自格芯2019年8月26日在美國與德國提出對臺積電的侵權(quán)訴訟后，各界都在關(guān)注臺積電的應對策略。而在美國時間2019年9月26日，美國國際貿(mào)易委員會正式基于格芯的侵權(quán)申訴，對包含臺積電在內(nèi)的22家半導體廠商啟動337調(diào)查，似乎也促使臺積電加快應對腳步，采取正式的法律手段以捍衛(wèi)自身權(quán)益。

2019年9月30日臺積電正式對格芯提出侵權(quán)訴訟，至此，過去全球前兩大晶圓代工廠或?qū)⒄綄Σ竟?，掀起市場對雙方策略布局的諸多討論，也讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)再次增添話題性。

臺積電提出訴訟反擊格芯，然而和解方案或許對雙方影響最小

根據(jù)臺積電公布的新聞稿，臺積電于2019年9月30日在美國、德國及新加坡三地對格芯提出多項專利侵權(quán)訴訟，控告格芯侵犯臺積電涵蓋成熟及先進制程技術(shù)核心功能的25項專利，涉及技術(shù)包括FinFET設計、淺溝槽隔離技術(shù)、雙重曝光方法、先進密封環(huán)及閘極結(jié)構(gòu)，以及創(chuàng)新的接觸蝕刻停止層設計等，這些技術(shù)廣泛應用在40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等制程。

此外，臺積電此訴訟中亦要求法院核發(fā)禁制令，禁止格芯生產(chǎn)及銷售侵權(quán)的半導體產(chǎn)品，以及對非法使用臺積電半導體專利技術(shù)與銷售侵權(quán)產(chǎn)品的格芯尋求實質(zhì)性的損害賠償。

對臺積電而言，提出侵權(quán)訴訟舉動不單是臺面上的反擊，更有機會迫使格芯評估彼此在冗長訴訟過程可能造成的損失。

目前臺積電未公布確切侵權(quán)的專利號碼，但從專利包含的技術(shù)層面來看，與格芯提出的頗有些相似之處，因此在侵權(quán)判斷上可能會依循相同的邏輯或判斷原則，代表若一項專利侵權(quán)勝訴，相對應或類似的另一項專利也有勝訴可能，反之亦然。

如此一來，或許較難定義出絕對的勝利者。假使這類情況出現(xiàn)，不管對格芯或臺積電都將會是兩面刃，損傷對方戰(zhàn)力的同時卻不一定能利己，有鑒于此，雙方尋求和解或互相撤銷告訴的機會就可能增加，將彼此的損失做最小化處理方為上策。

臺積電與格芯訴訟涉及重點制程，若出現(xiàn)利益?zhèn)t競爭對手或有受惠可能

分析雙方提出訴訟涉及的制程范圍來看，格芯瞄準臺積電的主要是極具產(chǎn)品競爭力的制程，即28nm、16nm、12nm、10nm及7nm，在2019年第二季占比達45%，尤其臺積電7nm業(yè)績良好，產(chǎn)能持續(xù)擴增，估計28nm以下制程營收占比將持續(xù)上升，是格芯瞄準能牽制臺積電的重要目標。

此外，格芯是目前市場上極力推廣SOI相關(guān)產(chǎn)品的廠商之一，在臺積電鮮少著墨SOI技術(shù)的情況下，或許也希望藉由專利侵權(quán)訴訟效果來提升自家的FD-SOI技術(shù)市占率。

另一方面，臺積電訴訟涉及的制程范圍雖影響不到格芯的FD-SOI相關(guān)產(chǎn)品，但范圍擴及格芯的成熟制程40nm，且在格芯停止研發(fā)7nm制程后，轉(zhuǎn)而力求優(yōu)化12nm制程效能表現(xiàn)，因此臺積電提出有關(guān)FinFET閘極設計、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設計等相關(guān)專利，對格芯也就有著不小的潛在可能影響；倘若專利證實侵權(quán)，等于又進一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊的競爭優(yōu)勢。

值得一提的是，雙方瞄準的制程范圍影響層面廣且重要性之高，或許也會讓競爭對手尋找得利的機會點。

無論從技術(shù)發(fā)展或營收來看，Samsung與聯(lián)電正好是臺積電與格芯最主要的競爭對手，若此番訴訟的結(jié)果讓雙方互傷元氣，可能給予Samsung與聯(lián)電追趕的契機，尤其聯(lián)電與格芯在技術(shù)與營收上相近，加上聯(lián)電在日本完成的收購計劃與格芯 2020年將交割廠房，倘若格芯在法律過程中有所損失，相信會縮小領(lǐng)先聯(lián)電差距，甚或有被聯(lián)電超越的機會。