91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

日本首次批準(zhǔn)向韓國出口EUV光刻膠

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-08-11 10:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

7月1日,日本政府宣布將韓國移除對外貿(mào)易白名單,韓國進(jìn)口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請,這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板、半導(dǎo)體芯片的重要原料,而這兩個行業(yè)又是韓國的經(jīng)濟(jì)支柱。

此事嚴(yán)重影響了三星、SK海力士等韓國半導(dǎo)體企業(yè)的正常經(jīng)營生產(chǎn),當(dāng)月就有韓媒表示,三星削減了用于Galaxy Note10智能手機(jī)的Exynos處理器產(chǎn)量,減產(chǎn)份額達(dá)到了10%。

為此三星與SK海力士的高管也紛紛赴日,與日本供應(yīng)商進(jìn)行洽談,以解決關(guān)鍵半導(dǎo)體原材料的供應(yīng)問題。

目前看起來三星似乎取得了突破性進(jìn)展,8月8日,據(jù)外媒報道,日本近日首次批準(zhǔn)了向韓國出口EUV光刻膠,這種材料用于芯片生產(chǎn),幫助廠商在硅晶上繪制芯片,該材料對于三星而言至關(guān)重要。不過三星拒絕對此消息發(fā)表評論。

而且該舉動并不意味著日韓貿(mào)易解凍,韓國官方人員表示:“他們只批準(zhǔn)了禁令名單中的一件產(chǎn)品。”

此前曾有消息稱,在原材料受限后,三星電子決定將半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中使用的約220余種日本原材料和化學(xué)藥品,全部替換為本國產(chǎn)品或其他國家產(chǎn)品。

為了應(yīng)對日本制裁,韓國政府也宣布了巨額投資計劃,將在未來7年里投資7.8萬億韓元(約合65億美元或者449億人民幣)研發(fā)國產(chǎn)半導(dǎo)體材料及裝備,減少對日本的依賴。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15894

    瀏覽量

    183122
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    615

    瀏覽量

    88812
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    354

    瀏覽量

    31783
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時代,不僅需要EUV光刻機(jī),更需要
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?6654次閱讀

    光刻膠涂層如何實現(xiàn)納米級均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠(亦稱光致抗蝕劑)是集成電路制造中的關(guān)鍵材料,其純度直接決定光刻圖形的質(zhì)量與芯片良率。隨著光刻技術(shù)極紫外(EUV,13.5?nm)工
    的頭像 發(fā)表于 02-09 18:01 ?360次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>涂層如何實現(xiàn)納米級均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?1914次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1787次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展

    這一突破的核心力量。 ? 然而,EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途,其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷,這對配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能
    的頭像 發(fā)表于 08-17 00:03 ?4690次閱讀

    國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    量產(chǎn)到ArF浸沒式驗證,從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破,一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?6865次閱讀

    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之光刻膠厚度測量

    光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下,溶解度會發(fā)生變化,主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?571次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度測量

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1039次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精準(zhǔn)測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?871次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時,光刻圖形的精準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?827次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用,并
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?775次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?898次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1564次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1352次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9491次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性