中芯國(guó)際在國(guó)內(nèi)推出首個(gè)14nm FinFET工藝風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)品
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際（SMIC）于8月8日宣布，已開(kāi)始使用FinFET工藝生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃在2019年底前將其市場(chǎng)化。
這是該公司2019年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告中公布的內(nèi)容，其聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍博士和梁孟松博士表示，“FinFET的研發(fā)工作繼續(xù)加速?！痹摴镜?4納米工藝目前正處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將在年底前實(shí)現(xiàn)盈利。
此外，該公司還開(kāi)始與12nm工藝的客戶合作，提供了第一代FinFET技術(shù)的增強(qiáng)版本。并抓住5G / IoT /汽車和其他行業(yè)趨勢(shì)的機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)突破。
據(jù)SMIC稱，14nm FinFET制造技術(shù)已在內(nèi)部開(kāi)發(fā)，與平面28nm工藝制造設(shè)備相比，預(yù)計(jì)將顯著提高晶體管密度和性能，并降低功耗。
在2019年初，該公司宣布在今年上半年開(kāi)始生產(chǎn)14nm，預(yù)計(jì)將略微落后于原始路線圖。
該公司在其第一季度收益報(bào)告中宣布，為FinFET工藝生產(chǎn)而建造的Southern FinFET Fab已經(jīng)完成，12nm工藝的開(kāi)發(fā)正處于客戶的指導(dǎo)階段。
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