SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.6k 0

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲，以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大...

2024-05-06 標(biāo)簽：DRAMSK海力士 1.2k 0

SK海力士計(jì)劃斥資約20萬億韓元新建存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能

SK海力士計(jì)劃斥資約20萬億韓元（約146億美元）在韓國(guó)新建存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，以滿足快速增長(zhǎng)的人工智能開發(fā)需求。

2024-04-29 標(biāo)簽：人工智能存儲(chǔ)芯片SK海力士 1.6k 0

SK海力士考慮在美國(guó)或其他地區(qū)建立新內(nèi)存工廠

據(jù)了解，由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存市場(chǎng)需求將顯著上升。一位不愿具名的半導(dǎo)體高管表示，“我們得知，SK海力士不僅愿意在韓國(guó)設(shè)立新廠，同時(shí)也在...

2024-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 838 0

晶圓代工產(chǎn)業(yè)遭遇需求停滯與產(chǎn)能過剩挑戰(zhàn)

三星公司近日作出重大決策，決定將泰勒廠的運(yùn)營(yíng)時(shí)間延長(zhǎng)至2026年，原計(jì)劃為2024年底。這一調(diào)整似乎是為了更靈活地應(yīng)對(duì)代工市場(chǎng)的變化，以優(yōu)化投資節(jié)奏。

2024-04-25 標(biāo)簽：晶圓代工AI人工智能 1k 0

SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國(guó) SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可...

2024-04-25 標(biāo)簽：三星電子SK海力士HBM3E 1.2k 0

SK海力士年內(nèi)推1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒

新款32Gb顆粒不僅支持消費(fèi)級(jí)UDIMM和SODIMM 64GB單條容量，更能讓企業(yè)級(jí)RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下，實(shí)現(xiàn)單模組128GB，...

2024-04-25 標(biāo)簽：服務(wù)器內(nèi)存SK海力士 1.6k 0

SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第1季度財(cái)報(bào)，創(chuàng)歷史同期新高

本季度，SK海力士實(shí)現(xiàn)了歷史最高的收入水平，同時(shí)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀(jì)錄。公司認(rèn)為這標(biāo)志著長(zhǎng)期低迷后的全面復(fù)蘇。

2024-04-25 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM3 1.3k 0

SK海力士擴(kuò)充AI基礎(chǔ)設(shè)施DRAM產(chǎn)能

SK海力士將于本月底啟動(dòng)建設(shè)工程，預(yù)計(jì)2025年11月完工并開始量產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設(shè)備投資，預(yù)計(jì)向M15X投資超過20萬億韓元，以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。

2024-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1.5k 0

SK海力士提升AI基建產(chǎn)能，助力韓國(guó)成為AI半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)

SK海力士計(jì)劃在本月底啟動(dòng)建設(shè)，預(yù)計(jì)到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設(shè)備投資，預(yù)計(jì)在M15X的總投資額將超過20萬億韓元，以此來...

2024-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1.2k 0

SK海力士將采用臺(tái)積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺(tái)積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

2024-04-23 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1.6k 0

鎧俠欲重啟與西部數(shù)據(jù)的合并計(jì)劃，SK海力士明確反對(duì)

據(jù)悉，鎧俠的主要投資者貝恩資本已經(jīng)將上市審查傳達(dá)給了其債權(quán)銀行，并預(yù)計(jì)最早將于今秋在東京證券交易所實(shí)現(xiàn)首次公開募股（IPO）。

2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士鎧俠 954 0

SK海力士和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄 目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4

4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)...

2024-04-20 標(biāo)簽：臺(tái)積電SK海力士CoWoS 629 0

SK海力士與臺(tái)積電共同研發(fā)HBM4，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將...

2024-04-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電SK海力士HBM 1.7k 0

SK海力士聯(lián)手臺(tái)積電推出HBM4，引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示，憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲(chǔ)器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺(tái)積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合...

2024-04-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器晶圓代工SK海力士 1.4k 0

JSR尋求升級(jí)芯片材料制造技術(shù)，收購(gòu)JIC后推動(dòng)

對(duì)于未來發(fā)展，JSR強(qiáng)調(diào)通過并購(gòu)獲取新技術(shù)及擴(kuò)大規(guī)模是實(shí)現(xiàn)成功的關(guān)鍵。作為全球最大的光刻膠生產(chǎn)商之一，JSR在半導(dǎo)體晶圓電路形成領(lǐng)域占據(jù)了27%的市場(chǎng)份...

2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻膠SK海力士 1.4k 0

存儲(chǔ)芯片制造商提價(jià)，模組制造商購(gòu)買意愿低，終端市場(chǎng)需求疲軟

受4月3日中國(guó)臺(tái)灣7.3級(jí)地震影響，美光公司曾短暫暫停DRAM芯片生產(chǎn)，隨后宣布第二季度DRAM及SSD合約價(jià)格上調(diào)幅度超過25%。三星、SK海力士亦在...

2024-04-17 標(biāo)簽：DRAM美光存儲(chǔ)芯片 770 0

存儲(chǔ)技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競(jìng)相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級(jí)別，并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

2024-04-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND閃存 1.5k 0