功率場效應晶體管
功率場效應晶體管(VF)又稱VMOS場效應管。在實際應用中,它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。
功率場效應晶體管的三個引腳符號
場效應管也是一種晶體三極管,也有三個極,分別叫源極S,柵極G,漏極D。



功率場效應晶體管優(yōu)點
1、具有較高的開關(guān)速度。
2、 具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點,并且具有正的電阻溫度系數(shù),因此適合進行并聯(lián)使用。
3、具有較高的可靠性。
4、 具有較強的過載能力。短時過載能力通常額定值的4倍。
5、具有較高的開啟電壓,即是閾值電壓,可達2~6V(一般在1.5V~5V之間)。當環(huán)境噪聲較高時,可以選 用閾值電壓較高的管子,以提高抗干擾能力;反之,當噪聲較低時,選用閾值電壓較低的管子,以降低所需的輸入驅(qū)動信號電壓。給電路設計帶來了極大地方便。
6、由于它是電壓控制器件,具有很高的輸入阻抗,因此其驅(qū)動功率很小,對驅(qū)動電路要求較低。由于這些明顯的優(yōu)點,功率場效應晶體管在電機調(diào)速,開關(guān)電源等各種領域應用的非常廣泛。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10396瀏覽量
147733 -
功率場效應管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
11瀏覽量
11145
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
如何判斷場效應晶體管方向,學會這幾步輕松搞定
的場效應晶體管,右邊是P溝道的場效應晶體管的方向如何判斷呢?**它的判斷規(guī)則就是對于N溝道,由S極指向D極;對于P溝道,由D極指向S極。如何分辨三個極?D極單獨位于一邊,而G極是第4PIN。剩下的3
發(fā)表于 03-29 12:02
一文讓你秒懂場效應晶體管的所有參數(shù)
。這是一項極限參數(shù),加在場效應晶體管上的工作電壓必需小于BUDS。(6)耗散功率耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應晶體管性能不變壞時所允許的漏源耗散
發(fā)表于 04-04 10:59
場效應晶體管在電路中的特別應用,你未必全都清楚
的時候gate電壓不足,引起導通不夠徹底,從而增加功耗。3、場效應晶體管雙電壓應用:在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方
發(fā)表于 04-16 11:22
場效應晶體管的分類及作用
場效應晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性
發(fā)表于 05-08 09:26
場效應晶體管的選用經(jīng)驗分享
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護等電路,可選用結(jié)型場效應晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路,可選用功率
發(fā)表于 05-13 07:10
MOSFET和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變
)?! D3.雙柵鰭式場效應晶體管 三柵極表示折疊在鰭片三面上的單個柵極電極。三柵極中翅片上方的電場不受抑制,柵極從三個側(cè)面施加控制(
發(fā)表于 02-24 15:20
什么是鰭式場效應晶體管?鰭式場效應晶體管有哪些優(yōu)缺點?
本文探討了鰭式場效應晶體管的結(jié)構(gòu)、它們在各種應用中的用途,以及它們相對于 MOSFET 的優(yōu)缺點。 什么是鰭式場效應晶體管? 鰭式場效應晶體管是一種晶體管。作為
發(fā)表于 02-24 15:25
場效應晶體管的分類及使用
場效應晶體管的分類及使用
場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和
發(fā)表于 01-13 16:01
?133次下載
功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)
發(fā)表于 04-25 16:05
?1.1w次閱讀
什么是場效應晶體管
場效應晶體管
場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即
發(fā)表于 05-24 23:11
?7614次閱讀
功率場效應晶體管的工作特性
功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(FieldEffectTransistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)
如何進行場效應晶體管的分類和使用
場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
發(fā)表于 07-02 17:19
?22次下載
功率場效應晶體管的三個引腳符號
評論