IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開(kāi)關(guān)器件，通過(guò)柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合MOSFET高輸入阻抗與BJT低導(dǎo)通壓降，形成四層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場(chǎng)景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開(kāi)關(guān)與高電流承載能力，導(dǎo)通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢(shì) ?：禁帶寬度達(dá)3.3eV（硅的3倍）