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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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為您的嵌入式應(yīng)用選擇最佳閃存設(shè)備

　　假設(shè) （b）的答案是肯定的（至少部分固件需要 XiP），接下來的問題是弄清楚需要多少性能。由于采用高速八通道 DDR 接口，EcoXiP 的吞吐量...

2022-08-17 標(biāo)簽：mcu sram soc 989 0

存內(nèi)計(jì)算公司蘋芯科技完成A輪融資，已與國內(nèi)外頭部電子企業(yè)達(dá)成合作

近日，蘋芯科技宣布已于數(shù)月前完成千萬級(jí)美元A輪融資，該輪融資由春華創(chuàng)投領(lǐng)投，紅點(diǎn)中國、紅杉中國、真格基金等老股東全部跟投。據(jù)悉，本輪融資資金將主要用于加...

2022-08-08 標(biāo)簽：SRAM AI芯片存算一體 2.9k 0

用基于SRAM的測(cè)試芯片實(shí)現(xiàn)加速AI推理

瑞薩電子開發(fā)了一種新的內(nèi)存處理器 (PIM) 技術(shù)，用于在低功耗邊緣設(shè)備中加速 AI 推理。用于基于 SRAM 技術(shù)的測(cè)試芯片實(shí)現(xiàn)了 8.8 TOPS/...

2022-07-21 標(biāo)簽：芯片 sram AI 2.1k 0

ram和sram分別是什么

ram是指通過指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且與存儲(chǔ)單元地址無關(guān)的可以讀寫的存儲(chǔ)器。幾乎所有的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和智能電子...

2022-07-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram RAM 1.3萬 0

RAM和ROM的區(qū)別在哪

說到RAM，相信大家都略知一二，但你知道各種RAM的原理及區(qū)別嗎？

2022-07-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 ROM sram 1.1萬 0

一款32Mb的PSRAM芯片—JS7324SU16BSP-70LFI

pSRAM 就是偽靜態(tài)SRAM，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。psram內(nèi)部自帶刷新機(jī)制。PSRAM也由初期的平行接口發(fā)展到串行接口，由SP...

2022-06-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram PSRAM 4.6k 0

PT32x00x存儲(chǔ)器和總線構(gòu)架說明

n Cortex?-M0 內(nèi)核系統(tǒng)總線(S-bus)

2022-06-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器內(nèi)核 sram 1.4k 0

Microchip微芯SRAM芯片23LC1024規(guī)格資料

Microchip微芯23LC1024是一款容量為1Mbit串行Serial SRAM器件。存儲(chǔ)器通過簡(jiǎn)單的串行外設(shè)接口(SPI)兼容串行總線訪問。所需...

2022-06-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 microchip sram 2.5k 0

存算一體技術(shù)路線如何選

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）過去幾年，越來越多企業(yè)加入到存算一體技術(shù)的研究中，如今，存算一體芯片已經(jīng)逐漸走向商用。 ? 從目前入局的企業(yè)來看，路線各異...

2022-06-21 標(biāo)簽：sram 存算一體千芯科技 1.1萬 0

具有內(nèi)置AES的FPGA保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

編程狀態(tài)探測(cè)也用于攻擊基于反熔絲的 FPGA。技術(shù)包括聚焦離子束（FIB）技術(shù)和掃描電子顯微鏡（SEM）。

2022-06-15 標(biāo)簽：fpga 寄存器 sram 2.2k 0

Serial SRAM芯片23LC512：可增加應(yīng)用程序

傳統(tǒng)上，有兩種方法可以增加應(yīng)用程序的ram：使用更大的微控制器（MCU）：如果必須購買更大、更昂貴的MCU以獲得更多RAM，則此選項(xiàng)的吸引力較小使用...

2022-06-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 microchip sram 783 0

NV-SRAM是什么，它的主要特征是什么

NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRA...

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Microchip微芯串行SPI SRAM芯片簡(jiǎn)述

串行SRAM是一種獨(dú)立的易失性存儲(chǔ)器，它提供了一種簡(jiǎn)單且便宜的方式來為您的應(yīng)用程序添加更多RAM。這些8引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和...

2022-05-30 標(biāo)簽：microchip sram 2.3k 0

只需1-Wire即可操作I2C/SPI端點(diǎn)

　　DS28E18 的 GPIO、I 2 C 和 SPI 接口在四個(gè)引腳上復(fù)用，如圖 5所示。I 2 C 接口可配置為以 100kHz、400kHz 或...

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256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EMI7256概述及特征

國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMO...

2022-04-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.2k 0

MCU單片機(jī)外擴(kuò)的國產(chǎn)串口SRAM簡(jiǎn)介

靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。SRAM不用更新電源電路即能儲(chǔ)存它內(nèi)部?jī)?chǔ)存的數(shù)據(jù)信息...

2022-04-18 標(biāo)簽：mcu 存儲(chǔ)器 sram 2.7k 0

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快...

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Microchip模擬嵌入式SuperFlash?技術(shù)助力存算一體創(chuàng)新企業(yè)成功解決邊緣語音處理難題

SuperFlash memBrain?存儲(chǔ)器解決方案使知存科技片上系統(tǒng)（SoC）能夠滿足最苛刻的神經(jīng)處理成本、功耗和性能要求。

2022-03-01 標(biāo)簽：嵌入式存儲(chǔ)器 microchip 1.3k 0

串行接口SRAM芯片帶來無限的可能性

物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設(shè)備還未出世前，Serial SRAM的利潤并不能吸引主流到SRAM廠商的關(guān)注。隨著串行SRAM的商機(jī)不斷增多，傳統(tǒng)的SRAM廠商進(jìn)軍串行S...

2022-02-11 標(biāo)簽：芯片電路板 sram 1.7k 0

用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國產(chǎn)SRAM芯片

IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個(gè)8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。采用高性能CMOS工藝制...

2022-01-26 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 2.8k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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