近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準的CMOS工藝開發(fā)出高性能的下變頻器、低相位噪聲壓控振蕩器（VCO）和雙模數(shù)預(yù)分頻器（prescaler）。這些研究表明，在無須增加額外器件或進行調(diào)整的條件下，可以設(shè)計出完全集成的接收器和VCO電路。低噪聲放大器、上行轉(zhuǎn)換器、合成器和功率放大器的深入研究，將可能設(shè)計出電信應(yīng)用的完全集成收發(fā)器CMOS 射頻電路。

　　無線通信及其應(yīng)用技術(shù)的迅猛發(fā)展，很大程度上得益于無線通信中的數(shù)字編碼和數(shù)字信號處理技術(shù)的引入。數(shù)字技術(shù)發(fā)展是高性能低成本CMOS技術(shù)發(fā)展的結(jié)果，因為CMOS技術(shù)使得在單塊裸片上集成大量的數(shù)字功能成為可能。這樣，利用先進的調(diào)制技術(shù)、復(fù)雜的解調(diào)算法，以及高質(zhì)量的錯誤檢測和糾錯系統(tǒng)，其結(jié)果是產(chǎn)生了高性能無損耗的數(shù)字通信信道。

　　目前，數(shù)字技術(shù)發(fā)展以及無線市場的高速增長已經(jīng)極大地改變了模擬收發(fā)器前端設(shè)備。前端設(shè)備是天線與無線收發(fā)器的數(shù)字調(diào)制解調(diào)器之間的接口，前端設(shè)備必須檢測頻率高達1GHz至2GHz微伏級的微弱信號。同時，還必須以相同的高頻率發(fā)射功率在2W左右的信號。因此，這需要能在天線和A/D轉(zhuǎn)換以及數(shù)字信號處理之間轉(zhuǎn)換頻帶的高性能模擬電路，如濾波器、放大器和混頻器。低成本和低功耗要求使得模擬前端設(shè)備成為未來射頻設(shè)計的瓶頸，集成度的進一步提高將顯著降低裸片大小、成本和功耗。在過去幾年中，已經(jīng)提出了許多進一步增強接收器、發(fā)送器和合成器集成度的不同技術(shù)。

　　在進一步提升集成度的同時，研究人員也力圖采用CMOS工藝集成射頻電路。雖然CMOS技術(shù)主要應(yīng)用于數(shù)字電路的集成，但如果能在高性能模擬電路中應(yīng)用CMOS技術(shù)，將使性能得到很大提高，其優(yōu)勢將更為明顯：可在單塊芯片上集成完整的收發(fā)器系統(tǒng)，即同一裸片上既集成模擬前端器件，又集成數(shù)字解調(diào)器。這種需求只能利用CMOS或BiCMOS工藝實現(xiàn)，BiCMOS工藝能提高模擬設(shè)計的性能，但成本也相應(yīng)提高，這不僅因為單位面積的成本增加，而且需要為數(shù)字電路部分預(yù)留更大的芯片空間。隨著在CMOS工藝上的投資遠遠超出雙極性器件，普通CMOS工藝將逐步消除BiCMOS器件與采用深亞微米 CMOS工藝的NMOS器件，甚至消除采用相同BiCMOS工藝的NMOS器件之間的性能差異。NMOS器件的ft參數(shù)將逐漸接近NPN器件的ft。

　　盡管多年前就展開了一些有關(guān)采用CMOS工藝的射頻設(shè)計研究，但直到最近幾年人們才真正關(guān)注實現(xiàn)該技術(shù)的可能性。目前，業(yè)界有幾個研究組正從事該主題的研究。由于雙極性器件固有的特性優(yōu)于CMOS器件，因此一些研究人員認為射頻CMOS只適用于具有較低性能標(biāo)準，如ISM等低性能系統(tǒng)，或者可以通過改進CMOS工藝，如蝕刻電感器下面的基底來提高其性能。射頻CMOS技術(shù)將可能采用普通的深亞微米工藝對高性能應(yīng)用，如GSM、DECT和 DCS1800中的收發(fā)器進行完全集成。

