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電子發(fā)燒友網(wǎng)>便攜設(shè)備>采用CMOS工藝,射頻模塊有何改變?

采用CMOS工藝,射頻模塊有何改變?

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2013-06-15 23:28:18

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問(wèn):為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底??jī)烧?b class="flag-6" style="color: red">有什么區(qū)別?。看?為什么CMOS工藝采用P襯底,而不用N襯底?這主要從兩個(gè)方面來(lái)考慮:一個(gè)是材料和工藝問(wèn)題;另一個(gè)是電氣性能問(wèn)題。P型
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射頻芯片的成本功耗挑戰(zhàn)

)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片,一舉彌補(bǔ)了中國(guó)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后,銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25

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全球知名的半導(dǎo)體廠商羅姆(ROHM)公司推出了采用CMOS工藝的具有超低電流消耗特性的高精度監(jiān)控IC,它們符合汽車應(yīng)用的AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)釋放電壓精度為±50 mV。電壓監(jiān)控
2019-03-18 05:17:04

采用CC1100怎么實(shí)現(xiàn)無(wú)線射頻模塊

采用CC1100的無(wú)線射頻模塊電路圖
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2022-01-25 06:48:08

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝CMOS 單元工藝

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:CMOS 單元工藝編號(hào):JFSJ-21-027作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過(guò)程:硅
2021-07-06 09:32:40

【下載】《射頻板PCB工藝設(shè)計(jì)規(guī)范》

`目錄:1 范圍 2 規(guī)范性引用文件 3 術(shù)語(yǔ)和定義 4 印制板基板 5 PCB設(shè)計(jì)基本工藝要求 6 拼板設(shè)計(jì) 7 射頻元器件的選用原則 8 射頻板布局設(shè)計(jì) 9 射頻板布線設(shè)計(jì) 10 射頻PCB設(shè)計(jì)的EMC 11 射頻板ESD工藝 12 表面貼裝元件的焊盤(pán)設(shè)計(jì) 13 射頻板阻焊層設(shè)計(jì) 下載鏈接:`
2018-03-26 17:24:59

一種利用射頻功率放大器電路的GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設(shè)計(jì)

功率放大器模塊采用將GSM和DCS兩個(gè)頻段的單頻射頻功率放大器管芯以及對(duì)應(yīng)的輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和CMOS控制器封裝至一個(gè)芯片模塊,從而實(shí)現(xiàn)雙頻工作。SP4T射頻開(kāi)關(guān)模塊采用將GSM/DCS雙頻濾波器
2019-07-08 08:21:18

為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管?

隨著射頻無(wú)線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步,射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn),市場(chǎng)對(duì)其的需求也日益增多。目前,CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇,對(duì)于模擬與射頻集成電路來(lái)說(shuō),哪些選擇途徑?為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管?
2019-08-01 08:18:10

全面分析CMOS RF模型設(shè)計(jì)

最近幾年,我們已經(jīng)開(kāi)始看到一些有關(guān)射頻(RF)CMOS工藝的參考文獻(xiàn)和針對(duì)這些工藝的RF模型參考文獻(xiàn)。本文將探討這類RF所指代的真正含義,并闡述它們對(duì)RF電路設(shè)計(jì)人員的重要性。我們可以從三個(gè)角度
2019-06-25 08:17:16

功率放大器的工藝和主要指標(biāo)

,已經(jīng)投資350 億美元擴(kuò)展其基于CMOS射頻功率放大器業(yè)務(wù)。目前絕大多數(shù)功率放大器采用鍺硅(SiGe)或GaAs 技術(shù),而非CMOS。但根據(jù)報(bào)告可知,基于CMOS 工藝有助于實(shí)現(xiàn)低成本、高性能
2020-12-14 15:03:10

單相電風(fēng)扇采用電子式調(diào)速器優(yōu)點(diǎn)

二極管的主要參數(shù)哪些?單相電風(fēng)扇采用電子式調(diào)速器優(yōu)點(diǎn)?
2021-09-27 08:39:55

基于積累型MOS變?nèi)莨艿?b class="flag-6" style="color: red">射頻壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言 隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓
2019-06-27 06:58:23

如何采用0.18μCMOS工藝模型進(jìn)行開(kāi)環(huán)跟蹤保持電路的設(shè)計(jì)?

