臺積電2024年宣布興建的日本熊本二廠，在10月動工不到兩月便因制程規(guī)劃調(diào)整暫停。據(jù)悉，原計劃的6/7納米制程因市場需求下滑被棄用，最新方案擬跳過4納米直接轉(zhuǎn)向2納米，以適配輝達、超微等AI芯片大客戶需求。這一調(diào)整不僅改變項目定位，更折射出全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向先進制程加速迭代的趨勢，AI需求對供應(yīng)鏈的重塑作用愈發(fā)凸顯。對此，深圳爭妍微電子有限公司總經(jīng)理李學(xué)會結(jié)合行業(yè)實踐與技術(shù)布局，提出了深度見解。

李學(xué)會指出：“臺積電跳過4納米直接布局2納米，本質(zhì)是AI算力爆發(fā)下的必然選擇。AI芯片的高運算量帶來極致能耗需求，其電源管理、熱管理環(huán)節(jié)對功率半導(dǎo)體的性能要求呈指數(shù)級提升，這正是先進制程與高端功率器件協(xié)同發(fā)展的核心邏輯。”他強調(diào)，AI服務(wù)器單臺功率可達數(shù)千瓦，GPU供電模塊需大量高性能功率器件，“我們的深圳爭妍微二極管、爭妍微IGBT、爭妍微SiC JBS及爭妍微驅(qū)動IC等產(chǎn)品，正是瞄準這一賽道，通過低損耗、高耐壓特性提升能源轉(zhuǎn)換效率，適配AI芯片的高頻工作場景”。

針對制程調(diào)整背后的行業(yè)邏輯，李學(xué)會進一步分析：“臺積電4納米2023年已量產(chǎn)，若熊本二廠兩年后投產(chǎn)仍用該制程，必將錯失AI客戶向2納米遷移的窗口期。這一決策也標志著全球半導(dǎo)體競爭焦點徹底轉(zhuǎn)向AI算力支撐體系，而功率半導(dǎo)體是其中不可或缺的核心環(huán)節(jié)?！彼誀庡⒌募夹g(shù)布局為例，“我們深耕的爭妍微MOSFET、爭妍微氮化鎵HEMT等寬禁帶器件，能匹配2納米AI芯片的高功率密度需求，目前相關(guān)產(chǎn)品已通過優(yōu)化封裝工藝，將轉(zhuǎn)換效率提升3-5個百分點，可直接應(yīng)用于AI服務(wù)器電源模塊”。

對于國產(chǎn)功率器件企業(yè)的機遇，李學(xué)會認為：“臺積電的供應(yīng)鏈調(diào)整，為國產(chǎn)器件打開了替代空間。AI芯片供應(yīng)鏈的國產(chǎn)化不僅需要先進制程代工，更需要上游功率器件的技術(shù)突破。我們自主研發(fā)的爭妍微可控硅、爭妍微三極管等產(chǎn)品，已憑借50余項核心專利構(gòu)建技術(shù)壁壘，在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用，正積極對接AI芯片配套供應(yīng)鏈。”

據(jù)了解，熊本二廠用地32.1萬平方米，投資額2.2萬億日元，日本政府最高補貼7320億日元，與一廠合計月產(chǎn)能將超10萬片。李學(xué)會提醒：“先進制程工廠的投產(chǎn)周期長，供應(yīng)鏈企業(yè)需提前布局技術(shù)適配。我們正重點推進爭妍微驅(qū)動IC與SiC、GaN器件的集成封裝，開發(fā)針對AI算力中心的定制化模塊，通過華為云、京東海外供應(yīng)鏈拓寬全球合作渠道，搶占AI驅(qū)動的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新風口。”

此次臺積電制程調(diào)整，本質(zhì)是AI需求主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)升級。李學(xué)會總結(jié)：“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭已從單一制程迭代，轉(zhuǎn)向‘先進制程+高端器件’的系統(tǒng)競爭。國產(chǎn)功率器件企業(yè)需以技術(shù)創(chuàng)新為核心，通過產(chǎn)品矩陣完善與場景深度適配，在AI供應(yīng)鏈重構(gòu)中實現(xiàn)突圍?！边@一趨勢下，以深圳爭妍微電子為代表的國產(chǎn)企業(yè)，正憑借核心器件技術(shù)優(yōu)勢，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)綠色化、高效化轉(zhuǎn)型提供支撐。