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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些

逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中，為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能，對(duì)小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實(shí)現(xiàn)逆變器的高速運(yùn)行，已經(jīng)提出使用寬帶...

2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 1.6k 0

MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

今天我們來(lái)講一款FSTSICDIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiCModule可以適用更高的開(kāi)關(guān)頻率，可忽略的反向恢復(fù)與開(kāi)關(guān)損耗，大大的提高...

2024-05-27 標(biāo)簽：SiC Module 碳化硅 1.6k 0

東芝推出全新1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007...

2024-11-21 標(biāo)簽：MOSFET 東芝逆變器 1.6k 0

新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封...

2025-07-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.6k 0

還沒(méi)使用SiC FET？快來(lái)看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢(shì)！

2023-11-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管 FET 1.6k 0

5.2.3 擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5....

2022-01-06 標(biāo)簽：SiC 1.6k 0

傾佳電子高速風(fēng)機(jī)變頻器從IGBT向SiC模塊全面轉(zhuǎn)型的深度技術(shù)動(dòng)因分析報(bào)告

傾佳電子高速風(fēng)機(jī)變頻器從IGBT向SiC模塊全面轉(zhuǎn)型的深度技術(shù)動(dòng)因分析報(bào)告傾佳電子-楊茜-SiC碳化硅MOSFET微芯（壹叁貳陸陸陸陸叁叁壹叁） ...

2025-11-30 標(biāo)簽：IGBT SiC 風(fēng)機(jī)變頻器 1.6k 0

驅(qū)動(dòng)器和 SiC MOSFET 打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)的大門(mén)

2023-01-03 標(biāo)簽：電源 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 1.6k 0

SiC碳化硅模塊在商用車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析

基本半導(dǎo)體BMF540R12MZA3碳化硅模塊在商用車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于...

2025-12-31 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 1.6k 0

長(zhǎng)電科技高可靠性車(chē)載SiC功率器件封裝設(shè)計(jì)

長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門(mén)產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。

2023-10-07 標(biāo)簽：電池管理 SiC 電機(jī)控制系統(tǒng) 1.6k 0

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其...

2024-03-06 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Qorvo 1.6k 0

國(guó)產(chǎn)科學(xué)儀器走出去：武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)出口國(guó)際市場(chǎng)

前言隨著全球科技水平的提高和科學(xué)研究的深入，科學(xué)儀器成為各個(gè)國(guó)家和地區(qū)科研機(jī)構(gòu)、高校和企業(yè)必不可少的工具。受益于全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跑馬圈地?cái)U(kuò)張產(chǎn)能，測(cè)...

2024-06-05 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC 1.6k 0

怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？

怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提...

2023-12-21 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.5k 0

上市大漲120% 三年毛利翻番！鍇威特正式登陸上科創(chuàng)板

功率半導(dǎo)體廠商鍇威特今日上市迎來(lái)股價(jià)大漲120%。營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)率31.09%，毛利率三年翻番，鍇威特是如何做到的?

2023-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 科創(chuàng)板 1.5k 0

科友半導(dǎo)體官宣，首批8吋碳化硅襯底下線

科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.5k 0

【RISC-V產(chǎn)業(yè)資訊】SiC、Chiplet、RISC-V，汽車(chē)半導(dǎo)體發(fā)展的三大動(dòng)力

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合到2027年，汽車(chē)半導(dǎo)體整體規(guī)模將超過(guò)792億美金。應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子系統(tǒng)日益復(fù)雜的需求，新的技術(shù)趨勢(shì)正在不斷...

2024-10-22 標(biāo)簽：SiC RISC-V 汽車(chē)半導(dǎo)體 1.5k 0

汽車(chē)應(yīng)用中的寬帶隙材料

寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...

2022-08-08 標(biāo)簽：SiC GaN 碳化硅 1.5k 0

富士電機(jī)將投2000億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(jī)(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）規(guī)模。

2023-12-29 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體純電動(dòng)汽車(chē) 1.5k 0

芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)

此前，2025年5月14日至15日，第十二屆汽車(chē)電子創(chuàng)新大會(huì)（AEIF 2025）在上海盛大舉行，這場(chǎng)盛會(huì)聚焦汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì)，匯聚了眾...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 1.5k 0

基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)SiC模塊TOP企業(yè)獎(jiǎng)

6月19-20日，2024第四屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海隆重舉辦。在同期舉辦的2024中國(guó)優(yōu)秀電驅(qū)動(dòng)企業(yè)&優(yōu)秀產(chǎn)品頒獎(jiǎng)盛典上，基本...

2024-06-21 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 1.5k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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