本文采用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種適用于TI-ADC的高速、低功耗開(kāi)環(huán)T&H電路。
2021-04-20 06:58:59

如何采用CMOS工藝去設(shè)計(jì)三角波信號(hào)發(fā)生器?

三角波信號(hào)發(fā)生器的原理是什么?三角波信號(hào)發(fā)生器的設(shè)計(jì)約束是什么?如何采用CMOS工藝去設(shè)計(jì)三角波信號(hào)發(fā)生器?
2021-04-13 06:26:12

如何采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)超高速?gòu)?fù)接器集成電路的設(shè)計(jì)?

本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計(jì)的單片集成超高速4:1復(fù)接器。
2021-04-12 06:55:55

如何利用0.18μm CMOS工藝去設(shè)計(jì)16:1復(fù)用器?

如何利用0.18μm CMOS工藝去設(shè)計(jì)16:1復(fù)用器?以及怎樣去驗(yàn)證這種復(fù)用器?
2021-04-09 06:39:47

如何在O.5μm CMOS工藝條件下設(shè)計(jì)采用電流反饋實(shí)現(xiàn)遲滯功能的旁路電壓控制電路?

怎么在O.5μm CMOS工藝條件下設(shè)計(jì)一種采用電流反饋實(shí)現(xiàn)遲滯功能的旁路電壓控制電路?
2021-04-14 06:53:08

如何設(shè)計(jì)0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片?

作用是控制整個(gè)收發(fā)機(jī)芯片的接收與發(fā)射狀態(tài)的切換(如圖1所示),它連接著收發(fā)天線、低噪聲放大器和 功率放大器,是收發(fā)芯片中的關(guān)鍵模塊。傳統(tǒng)射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)的制造工藝很多,目前市場(chǎng)常見(jiàn)的產(chǎn)品絕大部分采用
2019-07-31 06:22:33

常見(jiàn)的射頻半導(dǎo)體工藝,你知道幾種?

、功率消耗方面努力。RF CMOSRF CMOS工藝可分為兩大類:體硅工藝和SOI(絕緣體上硅)工藝。由于體硅CMOS在源和漏至襯底間存在二極管效應(yīng),造成種種弊端,多數(shù)專家認(rèn)為采用這種工藝不可能制作高
2016-09-15 11:28:41

怎么采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)RF集成電路?

  近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝射頻(RF)技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前,幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40

怎么利用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)一個(gè)10位的高速DAC?

本文選擇了SoC芯片廣泛使用的深亞微米CMOS工藝,實(shí)現(xiàn)了一個(gè)10位的高速DAC。該DAC可作為SoC設(shè)計(jì)中的IP硬核,在多種不同應(yīng)用領(lǐng)域的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)復(fù)用。
2021-04-14 06:22:33

怎么實(shí)現(xiàn)基于射頻功率放大器的GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設(shè)計(jì)?

本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu),使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時(shí)將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開(kāi)關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊,組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊,其中射頻開(kāi)關(guān)采用高隔離開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì),使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。
2021-05-28 06:28:14

手機(jī)射頻技術(shù)和射頻模塊什么關(guān)鍵元件?

手機(jī)在向雙模/多模發(fā)展的同時(shí)集成了越來(lái)越多的RF技術(shù)。手機(jī)射頻模塊哪些基本構(gòu)成?它們又將如何集成?RF收發(fā)器,功率放大器,天線開(kāi)關(guān)模塊,前端模塊,雙工器,SAW濾波器……跟著本文,來(lái)一一認(rèn)識(shí)手機(jī)射頻技術(shù)和射頻模塊的關(guān)鍵元件們吧!
2019-08-12 06:44:47

標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在高速模擬電路和數(shù)?;旌想娐分械膽?yīng)用展望

處理的模擬部分提出了更高的要求,例如:在光電子接口通信場(chǎng)合,從OC-48到新的OC- 192,要求能夠處理GHz以上信號(hào)的能力。 標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝技術(shù)在高速電路中的地位受到懷疑,各種新型工藝發(fā)展迅速
2018-11-26 16:45:00

清華大學(xué)教材—CMOS射頻集成電路分析與設(shè)計(jì)

`CMOS射頻集成電路分析與設(shè)計(jì)`
2017-01-20 18:11:40

特征工藝尺寸對(duì)CMOS SRAM抗單粒子翻轉(zhuǎn)性能的影響

【作者】:張科營(yíng);郭紅霞;羅尹虹;寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;【來(lái)源】:《原子能科學(xué)技術(shù)》2010年02期【摘要】:采用TCAD工藝模擬工具按照等比例縮小規(guī)則構(gòu)建了從亞微米到超深亞微米級(jí)7種
2010-04-22 11:50:00

請(qǐng)問(wèn)DAC7731的數(shù)字部分是bipolar工藝還是cmos工藝?

