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      標(biāo)簽　>　soc

      soc

      soc

      +關(guān)注40人關(guān)注

      SoC的定義多種多樣，由于其內(nèi)涵豐富、應(yīng)用范圍廣，很難給出準(zhǔn)確定義。一般說(shuō)來(lái)， SoC稱(chēng)為系統(tǒng)級(jí)芯片，也有稱(chēng)片上系統(tǒng),意指它是一個(gè)產(chǎn)品，是一個(gè)有專(zhuān)用目標(biāo)的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部?jī)?nèi)容。同時(shí)它又是一種技術(shù)，用以實(shí)現(xiàn)從確定系統(tǒng)功能開(kāi)始，到軟/硬件劃分，并完成設(shè)計(jì)的整個(gè)過(guò)程。

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        工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的本質(zhì)是通過(guò)開(kāi)放的、全球化的工業(yè)級(jí)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)把設(shè)備、生產(chǎn)線、工廠、供應(yīng)商、產(chǎn)品和客戶(hù)緊密地連接和融合起來(lái)，高效共享工業(yè)經(jīng)濟(jì)中的各種要素資源，從而通過(guò)自動(dòng)化、智能化的生產(chǎn)方式降低成本、增加效率，幫助制造業(yè)延長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展。
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        在半導(dǎo)體制造中，3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年，三星和臺(tái)積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET（全能柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。
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        　LPDDR5就是第五代LPDDR內(nèi)存。LPDDR內(nèi)存全稱(chēng)是Low Power Double Data Rate SDRAM，中文意為低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，又稱(chēng)為mDDR（Mobile DDR SDRM）.
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