　　CMOS技術(shù)

　　出于對技術(shù)標(biāo)準的不斷提高以及實現(xiàn)更高集成度DSP電路的考慮，亞微米技術(shù)目前已被視為標(biāo)準的CMOS技術(shù)。該技術(shù)的發(fā)展趨勢甚至向深亞微米技術(shù)發(fā)展，如規(guī)格為0.1微米或更小的晶體管。而Ft接近100GHz的晶體管最近也出現(xiàn)在0.1微米的深亞微米工藝中。

　　然而，晶體管中的寄生電容，包括柵極-漏極交迭電容（gate-drain overlap capacitance）和漏極-體結(jié)電容（drain-bulk junction capacitance）延緩了深亞微米技術(shù)的發(fā)展。圖1比較了不同技術(shù)的ft和fmax值，這清晰地說明了上述結(jié)論。與ft相比，fmax更為重要，因為fmax反映了實際配置中晶體管的速率極限。如圖中所示，雖然ft快速增加，但對于實際的電路設(shè)計（fmax），速度的提高卻并不大。

　　最后，在最近的集成CMOS射頻電路中很清晰地看到，不僅CMOS技術(shù)本身成為了制約因素，封裝也同樣如此。由于射頻信號最終將來源于芯片，而且由于射頻天線信號必須進入芯片，因此任何與ESD保護網(wǎng)絡(luò)相連的PCB、封裝引腳寄生電容將極大地影響，或使射頻信號惡化。

　　接收器拓撲結(jié)構(gòu)

　　超外差（heterodyne）或中頻接收器是最常用的接收器拓撲結(jié)構(gòu)。在中頻接收器中，期望信號將下變頻到相對較高的中頻頻率。采用高質(zhì)量的無源帶通濾波器可防止鏡像信號在中頻頻率上與期望信號發(fā)生交迭。通過利用中頻接收器拓撲結(jié)構(gòu)，尤其是當(dāng)采用多個中頻級時可以實現(xiàn)極高的接收器性能。

　　由于每一級濾波都需要在芯片外實現(xiàn)，并采用分立的帶通濾波器，因此中頻接收器設(shè)計的主要問題是不能滿足更高的集成度要求。這些分立的濾波器和帶有大量引腳的接收器芯片提高了成本，而且功耗也很大（通常分立濾波器需要50Ω的驅(qū)動信號源驅(qū)動）。此外，在CMOS射頻電路設(shè)計中，在1GHz的頻率范圍上輸入/輸出的問題也很嚴重。

　　作為中頻接收器的替代方案，零差（homodyne）或零中頻接收器可以實現(xiàn)極高的集成度。零中頻接收器對通往基帶的信號進行了直接、正交的下變頻轉(zhuǎn)換。期望信號將自身作為鏡像信號，因此可以實現(xiàn)充分的鏡像信號抑制，盡管信號抑制的正交精度有限。在理論上，零中頻接收器中根本不需要分立的高頻帶通濾波器，可以實現(xiàn)完全集成的接收器，尤其是當(dāng)下變頻在單級中執(zhí)行時。例如，直接從900MHz變換到基帶信號。

　　與中頻接收器相比，零中頻接收器的缺點在于其較低的性能。零中頻接收器對寄生基帶信號非常敏感，如DC偏移電壓以及由射頻和LO自混頻產(chǎn)生的串?dāng)_分量。這些缺點限制了零中頻接收器在無線應(yīng)用系統(tǒng)中的廣泛使用，因此零中頻接收器常用在低性能要求的應(yīng)用中，如尋呼機和ISM中。在這些應(yīng)用中，可以對編碼進行擾碼處理，因此可以插入高通濾波器，從而避免DC偏移問題。零中頻接收器的另一個應(yīng)用是用作中頻-零中頻混合接收器拓撲結(jié)構(gòu)的第二級。通過采用由DSP實現(xiàn)的動態(tài)非線性DC糾錯算法，零中頻拓撲結(jié)構(gòu)還可應(yīng)用于高性能應(yīng)用系統(tǒng)，如GSM和數(shù)字增強型無繩電話（DECT）中。