請(qǐng)問(wèn)DAC7731的數(shù)字部分是bipolar工藝還是cmos工藝? 管腳懸空時(shí)是高阻狀態(tài)還是什么電平狀態(tài)? 手冊(cè)中對(duì)于不使用的管腳是懸空不做處理,是否意味著管腳確定狀態(tài),無(wú)需管理?
2024-11-26 07:34:09

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cmos射頻集成電路設(shè)計(jì)這本被譽(yù)為射頻集成電路設(shè)計(jì)指南的書(shū)全面深入地介紹了設(shè)計(jì)千兆赫(GHz)CMOS射頻
2008-09-16 15:43:18321

高性能、全集成CMOS GSM射頻收發(fā)器的實(shí)現(xiàn)

RDA6205 是一款使用CMOS 工藝設(shè)計(jì)的GSM 射頻收發(fā)器,它體積小、集成度高,可以和多種常用基帶芯片配合。通過(guò)高超的射頻電路設(shè)計(jì)技巧和采用前瞻性的發(fā)射鏈路結(jié)構(gòu),保證了芯片很高
2009-12-11 09:18:5130

一種基于CMOS工藝射頻有源濾波器的設(shè)計(jì)

射頻濾波器是無(wú)線通信系統(tǒng)的關(guān)鍵部件之一。本文根據(jù)射頻SoC的需求,設(shè)計(jì)了一種基于Q-增強(qiáng)型射頻有源CMOS LC型濾波器。該濾波器利用負(fù)阻抗增強(qiáng)電路品質(zhì)因數(shù),可有效地解決射頻
2009-12-14 10:34:0729

CMOS射頻電路的發(fā)展趨勢(shì)

本文介紹目前正在研發(fā)、將來(lái)終將成為主流射頻收發(fā)器的CMOS射頻電路的體系結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)實(shí)例將展示CMOS射頻電路的良好性能,并預(yù)示CMOS射頻集成電路取代砷化鎵和SiGe電路
2010-06-05 11:43:1819

采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品

采用SiGe:C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品 恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe:C技術(shù)的產(chǎn)品,其QUBiC4 SiGe:C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351684

基于CMOS工藝的WLAN線性功率放大器設(shè)計(jì)

片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對(duì)比各類功率放大器的特點(diǎn),電路采用SMIC0.35-m CMOS工藝設(shè)計(jì)2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用
2011-04-28 10:42:2368

基于CMOS工藝的RF集成電路設(shè)計(jì)

近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝射頻(RF)技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前,幾個(gè)研究組已利
2012-05-21 10:06:192373

醫(yī)療IC設(shè)計(jì)工藝:雙極性與CMOS

可植入、可消化、可互動(dòng)、可互操作以及支持因特網(wǎng),這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來(lái)獨(dú)特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對(duì)醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性(bipolar)與CMOS工藝進(jìn)
2012-07-16 17:54:574028

CMOS工藝

CMOS工藝,具體的是CMOS結(jié)構(gòu)對(duì)集成電路設(shè)計(jì)有幫助,謝謝
2016-03-18 15:35:5221

CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)介紹

CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)介紹。
2016-03-24 17:15:114

手機(jī)射頻技術(shù)和手機(jī)射頻模塊解讀

手機(jī)射頻技術(shù)和手機(jī)射頻模塊解讀
2017-01-12 21:57:3467

采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝和掩膜技術(shù)制造而成的NEMS傳感器

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,NANUSENS的NEMS傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝和掩膜技術(shù)制造而成。在NANUSENS的工藝中,使用HF蒸汽(vHF)通過(guò)鈍化層中的焊盤(pán)開(kāi)口蝕刻金屬層間介電質(zhì)(IMD),以獲得納米傳感器的傳感結(jié)構(gòu)。
2017-10-19 15:04:048194

