.8k 0

傾佳電子DPT雙脈沖測試：從原理、應(yīng)用到SiC MOSFET功率器件在電力電子領(lǐng)域中的深層意義

傾佳電子旨在全面剖析雙脈沖測試（DPT）作為功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能評(píng)估黃金標(biāo)準(zhǔn)的核心價(jià)值。

2025-09-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 1.8k 0

科銳254 lm/W光效再度刷新功率型LED研發(fā)記錄

　　者科銳公司（Nasdaq： CREE）日前宣布，其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀(jì)錄，達(dá)到254 lm/W。該項(xiàng)紀(jì)錄打破了科銳在去年初取得的2...

2012-04-16 標(biāo)簽：LED LED芯片 SiC 1.8k 0

益中封裝擴(kuò)建車規(guī)Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線

近日，據(jù)晶能微電子官微消息，浙江益中封裝技術(shù)有限公司舉行一期擴(kuò)建項(xiàng)目開工儀式。

2024-01-02 標(biāo)簽：SiC 芯片封裝 1.8k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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