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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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西人馬推出為智能傳感器等應(yīng)用而生的MCU芯片CU0801A

近日，西人馬公司再次推出自研芯片，CU0801A。 CU0801A是基于RISC-V架構(gòu)的32位高性能低功耗通用微控制器。RISC-V處理器適用于低能耗...

2021-06-21 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器 sram 3.4k 0

國產(chǎn)SRAM芯片EMI501HB08PM45I概述及特征

在過去的幾十年中，SRAM領(lǐng)域已劃分為兩個(gè)不同的產(chǎn)品系列，快速和低功耗，每個(gè)產(chǎn)品都有自己的功能，應(yīng)用程序和價(jià)格。使用SRAM的設(shè)備需要它的高速性或低功耗...

2021-06-16 標(biāo)簽：電源芯片控制器 1.4k 0

SRAM與DRAM區(qū)別在哪里？

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。

2021-06-15 標(biāo)簽：DRAM sram 5.6k 0

4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT簡介

SRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），它使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來存儲(chǔ)每個(gè)位。只要有電源，數(shù)據(jù)位就會(huì)保留在存儲(chǔ)器中。與動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）不同，SR...

2021-06-08 標(biāo)簽：芯片 sram 6.6k 0

低功耗SRAM存儲(chǔ)器的簡單描述及特征介紹

低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛...

2021-06-08 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.6k 0

基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度

基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度，消耗較高功率；基于閃存技術(shù)的Xilinx CPLD具有較低的邏輯密度，功耗也比較低。為了提...

2021-06-01 標(biāo)簽：fpga cpld 電路板 3k 0

國產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16LM-55I特征介紹

ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一種非常高速且低功耗的128X8位CMOS靜態(tài)SRAM。該產(chǎn)品使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。...

2021-05-13 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 sram 1.8k 0

醫(yī)療刺激裝置如何通過外部存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)高性能

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，消費(fèi)類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來越強(qiáng)大，越來越完善，極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性，同時(shí)保證了用戶健康信息的安全性，價(jià)格...

2021-05-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 600 0

國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL

SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此SRA...

2021-04-26 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 1.7k 0

國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎樣的

EMI502NL16VM系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝，以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該系列還支持低數(shù)據(jù)保...

2021-04-24 標(biāo)簽：芯片 sram 1.5k 0

ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM

美國ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年...

2021-04-08 標(biāo)簽：sram ISSI 2.1k 0

以STM32F407ZGT6單片機(jī)來講解一下擴(kuò)展外部SRAM

現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用，對(duì)SRAM要求越來越高，單片機(jī)或ARM內(nèi)部的RAM越來越不夠用。當(dāng)電腦運(yùn)行比較卡的時(shí)候，我們可以通過給電腦加裝內(nèi)存條來改善電腦的性能...

2021-04-08 標(biāo)簽：emi sram 6k 0

簡述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車傳動(dòng)和安全系統(tǒng)

AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，即通過了一系列專為確保汽車應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力

2021-04-01 標(biāo)簽：fpga 半導(dǎo)體 sram 1.7k 0

英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

2021-04-01 標(biāo)簽：英飛凌存儲(chǔ)器 sram 3.1k 0

淺談IntrinsicID提出的不需要存儲(chǔ)密鑰就能保護(hù)數(shù)據(jù)的方法

數(shù)據(jù)保護(hù)現(xiàn)在已經(jīng)成了幾乎每個(gè)人都在考慮的問題。新聞上也每隔一段時(shí)間就會(huì)出現(xiàn)黑客、入侵或網(wǎng)絡(luò)恐怖主義的故事。越來越多地依賴云計(jì)算、超連接設(shè)備以及AI輔助硬...

2021-03-26 標(biāo)簽：sram IP安全數(shù)據(jù)安全 2.7k 0

一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案

最近的ISSCC上，臺(tái)積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案，能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。上圖顯示了臺(tái)積電用于其測(cè)試的擴(kuò)展SRAM陣...

2021-04-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 1.6k 0

國產(chǎn)并口PSRAM存儲(chǔ)芯片EMI164NA16LM的功能描述

EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電...

2021-03-18 標(biāo)簽：sram 存儲(chǔ)芯片 2.7k 0

國產(chǎn)串行SRAM存儲(chǔ)芯片EMI7008LSMI的介紹

EMI7008LSMI該器件是8Mb串行訪問的SRAM存儲(chǔ)芯片，內(nèi)部組織為1024K字，每個(gè)8位。該器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速...

2021-03-18 標(biāo)簽：芯片 sram 2.3k 0

關(guān)于IS61WV204816ALL高速異步SRAM

ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠...

2021-03-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.3k 0

關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說明

VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配...

2021-03-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.1k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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3D NAND Flash

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存儲(chǔ)行業(yè)

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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