IC的PWM OUT輸出

　　一般IC的PWM OUT輸出如左圖所示，內(nèi)部集成了限流電阻Rsource和Rsink，通常Rsource》Rsink，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak。一般IC的驅(qū)動輸出能力在0.5A左右，因此Rsource在20Ω左右。

　　由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大，并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制?？紤]到走線分布電容的影響，這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。

　　表

　　可以看到L對上升時間的影響比較小，主要還是Rg影響比較大。上升時間可以用2*Rg*Cgs來近似估算，通常上升時間小于導(dǎo)通時間的二十分之一時，MOSFET開關(guān)導(dǎo)通時的損耗不致于會太大造成發(fā)熱問題，因此當(dāng)MOSFET的最小導(dǎo)通時間確定后Rg最大值也就確定了 ，一般Rg在取值范圍內(nèi)越小越好，但是考慮EMI的話可以適當(dāng)取大。

　　以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小，這也是Rsink放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振（因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻），但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通，此時RG又參與反向諧振回路，因此可以抑制反向諧振的尖峰。這個二極管通常使用高頻小信號管1N4148。

　　圖

　　實(shí)際使用中還要考慮MOSFET柵漏極還有個電容Cgd的影響，MOSFET ON時Rg還要對Cgd充電，會改變電壓上升斜率，OFF時VCC會通過Cgd向Cgs充電，此時必須保證Cgs上的電荷快速放掉，否則會導(dǎo)致MOSFET的異常導(dǎo)通。