淺談CMOS射頻前端解決GaAs器件產(chǎn)能和成本問(wèn)題

硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數(shù)器件都采用體硅CMOS工藝(硅 的原材料是沙子)制造,但有一個(gè)部分卻難以實(shí)現(xiàn),那就是射頻前端。目前射頻前端主要采用GaAs或SiGe工藝制造,但由于材料
2017-11-14 10:06:384

標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

,選擇的途徑多種,例如Si雙極工藝、GaAs工藝CMOS工藝等,在設(shè)計(jì)中,性能、價(jià)格是主要的參考依據(jù)。除此以外,工藝的成熟度及集成度也是重要的考慮范疇。 1.概述 對(duì)于射頻集成電路而言,產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期與上市時(shí)間的縮短都是依賴
2017-11-23 06:29:231469

采用CMOS工藝射頻設(shè)計(jì)研究

近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝射頻(RF)技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前,幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2017-11-25 11:07:015636

采用RFSOI工藝來(lái)設(shè)計(jì)射頻開(kāi)關(guān)

供應(yīng)商,漢天下計(jì)劃使用其提供的RFSOI工藝設(shè)計(jì)和制造用于射頻前端(FEM)和天線開(kāi)關(guān)模塊(ASM)中的開(kāi)關(guān)芯片。相比傳統(tǒng)的GaAs和SOS工藝,RFSOI可以同時(shí)提供優(yōu)良的性能和低廉的成本。 RFSOI工藝非常適合用來(lái)做射頻開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì),基于這種先進(jìn)的工藝,我們可以將MI
2017-12-05 13:22:37862

射頻工藝和手機(jī)射頻元件的集成

低頻和高頻RF無(wú)線系統(tǒng)的集成具有很大差異。在高頻段,由于CMOS工藝能實(shí)現(xiàn)的帶寬高于雙極工藝,因而是RF電路首選工藝,通常RF-CMOS不會(huì)與數(shù)字CMOS集成在同一個(gè)芯片上。在低頻段最重要的系統(tǒng)
2017-12-07 18:45:02844

CMOS射頻前端牛逼的技術(shù) 挑戰(zhàn)傳統(tǒng)工藝

工藝的復(fù)雜性,射頻前端芯片的良率并不高,而RFaxis公司采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的bulk CMOS技術(shù)制造射頻前端芯片,能夠提升射頻前端芯片生產(chǎn)水平,并降低成本。
2018-04-13 12:16:004858

IC工藝,CMOS工藝,MEMS工藝什么關(guān)系和區(qū)別?

而mems即微機(jī)電系統(tǒng),是一門(mén)新興學(xué)科和領(lǐng)域,跟ic很大的關(guān)聯(lián),當(dāng)然mems工藝也和cmos工藝會(huì)有很大的相似之處,現(xiàn)在的發(fā)展方向應(yīng)該是把二者集成到一套的工藝上來(lái). 對(duì)mems不是特別的了)
2018-07-13 14:40:0021418

采用VHDL語(yǔ)言和EDA工具實(shí)現(xiàn)超高頻射頻標(biāo)簽數(shù)字電路

在研究讀寫(xiě)器和射頻標(biāo)簽通信過(guò)程的基礎(chǔ)上,結(jié)合EPC C1G2協(xié)議以及ISO/IEC18000.6協(xié)議, 采用VHDL語(yǔ)言設(shè)計(jì)出一種應(yīng)用于超高頻段的射頻標(biāo)簽數(shù)字電路。對(duì)電路的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和模塊具體實(shí)現(xiàn)方法
2019-08-28 08:03:002713

英特爾邁入10nm工藝時(shí)代,十代酷睿移動(dòng)處理器哪些改變

從現(xiàn)有英特爾已發(fā)布的產(chǎn)品來(lái)看,十代酷睿移動(dòng)版分為兩大陣營(yíng),分別是10nm工藝制程陣營(yíng)、14nm工藝制程陣營(yíng)。我們先從名稱上看看10nm工藝制程陣營(yíng)的產(chǎn)品變化。
2019-10-17 15:15:186278

