3月3日晚央視《大國(guó)重器》對(duì)中微半導(dǎo)體7nm刻蝕機(jī)做了介紹。根據(jù)2017年1月【美國(guó)總統(tǒng)咨文】：中國(guó)缺少Tier-One的半導(dǎo)體設(shè)備公司，但有一個(gè)Tier-Two設(shè)備公司在上海，這個(gè)公司制造半導(dǎo)體Fab廠所需的某種制造公司，那就是AMEC。

盡管我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)和國(guó)際龍頭AMAT、ASML等仍有差距，但是我們可以看到國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)無(wú)論從環(huán)境、下游需求拉動(dòng)還是研發(fā)實(shí)力都有質(zhì)的飛躍。不僅AMEC（中微），北方華創(chuàng)設(shè)備28nm產(chǎn)線已經(jīng)量產(chǎn)，并進(jìn)入14nm產(chǎn)線驗(yàn)證階段；長(zhǎng)川科技在半導(dǎo)體封測(cè)設(shè)備領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位等都讓我們看到了半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的希望。

現(xiàn)將半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化主要邏輯以及昨日《大國(guó)重器》全文紀(jì)要附于其下，詳細(xì)請(qǐng)見(jiàn)隨后的半導(dǎo)體設(shè)備深度報(bào)告以及相關(guān)調(diào)研、交流，我們一起來(lái)看看這個(gè)市場(chǎng)發(fā)生了什么變化。

1.1集成電路制造工藝復(fù)雜，設(shè)備支出巨

IC制造分為晶圓制造及加工，晶圓制造是指利用二氧化硅作為原材料制作單晶硅，需要熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等設(shè)備；晶圓加工是指在晶圓上制作邏輯電路的過(guò)程，需要鍍膜、光刻、顯影、刻蝕、離子注入等工藝過(guò)程，需要PECVD、LPCVD、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、擴(kuò)散爐等設(shè)備。IC封測(cè)是IC生產(chǎn)的后段環(huán)節(jié)，對(duì)晶圓進(jìn)行減薄、切割、貼片、引線鍵合、封裝、測(cè)試等過(guò)程，需要減薄機(jī)、引線鍵合機(jī)、切割機(jī)、清洗機(jī)等設(shè)備。根據(jù)SEMI估計(jì)，設(shè)備投資在集成電路生產(chǎn)線總投資額的80%左右，足見(jiàn)設(shè)備在生產(chǎn)過(guò)程中的重要性。

2017年前三季度全球半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額為415億美元，同比增長(zhǎng)39.7%，中國(guó)大陸為64.5億美元，占16%的比例。分地區(qū)來(lái)看，韓國(guó)為最大市場(chǎng)，占比高達(dá)32%，其次為***21%，日本為11%，北美為10%。大陸銷售占比從2005年的4%上升為2017年前三季度的16%，并且超過(guò)了北美和日本成為第三大市場(chǎng)。

1.2 通過(guò)歷史的眼光看今天的大陸：半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的天時(shí)地利人和

縱觀歷史，全球半導(dǎo)體經(jīng)歷過(guò)兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次發(fā)生在上世紀(jì)80年代。第二次則發(fā)生在上世紀(jì)90年代，由于日本經(jīng)濟(jì)泡沫破滅，使其巨大資本開(kāi)支難以維系，韓國(guó)和***抓住機(jī)會(huì)，在強(qiáng)大資金的支持下，確立了在PC和手機(jī)端的全球芯片霸主的地位，***更是看中了晶圓代工的市場(chǎng)，著力發(fā)展代工產(chǎn)業(yè)，由此完成了第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移——由日本向韓國(guó)、***地區(qū)的轉(zhuǎn)移。

從過(guò)往產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過(guò)程來(lái)看，半導(dǎo)體的全球級(jí)霸主往往伴隨著新應(yīng)用新市場(chǎng)的快速崛起和國(guó)家財(cái)政的大力支持。目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于以物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等行業(yè)崛起的過(guò)程中，市場(chǎng)需求龐大；同時(shí)政府以多項(xiàng)文件、專項(xiàng)計(jì)劃大力支持，又通過(guò)大基金進(jìn)行資本投入，使得我國(guó)兼具著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的兩大歷史條件，有望成為第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的最大受益者。

