今年第2季度，中國大陸智能手機應用處理器（AP）出貨量提前拉貨，較前期預估（季增34.6%）幅度加大。但該機構預估第3季度因第2季已提前拉貨，因此，雖在旺季，預估大陸市場AP出貨量季增長僅0.2%，較去年同期將減少7.6%。

第3季度，大陸市場手機AP制程轉換也將明顯，28nm比重將繼續(xù)下降，被12nm超越，12nm出貨比重將上漲3成，躍居市場主流；7nm比重有望達到1成左右。

根據(jù)這一市場統(tǒng)計和分析，12nm制程技術將會在我國大陸地區(qū)的手機市場大放異彩。我們知道，在中高端領域，市場上的主流制程工藝節(jié)點是22nm、16/14nm、10nm、7nm，以及今后的5nm和3nm，這些被稱為主節(jié)點。而28nm、20nm、12nm、8nm等，被稱為半節(jié)點，這些節(jié)點有很強的過渡屬性，因此，總體來講，它們的市場占有率相比于那些主節(jié)點要低。而28nm和12nm相對較為特殊，28nm是因為具有絕佳的性價比，因此應用面很廣，也非常成熟；而12nm是典型的中端芯片制程工藝，市場上有多家知名處理器廠商的中端產(chǎn)品都選用了該制程工藝，這其中尤以手機處理器為最多。

中國大陸手機市場龐大，且中端和中低端占據(jù)著出貨量的大頭兒，這就給了中端手機處理器芯片絕佳的發(fā)展機會，相應的12nm制程技術的市場份額也就水漲船高了。

從目前的晶圓代工市場來看，具備12nm制程技術能力的廠商很少，主要有臺積電、格芯（原格羅方德，GF）、三星電子和聯(lián)電。聯(lián)電于2018年宣布停止12nm及更先進制程工藝的研發(fā)。因此，目前來看，全球晶圓代工市場，12nm的主要玩家就是臺積電、格芯和三星這三家，這一點，從近兩年市場推出的各種芯片也可見一斑。

12nm制程芯片

2018年8月，華為發(fā)布了中端芯片麒麟710，采用的就是12nm制程，用在了當時的中端機型、在海外被稱為Mate 20 Lite上。麒麟710由Cortex A73×4＋Cortex A53×4組成，CPU主頻為2.2GHz，GPU為Mali－G51。

2018年5月，聯(lián)發(fā)科推出了中端芯片Helio P22，采用臺積電12nm FinFET工藝制造，CPU為8核A53，最高主頻2.0GHz。GPU采用PowerVR GE8320，頻率650MHz，最高支持1600x720（20：9）屏幕分辨率。

2018年6月，聯(lián)發(fā)科推出的中端芯片Helio P60表現(xiàn)不凡，吸引了OPPO和vivo等國產(chǎn)一線手機廠商的訂單，像OPPO R15、vivo X21i等機型都搭載了Helio P60處理器。這顆芯片同樣是定位中端，基于12nm制程工藝，并加入了人工智能技術。

2018年7月，聯(lián)發(fā)科又推出了Helio A 系列產(chǎn)品，并稱其把高端產(chǎn)品功能下放到了用戶基數(shù)龐大的大眾市場。該系列的首款產(chǎn)品為Helio A22，同樣采用12nm制程工藝，搭配CorePilot技術，內(nèi)建主頻2.0 GHz的4核Cortex–A53，以及PowerVR GE圖形處理器。

在中國大陸，紫光展銳最近幾年在中端和中低端市場的拓展力度也很大，并逐步擴大著市場占有率，而在即將到來的5G市場，該公司推出了春藤510，采用了臺積電12nm制程工藝，同時支持SA（獨立組網(wǎng)）和NSA（非獨立組網(wǎng)）方式。

可見，聯(lián)發(fā)科是12nm制程中端手機芯片的主要玩家，來自DIGITIMES Research的統(tǒng)計和分析顯示，高通受中美貿(mào)易影響，預計今年第3和第4季度出貨量將分別較前季減少3.8%和2.7%，高通強化自主架構芯片，第4季度占高通整體出貨比重有望提升至64.6%。從目前的形勢來看，華為很可能將中端機種AP轉單聯(lián)發(fā)科，再加上OPPO、vivo等新品也多采用聯(lián)發(fā)科的AP，預計會帶動后者今年第3季度AP出貨量較前一季增加5.8%，其中，Cortex-A57以上平臺出貨比重至今年第4季度有望提升至39.2%。

除了手機處理器之外，2018年底，AMD的顯卡RX 590采用了12nm制程代工生產(chǎn)，而這款產(chǎn)品的代工廠為格芯和三星兩家。由于AMD與格芯的深厚關系，其很多芯片都是由格芯代工的，但隨著格芯宣布退出10nm及更先進制程的研發(fā)和投入，使得AMD不得不將先進產(chǎn)品分給了三星和臺積電代工，從而分散了格芯的訂單。

