上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報導，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。

　　SSD（近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬碟（Hard disk），因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash（儲存型快閃記憶體），大搶市占率，除了比市占更還要比技術。

　　東芝及西部數(shù)據(jù)于日前同時發(fā)布新聞稿宣布，已領先全球研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術，正式開始向客戶送樣，預計將通過本月7月完工的日本四日市工廠“新第 2 廠房”量產(chǎn)，量產(chǎn)時間都預計為2017年上半年。

　　當時市場都解讀NAND Flash龍頭三星，因64層堆疊技術尚未有產(chǎn)出消息，因此認為將被東芝及西部數(shù)據(jù)超車，但根據(jù)韓國媒體《Electronics Weekly》報導，三星表示，預計將于今年底前量產(chǎn)4G V-NAND及18納米制程的DRAM，目前進展順利。