1.2.1 ***漢微科的崛起之路給我們的啟示

***漢微科成立于1998年，其創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)抓住晶圓制程不斷進(jìn)步的趨勢(shì)，專注于電子束晶圓檢測(cè)技術(shù)，以獨(dú)家的跳躍式掃描檢測(cè)及穩(wěn)定的電子槍技術(shù)領(lǐng)先于全球市場(chǎng)，產(chǎn)品毛利率高達(dá)70%，市占率超過(guò)八成，是細(xì)分領(lǐng)域的絕對(duì)龍頭。

然而在剛成立的12年間（1998-2009），由于先后受到了半導(dǎo)體行業(yè)制程推進(jìn)速度緩慢、全球金融危機(jī)以及半導(dǎo)體周期下行等多方面的影響，公司收入增長(zhǎng)十分緩慢，凈利潤(rùn)也始終為負(fù)。但公司始終將研發(fā)作為自己安家立命之本，研發(fā)投入曾一度了超過(guò)虧損值，研發(fā)費(fèi)用占收入比例在2007年業(yè)績(jī)低點(diǎn)處更是高達(dá)40%。公司在行業(yè)困難時(shí)期率先積累的先進(jìn)技術(shù)，終于幫助公司在2010年后進(jìn)入的28nm先進(jìn)制程新時(shí)代中獲得先發(fā)優(yōu)勢(shì)，一舉獲得超過(guò)八成的全球市場(chǎng)份額，最終于2016年被作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商之一的ASML以新臺(tái)幣1千億元溢價(jià)31%收購(gòu)。

如果說(shuō)之前的制程發(fā)展是“天時(shí)”，那么***在上世紀(jì)八十年代指定的“IC示范大廠”等戰(zhàn)略可謂是“地利”，更可以說(shuō)成是之后“天時(shí)”的先決條件。上世紀(jì)七十年代末八十年代初，***提出“IC示范大廠”規(guī)劃，將打造全球領(lǐng)先的IC制造大廠作為首要目標(biāo)，并選定IT產(chǎn)業(yè)為“策略工業(yè)”。在這種大環(huán)境下，半導(dǎo)體企業(yè)如雨后春筍版地在***蓬勃發(fā)展，使得***最終成長(zhǎng)為IC重鎮(zhèn)。

如前所述，***在第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移中所選取的戰(zhàn)略，使得***地區(qū)擁有著全球最領(lǐng)先的代工產(chǎn)業(yè)，為漢微科的檢測(cè)設(shè)備在***本土的發(fā)展提供了業(yè)務(wù)保障。通過(guò)比較2008年至2015年公司營(yíng)收與***晶圓代工產(chǎn)值和代工龍頭臺(tái)積電的資本支出可以發(fā)現(xiàn)，設(shè)備制造企業(yè)在下游代工行業(yè)發(fā)展的帶動(dòng)下，業(yè)績(jī)有了大幅的提升。

1.2.2 視角轉(zhuǎn)回國(guó)內(nèi)，大陸半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)占據(jù)天時(shí)地利，發(fā)展勢(shì)在必行

1.2.2.1 政策與大基金持續(xù)加碼

中國(guó)作為全球半導(dǎo)體行業(yè)最大的市場(chǎng)，本土產(chǎn)業(yè)鏈卻存在嚴(yán)重缺陷，在先進(jìn)世代半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口中也收到了發(fā)達(dá)國(guó)家的限制。由于半導(dǎo)體行業(yè)具有資金密集、技術(shù)密集的特點(diǎn)，也就造就了其政策驅(qū)動(dòng)的特性。正如前文所提到的***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之路一樣，我國(guó)近年來(lái)出臺(tái)了一系列產(chǎn)業(yè)政策與國(guó)家發(fā)展基金，以促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。