　　近年來，高性能要求的應(yīng)用中也引入了新的接收器拓撲結(jié)構(gòu)，如準中頻（quasi-IF）或?qū)拵е蓄l接收器，以及低中頻接收器。寬帶中頻接收器首先對中頻頻率進行正交下變頻，接著再對基帶進行正交下變頻。信道選擇則由中頻頻率處的第二級本地振蕩器實現(xiàn)，這樣有利于第一級本地振蕩器保持固定的頻率。然而，必須注意第一級正交下變頻器的精度，因為任何相位誤差都將導(dǎo)致鏡像信號的抑制能力下降，這時就必須利用高頻濾波器提高鏡像信號抑制。此外，還需要較高的中頻頻率，以使中頻頻率與整個頻帶的比例足夠高。否則，第二級VCO的可調(diào)節(jié)能力就必須非常大。另一方面，混頻器第一級也不可能是真正的下變頻混頻器，因為下變頻混頻器仍然需要寬帶輸出帶寬，而這正是產(chǎn)生系統(tǒng)噪聲的一個缺點。另外，多級拓撲結(jié)構(gòu)本身將產(chǎn)生更大的功耗。

　　顧名思義，低中頻接收器將天線頻率直接下變頻為較低的中頻，即在若干100kHz的頻率范圍內(nèi)。下變頻采用正交方式，而鏡像信號抑制通常在下變頻之后，在DSP中以較低的頻率完成。因此，低中頻與零中頻接收器緊密相關(guān)，低中頻可完全集成并采用單級直接下變頻，不需要高頻鏡像信號抑制濾波器。低中頻和零中頻兩者的主要差別在于：低中頻不用基帶處理，因此完全不受寄生基帶信號的影響，這樣就克服了零中頻接收器的主要缺點；零中頻的缺點在于鏡像信號完全不同于低中頻接收器拓撲結(jié)構(gòu)中的期望信號，但通過慎重選擇中頻頻率，就足以利用帶有低信號電平的鄰近信道進行鏡像信號抑制，可以達到3°的相位精度。

　　完全集成的CMOS下變頻器

　　倍頻器中最常用的一種拓撲結(jié)構(gòu)就是帶有交叉聯(lián)結(jié)可變跨導(dǎo)差動級的倍頻器。在CMOS工藝中，采用該拓撲結(jié)構(gòu)及其相關(guān)結(jié)構(gòu)，例如基于平方律的拓撲，只適用于高頻系統(tǒng)。為避免產(chǎn)生畸變問題，拓撲結(jié)構(gòu)必須具有較大的VGS-VT值或較大的源極衰減阻抗，但這將產(chǎn)生更大的功耗并引發(fā)噪聲問題?？梢酝ㄟ^在線性區(qū)域中，將帶MOS晶體管的偽差分拓撲結(jié)構(gòu)取代底端差分對結(jié)構(gòu)來避免這一問題。CMOS下變頻處理中經(jīng)常用到對開關(guān)電容放大器進行二次采樣的技術(shù)。在這里，MOS晶體管用作帶有高輸入帶寬的開關(guān)，期望信號就通過這些開關(guān)進行通信。通過采用二次采樣可以用較低頻率的運算放大器實現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)。與中頻頻率相比，開關(guān)和開關(guān)電容電路的工作頻率要低很多。此外，時鐘抖動必須非常低，這樣高頻信號才能以足夠高的精度進行采樣。二次采樣的缺點是，在采樣頻率處倍頻器上的所有信號和噪聲將與期望信號發(fā)生交迭。因此，有必要將高質(zhì)量的高頻濾波器與開關(guān)電容二次采樣拓撲結(jié)構(gòu)結(jié)合使用。