而在同一時期，另一家顯卡廠商NVIDIA則選擇了臺積電的12nm制程。

三國殺

臺積電的16nm制程經(jīng)歷了16nm FinFET、16FF＋和16FFC三代，之后進入了第四代16nm制程技術，此時，臺積電改變策略，推出了改版制程，也就是12nm技術，用以吸引更多客戶訂單，從而提升12吋晶圓廠的產(chǎn)能利用率。因此，臺積電的12nm制程就是其第四代16nm技術。

與前幾代相比，12nm具備更低漏電特性和成本優(yōu)勢。與16nm相比，12nm制程不僅擁有更高的晶體管密度，而且在性能和功耗方面得到了進一步優(yōu)化，有較大的升級幅度。對于臺積電來說，推出12nm工藝，不僅可以緩解10nm制程帶來的訂單緊張問題，而且還能在市場營銷上反擊三星、格芯、中芯國際等對手的14nm工藝，避免訂單流失。

格芯于2018年宣布退出10nm及更先進制程的研發(fā)，這樣，該公司的最先進制程就是12nm了。該公司是分兩條腿走路的，即FinFET和FD-SOI，這也充分體現(xiàn)在了12nm制程上，在FinFET方面，該公司有12LP技術，而在FD-SOI方面，有12FDX。12LP主要針對人工智能、虛擬現(xiàn)實、智能手機、網(wǎng)絡基礎設施等應用，利用了格芯在紐約薩拉托加縣Fab 8的專業(yè)技術，該工廠自2016年初以來，一直在大規(guī)模量產(chǎn)格芯的14nm FinFET產(chǎn)品。

由于許多連接設備既需要高度集成，又要求具有更靈活的性能和功耗，而這是FinFET難以實現(xiàn)的，12FDX則提供了一種替代路徑，可以實現(xiàn)比FinFET產(chǎn)品功耗更低、成本更低、射頻集成更優(yōu)。

數(shù)據(jù)顯示，格芯的12FDX制程能夠以低于16nm FinFET 制程的功耗和成本，提供等同于10nm FinFET的性能，并且支持全節(jié)點縮放，使性能比FinFET 制程提升15%，功耗降低50%。而掩模成本也比10nm FinFET減少40%。格芯的12FDX制程在號稱成本、功耗等方面都優(yōu)于臺積電主力16nm制程的情況下，臺積電推出了第四代16nm制程，也就是12nm制程，使得雙方的競爭進一步加劇，而格芯12FDX的量產(chǎn)時間要比臺積電的12nm制程晚一些，這些對于12FDX來說，在后續(xù)的市場競爭中，是個不小的考驗。

目前，格芯正在大力推廣其12nm制程，上周，該公司宣布開發(fā)出了基于Arm的3D高密度測試芯片，該芯片采用GF的12nm FinFET工藝制造，采用3D的Arm網(wǎng)狀互連技術，允許數(shù)據(jù)更直接地通往其他內(nèi)核，最大限度地減少延遲。

格芯表示，他們的方法可以在每平方毫米上實現(xiàn)多達100萬個3D連接，使其具有高度可擴展性，并有望延長12nm工藝的壽命。目前來看，相對于7nm，12nm工藝更加成熟、穩(wěn)定，因此，目前在3D空間上開發(fā)芯片更容易，而不必擔心如7nm制程可能帶來的問題。

三星方面，其晶圓代工路線圖中原本是沒有12nm工藝的，只有11nm LPP。不過，三星的11 LPP和格芯的12nm LP其實是“師出同門”，都是對三星14nm改良的產(chǎn)物，晶體管密度變化不大，效能則有所增加。因此，格芯的12nm LP與三星的12nm制程有非常多的共同之處，這可能也是AMD找三星代工12nm產(chǎn)品的原因之一。

如前文所述，AMD于去年推出了RX 590，這是該公司首款12nm GPU。三星加入該產(chǎn)品的代工行列，其12nm制程是為AMD定制化的，是將原來的14nm制程進行版本優(yōu)化的結果。另外，AMD的第2代Ryzen處理器也是采用12nm制程工藝制造的。

結語

12nm制程本來不是一個競爭激烈的領域，但隨著格芯對其重視程度的提升，以及臺積電的強勢殺入，另外，市場需求，特別是中國大陸地區(qū)中端手機處理器需求的上漲，使得這一板塊在未來的兩三年很有看頭。

另外，別忘了，中芯國際不僅14nm FinFET制程已進入客戶風險量產(chǎn)階段，而且在2019年第一季度，其12nm制程工藝開發(fā)進入客戶導入階段，第二代FinFET N+1研發(fā)取得突破，進度超過預期，同時，上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成，進入產(chǎn)能布建階段。這意味著用不了多久，一個新的12nm制程玩家將殺入戰(zhàn)團，新的競爭局面和變數(shù)值得期待。