政策方面，國(guó)家近年來(lái)頻繁印發(fā)集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策，一方面說(shuō)明改革迫在眉睫，另一方面彰顯國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的決心。國(guó)務(wù)院于2014年6月發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》提出要突破集成電路關(guān)鍵設(shè)備，研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)配套能力。2015年5月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《中國(guó)制造2025》，明確提出在2020年之前，90-32nm設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%，2025年之前，20-14nm設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到30%，并明確將集成電路放在發(fā)展新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的首位。2016 年5 月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略綱要》，提出要加大集成電路的技術(shù)攻關(guān)和推廣力度，為我國(guó)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)和國(guó)家安全提供保障。2016年12月，國(guó)務(wù)院印發(fā)了《十三五國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，部署了包括集成電路發(fā)展工程在內(nèi)的21項(xiàng)重大工程。

資金方面，2014年9月，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡(jiǎn)稱“大基金”）正式成立，首期募集資金規(guī)模達(dá)1387億元。據(jù)財(cái)聯(lián)社的報(bào)道，大基金一期資金已基本投資完畢，投資超過(guò)62各項(xiàng)目，主要投向了中芯國(guó)際等集成電路制造環(huán)節(jié)廠商，在芯片設(shè)計(jì)、封測(cè)、裝備與材料領(lǐng)域也都有所涉足。近日，大基金二期募資也已經(jīng)啟動(dòng)，擬募資1500-2000億，有望在設(shè)備制造、芯片設(shè)計(jì)和材料領(lǐng)域加大投資。考慮到資金具有的放大效應(yīng)，大基金總募集撬動(dòng)規(guī)模有望達(dá)到一萬(wàn)億元。

1.2.2.2 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移帶動(dòng)建廠熱潮，設(shè)備公司將會(huì)受益

根據(jù)SEMI research的數(shù)據(jù)，受到全球集成電路需求的影響，未來(lái)三年直到2020年，全球預(yù)計(jì)將會(huì)有62座半導(dǎo)體晶圓廠投產(chǎn)，其中有26座位于中國(guó)。根據(jù)日本硅晶圓大廠SUMCO的統(tǒng)計(jì)，到2020年將會(huì)有150萬(wàn)片左右的新增月產(chǎn)能。我們認(rèn)為伴隨著國(guó)家政策對(duì)于制造設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率的要求，大陸設(shè)備制造企業(yè)將會(huì)享受本輪投資建廠熱潮帶來(lái)的巨大紅利。根據(jù)SEMI近期發(fā)布的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)展望報(bào)告，國(guó)際廠商在大陸建廠的資本支出在2018年將達(dá)到120億美元，而潛在具有升勢(shì)的中國(guó)大陸設(shè)備廠商會(huì)得到受益。

對(duì)標(biāo)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史，日本半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)從1980年全球占比不到30%提升至1989年51%，同期材料設(shè)備全球占比分別從不到20%提升至71%和42%，說(shuō)明制造業(yè)對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈拉動(dòng)作用明顯。

1.2.3國(guó)際環(huán)境限制下半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行

雖然建廠潮將會(huì)對(duì)國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商帶來(lái)可觀的紅利，但與以美日為主導(dǎo)的國(guó)際企業(yè)相比仍相形見(jiàn)絀。國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商與國(guó)際龍頭無(wú)論是在銷售規(guī)模還是在技術(shù)積累上都存在較大差距。例如在2016年，以CVD、刻蝕機(jī)等設(shè)備為主要業(yè)務(wù)的美國(guó)應(yīng)用材料公司營(yíng)業(yè)收入高達(dá)76億美元，而同期我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額僅為425億元，約合64億美元，不及全球龍頭一家公司的收入規(guī)模。