　　圖2顯示了以0.7微米CMOS工藝實現(xiàn)的完全集成正交下變頻器的方框圖。該變頻器采用新開發(fā)的雙正交結(jié)構(gòu)，可以得到極高的正交精度，在很大的通頻帶中具有小于0.3°的相位精度，并不需要任何外部器件，也不需要對器件進行調(diào)整。應(yīng)用于下變頻器的拓撲結(jié)構(gòu)建立在線性區(qū)域的NMOS晶體管基礎(chǔ)之上。由于下變頻器與虛地上的電容相結(jié)合，因而只需要低頻率的運算放大器。在線性區(qū)域中采用MOS晶體管，能使RF和LO輸入的線性度得到很大的提高，混頻器的輸入IP3將超過+45dBm。RF和LO輸入的高線性度將有助于混頻器處理非常高的IMFDR3電平，這樣就不再需要任何高頻濾波器。

　　合成器

　　本地振蕩器負責(zé)在上變頻和下變頻器中進行正確的頻率選擇。由于目前的無線通信系統(tǒng)必須盡可能高效地利用頻譜，因此信道總是排列得非常緊密。接收信道的期望信號電平可能非常小，而相鄰的信道則可能具有非常大的信號電平，因此LO信號的相位噪聲指標(biāo)將非常高，因而頻率合成器的設(shè)計非常關(guān)鍵。

　　同時，移動通信還要求器件的功耗低、成本低和重量輕。完全集成的合成器將能滿足這些要求，而完全集成意味著采用標(biāo)準的CMOS技術(shù)，并無需增加任何外部器件或工藝流程。通常，LO通過如圖3所示的鎖相環(huán)實現(xiàn)。其中壓控振蕩器和雙模數(shù)預(yù)分頻器（DMP）的設(shè)計必須滿足嚴格的指標(biāo)。

　　在以亞微米CMOS技術(shù)實現(xiàn)GHz VCO過程中，可有兩種選擇方案：環(huán)形振蕩器或基于LC振蕩回路諧振頻率的振蕩器。在該LC振蕩回路中的電感器可以用有源電感或無源電感方式實現(xiàn)。研究表明，環(huán)形振蕩器和有源LC振蕩器的相位噪聲與功耗成反比：

　　因此，對于低功率、低相位噪聲的VCO，唯一的可行解決方案就是帶無源電感的LC振蕩器。在此條件下，相位噪聲將與功耗成正比：

　　該振蕩器唯一的缺點就是集成的無源電感。等式（2）表明，對于較低的相位噪聲，即LC環(huán)路的等效串聯(lián)阻抗R必須盡可能小。較低的阻抗也意味著較低的電路損耗，只需較低的功率即可補償這些損耗。在大多數(shù)技術(shù)中，電容可以輕易獲得，但由于阻抗R通常由電感的串聯(lián)阻抗決定，因此電感的設(shè)計就尤為重要。電感的設(shè)計目前存在3種解決方案。

　　硅基底上的螺旋電感通常要承擔(dān)由于基底而產(chǎn)生的大量損耗，這限制了可獲取的Q值大小。最近，新開發(fā)的技術(shù)在后處理過程中能將螺旋線圈之下的基底蝕刻掉。但是，由于在IC的正常工藝之后需要引入額外的蝕刻過程，該技術(shù)并不適用于大規(guī)模生產(chǎn)。

　　為滿足極低的相位噪聲要求，需要對邦定線電感進行深入研究。由于邦定線的寄生感應(yīng)系數(shù)約為1nH/mm，且串聯(lián)阻抗極低，因此可以得到Q值很高的電感。IC技術(shù)總離不開邦定線，因此邦定線完全可被視為標(biāo)準的CMOS技術(shù)的一部分。由4條接合線形成兩個電感可與增強的LC振蕩回路一起，實現(xiàn)噪聲和功率的有效折衷。對于1.8GHz的載波，當(dāng)頻率偏移量為200kHz時，測量的相位噪聲可低至-115dBc/Hz。在電源電壓為3V時，功耗僅為 24mW。但是，由于這種實現(xiàn)方案的性能并不能滿足批量生產(chǎn)要求，因此業(yè)界很少采用這種解決方案。

