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1. 保持低VF特性，實現(xiàn)高抗浪涌電流能力
此次開發(fā)的第3代SiC-SBD“SCS3系列”，為實現(xiàn)高抗浪涌電流能力，采用了JBS（Junction Barrier schottky）結構。以往的結構是可有效提高抗浪涌電流能力、并改善泄漏特性的結構，而ROHM的第3代最新產品，不僅具備以往產品的特點，而且還進一步改善了第2代SiC-SBD所實現(xiàn)的低VF特性，將作為更高性能的產品大展身手。
2. 實現(xiàn)業(yè)界最低的正向電壓（VF=1.35V/25℃、1.44V/150℃）
ROHM的第2代SiC-SBD，通過改善工藝和產品結構，實現(xiàn)了業(yè)界最低的正向電壓。在高溫條件下，本產品的VF值比第2代產品更低，導通損耗更低，效率更高。
3. 低泄漏電流特性
一般情況下，降低正向電壓會導致反向漏電流增加，而ROHM的第3代最新SiC-SBD產品采用JBS結構，成功減少漏電流并降低正向電壓。本產品在額定電壓下的漏電流與第2代SiC-SBD相比，低至約1/20（650V、Tj=150℃時）。
