在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭(zhēng)，目前僅剩下臺(tái)積電、三星、以及英特爾。不過(guò)，因?yàn)橛⑻貭栆宰约汗镜漠a(chǎn)品生產(chǎn)為主，因此，臺(tái)積電與三星的競(jìng)爭(zhēng)幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門的話題。

近幾年來(lái)，臺(tái)積電在半導(dǎo)體制程技術(shù)上一路突飛猛進(jìn)，但三星也不甘示弱，積極的推進(jìn)各種新制程，但是無(wú)論就技術(shù)，還是進(jìn)度方面仍然比臺(tái)積電慢了不少。在當(dāng)前臺(tái)積電的7納米加強(qiáng)版EUV制程已量產(chǎn)情況下，三星方面則可能還要一些時(shí)間的努力。

不過(guò)，眼下兩家廠商的重點(diǎn)都已經(jīng)不在7納米的身上，而是加速邁向更新的5納米制程上。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，三星、Arm、與新思科技（Synopsys）聯(lián)合宣布，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一整套優(yōu)化工具和IP，可讓芯片廠商以三星5納米制程，快速生產(chǎn)基于ARM Herculues CPU核心的芯片。

報(bào)導(dǎo)指出，三星5納米制程技術(shù)編號(hào)為5LPE，也就是5nm Low Power Early。該制程是三星7納米制程（7LPP），在第二代6納米（6LPP）制程之后，所發(fā)展出的第三代改良版制程。在以EUV極紫外光刻技術(shù)之后的5LPE，號(hào)稱邏輯效率將較前一代提升最多25%，或者是在相同性能和密度下，整體的芯片功耗將可降低20%，以及在同等功耗和密度下，性能能夠提升10%。

對(duì)此，三星強(qiáng)調(diào)由于制程一脈相承的關(guān)系，芯片廠商可以重新利用三星7納米制程的IP，應(yīng)用在5納米的制程上，以加速在5LPE上的芯片開(kāi)發(fā)。不過(guò)，如果要想發(fā)揮其全部潛力，其新的優(yōu)化工具和IP依舊必不可少。因此，三星宣布與Arm與新思科技的合作，由ARM向三星的5納米制程提供物理IP和POP IP，以進(jìn)一步幫助客戶快速開(kāi)發(fā)新品。

而根據(jù)三星所公布的資料顯示，三星預(yù)計(jì)2019年下半年完成5納米制程進(jìn)行流片，2020年上半年投入量產(chǎn)。而屆時(shí)臺(tái)積電的新一代6納米制程也進(jìn)入量產(chǎn)，更新5納米制程則將緊隨而來(lái)，這使得兩者間的競(jìng)爭(zhēng)還將會(huì)進(jìn)一步地延續(xù)下去。