　　最佳的解決方案是不做任何調(diào)整，直接在標(biāo)準硅基底上采用螺旋線圈。當(dāng)采用雙極工藝實現(xiàn)時，將不會產(chǎn)生基底損耗，因為這種實現(xiàn)方法中，基底通常具有很高的阻值。大多數(shù)亞微米CMOS技術(shù)均采用高度摻雜的基底，因而基底具有很大的感應(yīng)電流，這是導(dǎo)致高損耗的根源。通過有限元仿真研究這些低阻值基底的作用效果，這種分析在螺旋電感LC振蕩器應(yīng)用中，有助于得到優(yōu)化的線圈設(shè)計。這種方案只有兩層金屬層可用，基底采用了高度摻雜工藝，產(chǎn)生的功耗僅為 6mW，對于1.8GHz的載波，當(dāng)頻率偏移量為600kHz時，可獲得-116dBc/Hz的相位噪聲。

　　為設(shè)計高速雙模數(shù)預(yù)分頻器，目前業(yè)界已經(jīng)開發(fā)出了可基于M/S觸發(fā)器主輸出和從輸出之間90°的相位關(guān)系的新架構(gòu)。該架構(gòu)如圖5所示。采用該架構(gòu)，在24mW功耗和一個3V電源條件下，可以得到1.75GHz的輸入頻率，甚至還可以利用5V的電源得到2.5GHz的輸入頻率。

　　完全集成的VCO和雙模數(shù)預(yù)分頻器無需調(diào)整或后處理，即可在標(biāo)準的CMOS工藝上集成完整的LO合成器，并符合現(xiàn)代通信規(guī)范。

　　RF CMOS上變頻器

　　到目前為止，公開發(fā)表的文章中提及的大多是CMOS下變頻混頻器。直到最近，業(yè)界才提出了CMOS上變頻器。在傳統(tǒng)的雙極收發(fā)器實現(xiàn)中，上變頻和下變頻混頻器通常采用相同的四象限拓撲結(jié)構(gòu)。但上變頻和下變頻器之間也存在一些本質(zhì)的區(qū)別，通過研究這些區(qū)別可以優(yōu)化專用混頻器拓撲結(jié)構(gòu)。

　　在下變頻器拓撲結(jié)構(gòu)中，兩條輸入信號都是高頻信號，如GSM系統(tǒng)中的900MHz信號。而對于低中頻或零中頻接收器系統(tǒng)，輸出信號則是最大為若干兆赫茲的低頻信號。

　　上行變頻混頻器的設(shè)計則完全不同，高頻本地振蕩器和低頻基帶（BB）輸入信號經(jīng)過相乘，形成高頻輸出信號。所有這些進一步的信號處理必須在高頻下進行，但當(dāng)采用當(dāng)前的深亞微米CMOS工藝時將相當(dāng)困難，并將消耗很大的功率。此外，所有噪聲信號，如交調(diào)分量和LO泄漏信號都必須低于期望信號電平，例如低于-30 dB的信號電平。

　　很多已公開CMOS的混頻器拓撲結(jié)構(gòu)均基于傳統(tǒng)的具有交叉聯(lián)結(jié)差動調(diào)節(jié)級的可變跨導(dǎo)倍頻器。由于傳統(tǒng)的雙極？？叉聯(lián)結(jié)差動調(diào)節(jié)級又基于雙極性晶體管的線性跨導(dǎo)（translinear）特性構(gòu)建，因此與之相對應(yīng)的MOS器件只能在調(diào)制器或開關(guān)模式下有效地使用。較大的LO信號必須用來獲得門限，這將導(dǎo)致極大的LO饋通（feedthrough）。在CMOS下變頻器中，這已經(jīng)成為一個難題。例如，對于-30dBm的饋通信號，LO輸出信號的電平為-23dBm，這表明抑制的信號電平僅為-7dB。這將導(dǎo)致直接上變頻拓撲結(jié)構(gòu)出現(xiàn)非常嚴重的問題，而且通過對LO信號進行方波調(diào)制，第三階諧波將具有30%的信號功率。噪聲信號將只能通過附加的外部輸出濾波器進行濾波。