具體來(lái)看，目前世界集成電路設(shè)備制程正處于7nm的研發(fā)與10nm的批量生產(chǎn)階段，而中國(guó)還處在14nm的研發(fā)與65-28nm的生產(chǎn)階段，落后國(guó)際先進(jìn)水平一到兩個(gè)世代，隨著下游需求的不斷增加和應(yīng)用場(chǎng)景的日益豐富，高端產(chǎn)能擴(kuò)張的需求將會(huì)快速上升，我國(guó)迫切需要走進(jìn)先進(jìn)制程。而由美日韓等國(guó)家簽訂的《瓦塞納協(xié)議》又規(guī)定禁止向中國(guó)出售頂級(jí)芯片和高端半導(dǎo)體制造設(shè)備。協(xié)議中的臺(tái)積電、三星、Intel三家公司壟斷了全球高端芯片制程，而這三者同時(shí)又是芯片光刻機(jī)絕對(duì)霸主荷蘭ASML公司的股東，擁有其1970Ci以上型號(hào)光刻機(jī)的優(yōu)先供貨權(quán)，而ASML的大股東荷蘭飛利浦集團(tuán)同時(shí)也是臺(tái)積電的大股東。設(shè)備提供龍頭ASML與芯片三巨頭之間緊密的關(guān)系無(wú)疑為《瓦塞納協(xié)議》的開(kāi)展提供了天然土壤，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的自研攻堅(jiān)之路勢(shì)在必行。

1.3 設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)潛力巨大，細(xì)分領(lǐng)域已初露鋒芒

雖然我國(guó)整體上與國(guó)際領(lǐng)先水平存在一定的差距，但也不乏表現(xiàn)相對(duì)突出的設(shè)備企業(yè)，如設(shè)備制造龍頭北方華創(chuàng)、在刻蝕機(jī)領(lǐng)域做出突破的中微半導(dǎo)體、封測(cè)領(lǐng)域龍頭長(zhǎng)川科技、從事高純工藝系統(tǒng)的至純科技以及國(guó)內(nèi)單晶生長(zhǎng)設(shè)備稀缺標(biāo)的晶盛機(jī)電等。

北方華創(chuàng)（002371.SZ）作為國(guó)內(nèi)上市設(shè)備公司龍頭，涉及半導(dǎo)體設(shè)備、真空設(shè)備、鋰電設(shè)備和電子元器件等四大類產(chǎn)品，半導(dǎo)體設(shè)備覆蓋等離子刻蝕設(shè)備、PVD、CVD、氧化爐等生產(chǎn)線核心設(shè)備。北方華創(chuàng)的28nm PVD設(shè)備已中芯國(guó)際生產(chǎn)線投入使用，在14nm制程的刻蝕、退火和CVD的設(shè)備也已進(jìn)入工藝驗(yàn)證階段，深度受益建廠潮。

中微半導(dǎo)體于2004年由尹志堯博士代領(lǐng)的海歸人才創(chuàng)辦，尹志堯博士曾在美國(guó)應(yīng)用材料公司任職13年，專注于等離子體刻蝕設(shè)備的研發(fā)。中微是國(guó)內(nèi)技術(shù)最領(lǐng)先的高端芯片設(shè)備企業(yè)，也是國(guó)家大基金成立后投資的首個(gè)企業(yè)。其推出的芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備已打入全球頂級(jí)企業(yè)臺(tái)積電的7nm、10nm量產(chǎn)線，并占據(jù)了中芯國(guó)際50%以上的新增采購(gòu)額。2015年，美國(guó)商務(wù)部更因中微作提供的“有相當(dāng)數(shù)量和同等質(zhì)量”的刻蝕機(jī)產(chǎn)品，取消對(duì)華出口刻蝕設(shè)備的限制。公司未來(lái)將有望達(dá)成跳躍式增長(zhǎng)，并有朝一日成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一把利劍。

長(zhǎng)川科技（300604.SZ）始終專注于半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，主要產(chǎn)品包括檢測(cè)機(jī)和分選機(jī)，主要客戶包括華天科技、長(zhǎng)電科技、士蘭微等封測(cè)與制造企業(yè)，并受到國(guó)家大基金入股，封測(cè)設(shè)備龍頭地位得到認(rèn)可。公司已經(jīng)掌握了高精度電壓電流源控制測(cè)量技術(shù)、大電流電源高能脈沖控制與測(cè)試技術(shù)等核心技術(shù)，擁有著能與歐美抗衡的技術(shù)水平。公司2017年?duì)I收1.80億，同比增長(zhǎng)44.86%，歸母凈利潤(rùn)5,096萬(wàn)，同比增長(zhǎng)23.05%，且具有資本平臺(tái)價(jià)值，值得重點(diǎn)關(guān)注。