如何實(shí)現(xiàn)CMOS工藝集成肖特基二極管的設(shè)計(jì)

隨著射頻無(wú)線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步,射頻的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn),市場(chǎng)對(duì)其的需求也日益增多。目前,CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇,對(duì)于模擬與射頻集成電路來(lái)說(shuō),選擇
2020-09-25 10:44:002

采用開(kāi)關(guān)電容來(lái)增加調(diào)節(jié)范圍實(shí)現(xiàn)3.7GHz CMOS VCO的電路設(shè)計(jì)

LCVCO的調(diào)節(jié)范圍相對(duì)于采用HBT、SiGe和MESFET等工藝的振蕩器來(lái)說(shuō)要小得多。同時(shí)VCO的振蕩頻率受工藝、電源電壓以及溫度(PVT)的 影響很大,這需要VCO足夠的調(diào)節(jié)范圍以補(bǔ)償PVT變化所帶來(lái)的影響。
2020-08-06 14:56:045279

如何選擇合適的射頻模塊

為了選擇合適的射頻模塊,必要了解無(wú)線設(shè)備通信距離,其使用的功率,如何擴(kuò)展通信距離,天線的選擇,應(yīng)使用哪種模塊等。
2020-08-30 10:10:214125

MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕及沉積工藝的關(guān)系

不久前,MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系,對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。 1
2022-12-13 11:42:003169

CMOS射頻集成電路原理和設(shè)計(jì)課件

CMOS射頻集成電路原理和設(shè)計(jì)課件免費(fèi)下載。
2021-06-08 10:05:0453

SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝是什么

ZLG致遠(yuǎn)電子新推出的電源隔離芯片采用成熟的SiP工藝與DFN封裝,相比傳統(tǒng)SIP封裝體積縮小75%,性能和生產(chǎn)效能也有所提升。本文為大家分享傳統(tǒng)SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝有區(qū)別
2021-09-22 15:12:538833

CMOS工藝流程介紹

CMOS工藝流程介紹,帶圖片。 n阱的形成 1. 外延生長(zhǎng)
2022-07-01 11:23:2042

MEMS 與CMOS 集成工藝技術(shù)的區(qū)別

Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 結(jié)構(gòu)在制作 CMOS 之前完成,帶有MEMS 微結(jié)構(gòu)部分的硅片可以作為 CMOS 工藝的初始材料。
2022-10-13 14:52:438744

ZigBee 與 Z-Wave:區(qū)別?

ZigBee 與 Z-Wave:區(qū)別?
2023-01-03 09:45:032610

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。
2023-07-06 14:25:015738

開(kāi)關(guān)電源占空比改變會(huì)發(fā)生什么?輸出電壓中的占空比改變影響?

開(kāi)關(guān)電源占空比改變會(huì)發(fā)生什么?輸出電壓中的占空比改變影響? 開(kāi)關(guān)電源 (Switching power supply) 是一種有源電路,能夠轉(zhuǎn)換輸入電壓為穩(wěn)定的輸出電壓。它是一種高效的電源,能夠
2023-10-18 15:28:275266

什么是BCD工藝?BCD工藝CMOS工藝對(duì)比

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和DMOS(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管技術(shù)組合在單個(gè)芯片上的高級(jí)制造工藝。
2024-03-18 09:47:4111480

基于CMOS工藝的PA GC0643在無(wú)線IoT模塊中的應(yīng)用

基于CMOS工藝的PA GC0643在無(wú)線IoT模塊中的應(yīng)用
2024-05-06 09:38:401036

HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介

的成本相對(duì)傳統(tǒng)的CMOS 要高很多。對(duì)于一些用途單一的LCD 和LED高壓驅(qū)動(dòng)芯片,它們的要求是驅(qū)動(dòng)商壓信號(hào),并沒(méi)有大功率的要求,所以一種基于傳統(tǒng) CMOS 工藝制程技術(shù)的低成本的HV-CMOS 工藝
2024-07-22 09:40:326767

功率模塊封裝工藝哪些

本文介紹了哪些功率模塊封裝工藝。 功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為三種形式,每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這三種封裝工藝的詳細(xì)概述及分點(diǎn)說(shuō)明: 一、智能功率模塊
2024-12-02 10:38:532342

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