　　上述問題可以通過在CMOS中對偏離線性區(qū)域的MOS混合晶體管中的電流進行線性調(diào)制加以解決。對于柵極電壓V1+vin1、漏電壓V2+vin2/2以及源電壓V2-vin2/2，通過晶體管的電流可由下式計算：

　　當(dāng)LO信號連接到柵極，基帶信號連接到vin2時，由于等式（3）的第一項，電流將包含LO附近的頻率分量；根據(jù)等式3第二項可知，電流還包含基帶信號分量。根據(jù)上面的原理，可以得到采用標(biāo)準CMOS技術(shù)的 1GHz上變頻器。

　　所有不期望的測量信號均低于-30dBc。如果采用500Ω的片上負載，那么對于0dBm的LO信號就可實現(xiàn)-10dB轉(zhuǎn)換增益。然而，傳統(tǒng)的RF構(gòu)件內(nèi)聯(lián)采用了50Ω的特性阻抗，這意味著CMOS發(fā)送器功能需要額外的功率預(yù)放大器，以得到外部高效率功率放大器組件的輸入阻抗。對于現(xiàn)有的亞微米技術(shù)而言，預(yù)放大器構(gòu)件仍是一個嚴重問題。用以實現(xiàn)900MHz完全集成收發(fā)器的典型雙極性技術(shù)具有20GHz的截止頻率。由于目前在高頻應(yīng)用中采用的亞微米技術(shù)具有較低的gm/I比率，因此CMOS預(yù)放大器的功耗將比雙極性技術(shù)高至少20倍。然而，得益于CMOS技術(shù)的快速下行縮放，現(xiàn)有的CMOS 構(gòu)件實現(xiàn)表明，帶有可接受功耗的整體CMOS收發(fā)器完全適用于極深亞微米CMOS。

　　本文結(jié)論

　　幾個深亞微米技術(shù)研究組正致力于研究在RF電路實現(xiàn)CMOS技術(shù)的可能性。尤其是在新的接收器拓撲結(jié)構(gòu)（如寬帶中頻和低中頻拓撲結(jié)構(gòu)）開發(fā)中，該技術(shù)與高線性下變頻器相結(jié)合，無需添加外部濾波器或其它器件，就能為完全集成的下變頻器開發(fā)鋪平道路。

　　然而，由于現(xiàn)有亞微米技術(shù)的適中速度性能，必須設(shè)計出低噪聲低功耗的電路。只要短信道效應(yīng)不限制線性度和互調(diào)性能，深亞微米技術(shù)的發(fā)展將有助于實現(xiàn)這些目標(biāo)。

　　性能低相位噪聲、低功耗、完全集成的VCO電路已出現(xiàn)在CMOS中。雖然開始時遇到一些困難，但后處理技術(shù)通過將電感用作接合線，推動了標(biāo)準CMOS技術(shù)的應(yīng)用?，F(xiàn)在，甚至已經(jīng)出現(xiàn)了帶有優(yōu)化的集成螺旋電感的低相位噪聲性能標(biāo)準CMOS技術(shù)，而且無需任何后處理或?qū)ν獠科骷M行調(diào)整。這推動了完全集成的收發(fā)器電路的發(fā)展。

　　然而，由于通信系統(tǒng)通常是雙向系統(tǒng)，因而也需要發(fā)送器電路。直到最近，具有適中輸出功率的CMOS上行轉(zhuǎn)換器才出現(xiàn)在公開發(fā)表的文章中。同樣得益于深亞微米技術(shù)的發(fā)展，今后將有望實現(xiàn)具有可接受功耗的完全集成CMOS發(fā)送器電路。這推動了采用標(biāo)準CMOS技術(shù)的完全集成收發(fā)器電路的發(fā)展。