最初成立于美國(guó)硅谷的盛美半導(dǎo)體，在2007年引進(jìn)國(guó)內(nèi)落地張江，主要生產(chǎn)清洗設(shè)備、鍍銅設(shè)備等產(chǎn)品，其掌握的超聲波清洗技術(shù)克服了芯片制程發(fā)展所帶來(lái)的工藝?yán)щy，產(chǎn)品進(jìn)入了中芯國(guó)際、韓國(guó)海力士等知名半導(dǎo)體制造廠商，并獲得了“02專項(xiàng)”的扶持。盛美于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2017年11月3日在納斯達(dá)克IPO上市，成為國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)軍海外市場(chǎng)的一員。

成立于2010年的沈陽(yáng)拓荊，是由海外技術(shù)專家于2010年4月組建的高新技術(shù)企業(yè)，致力于研究和生產(chǎn)世界領(lǐng)先的極大規(guī)模集成電路行業(yè)專用薄膜設(shè)備，公司已形成12英寸PECVD、ALD、3D NAND三大系列產(chǎn)品，并且先后兩次承擔(dān)國(guó)家科技重大專項(xiàng)，獲得國(guó)家大基金大力支持。2013年，公司12英寸PECVD通過(guò)中芯國(guó)際產(chǎn)品線測(cè)試，2017年10月，拓荊設(shè)備在北京中芯國(guó)際量產(chǎn)突破百萬(wàn)MOVE。公司產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地基地最大產(chǎn)能可達(dá)350套設(shè)備，年產(chǎn)值約50億元。

附.大國(guó)重器7nm刻蝕機(jī)紀(jì)要

半導(dǎo)體芯片是信息化時(shí)代基石，也是當(dāng)今尖端制造的制高點(diǎn)。芯片生產(chǎn)有十大類設(shè)備，一千多個(gè)步驟才能生產(chǎn)出來(lái)。世界水平在10nm到7nm器件量產(chǎn)階段，國(guó)內(nèi)落后卻仍處于28nm量產(chǎn)水平。中國(guó)每年進(jìn)口芯片超2000億美元超過(guò)原油等其他產(chǎn)品，這是中國(guó)輸不起的一個(gè)領(lǐng)域。

刻蝕機(jī)是芯片制造及微觀加工的最重要設(shè)備之一。采用等離子體刻蝕技術(shù)，利用活性化學(xué)物質(zhì)在硅片上刻蝕微觀電路。7nm制程相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑萬(wàn)分之一，是目前人類能夠在大生產(chǎn)線上制造出的最小集成電路布線間距，這接近了微觀加工極限。

中微研發(fā)的自主研發(fā)的刻蝕溫控精度保持在0.75度以內(nèi)，優(yōu)于國(guó)際水平。對(duì)于噴淋盤(pán)，中微首創(chuàng)高純鋁做基材，鍍上高致密特殊陶瓷薄膜 。噴淋盤(pán)直徑半米，均勻分布1000個(gè)細(xì)小的圓孔。不同化學(xué)氣體通過(guò)小孔進(jìn)入腔體，在射頻作用下形成等離子體。噴淋盤(pán)最后需要接受30小時(shí)的燒制考驗(yàn)，保證鍍膜厚度均勻達(dá)到上百微米，其中噴淋盤(pán)在爐中燒制的運(yùn)動(dòng)軌跡是獲得高質(zhì)量陶瓷鍍層的核心機(jī)密。

15年時(shí)間追趕，20年時(shí)間超越是他們的志向。今天他們第一個(gè)目標(biāo)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。達(dá)到與世界最先進(jìn)水平同步。

尹智堯（中微半導(dǎo)體董事長(zhǎng)）說(shuō)，中國(guó)將來(lái)會(huì)變成世界上主要芯片生產(chǎn)制造基地之一。

蔡建林（科技部原副部長(zhǎng)）說(shuō)，中國(guó)政府對(duì)高新技術(shù)發(fā)展支持走在世界前列，利用好我們的技術(shù)，讓中國(guó)方方面面都走到世界前列上。