電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域持續(xù)展現(xiàn)強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭。據(jù)行業(yè)信源確認(rèn)，臺(tái)積電2nm制程量產(chǎn)計(jì)劃已嚴(yán)格按時(shí)間表推進(jìn)；得益于人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的爆發(fā)式需求，晶圓供應(yīng)一度面臨緊張局面。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)激增的訂單，臺(tái)積電已啟動(dòng)新建三座工廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，旨在進(jìn)一步提升產(chǎn)能，保障客戶供應(yīng)鏈的穩(wěn)定交付。

與此同時(shí)，臺(tái)積電在更尖端的1.4nm工藝研發(fā)上同樣進(jìn)展迅猛。公司正全力加速推進(jìn)1.4nm制程工廠的建設(shè)進(jìn)度，相關(guān)工程已于2025年11月初正式動(dòng)工。新廠選址中國(guó)臺(tái)灣中部科學(xué)園區(qū)，規(guī)劃建造四座先進(jìn)廠房及配套辦公樓，標(biāo)志著臺(tái)積電在下一代制程領(lǐng)域的投入進(jìn)入實(shí)質(zhì)階段。按照當(dāng)前時(shí)間表，1.4nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)工作預(yù)計(jì)將于2027年啟動(dòng)。

所謂風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，是新產(chǎn)品大規(guī)模量產(chǎn)前的關(guān)鍵鋪墊環(huán)節(jié)，通過(guò)小批量生產(chǎn)精準(zhǔn)識(shí)別良率、性能等潛在問(wèn)題，全面評(píng)估工藝穩(wěn)定性，進(jìn)而降低后期量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)，確保產(chǎn)品高效順利入市。對(duì)于1.4nm這一突破性制程而言，試產(chǎn)階段的意義尤為重大。

有消息人士透露，該制程采用第二代GAAFET（全環(huán)繞柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）納米片晶體管與NanoFlex Pro設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化方案，相較于2nm工藝，在相同功耗下速度可進(jìn)一步提升10%-15%，相同速度下功耗降低25%-30%，邏輯密度提高20%-23%，將為千億參數(shù)大模型訓(xùn)練、移動(dòng)端智能應(yīng)用等場(chǎng)景提供更強(qiáng)算力支撐。值得注意的是，臺(tái)積電通過(guò)優(yōu)化現(xiàn)有光刻工藝實(shí)現(xiàn)良率突破，未引入成本高昂的High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）設(shè)備，在控制制造成本的同時(shí)，保障了量產(chǎn)可行性。

臺(tái)積電的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也在積極布局更先進(jìn)的制程技術(shù)。三星早在2022年6月就宣布在其3納米制程中率先采用GAA架構(gòu)；英特爾則在其18A節(jié)點(diǎn)中引入RibbonFET（絲帶場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與PowerVia（背向供電）兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。該節(jié)點(diǎn)已于2025年進(jìn)入早期生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)2026年逐步擴(kuò)大產(chǎn)能。

盡管競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手緊追不舍，但臺(tái)積電憑借N2技術(shù)（2nm制程相關(guān)技術(shù)）的良率優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步鞏固了其領(lǐng)先地位。目前，臺(tái)積電2nm良率目標(biāo)為65%-75%，高于三星的40%。隨著2nm芯片量產(chǎn)推進(jìn)，半導(dǎo)體行業(yè)正迎來(lái)新一輪技術(shù)競(jìng)賽。臺(tái)積電已規(guī)劃清晰的技術(shù)路線圖：2026年下半年將推出N2P制程，同時(shí)在A16制程中引入超級(jí)電軌背面供電技術(shù)。

臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的密集布局，背后是對(duì)行業(yè)趨勢(shì)的精準(zhǔn)判斷。當(dāng)前，AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng)，高端算力芯片對(duì)制程工藝的要求持續(xù)突破極限，先進(jìn)制程已成為企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心壁壘。從客戶布局來(lái)看，蘋果、AMD已鎖定2nm初期產(chǎn)能，而英偉達(dá)等企業(yè)大概率將成為1.4nm首批客戶，其新一代AI芯片、服務(wù)器處理器有望借助這一制程實(shí)現(xiàn)算力翻倍。與此同時(shí)，臺(tái)積電明確1.4nm等最先進(jìn)制程將優(yōu)先在臺(tái)灣地區(qū)量產(chǎn)，美國(guó)亞利桑那州工廠僅規(guī)劃2nm至1.6nm工藝，凸顯其對(duì)核心技術(shù)產(chǎn)能的戰(zhàn)略把控。

科技進(jìn)步從來(lái)不是一蹴而就的奇跡，而是持續(xù)投入、耐心打磨的成果。臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的深耕與堅(jiān)守，不僅鞏固了其全球半導(dǎo)體代工龍頭地位，更引領(lǐng)著人類探索技術(shù)邊界的步伐。隨著2nm量產(chǎn)的穩(wěn)步推進(jìn)與1.4nm試產(chǎn)的臨近，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新的發(fā)展格局，而那些深耕核心技術(shù)的企業(yè)，終將成為時(shí)代的引領(lǐng)者。