臺積電、英特爾和三星為打造體積更小、效能更強的處理器，紛紛導入極紫外光（EUV）技術，相關設備所費不貲，3家大廠資本支出直線攀升，ASML等設備廠則成為受益者。

華爾街日報報導，晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限，需要EUV微影技術當幫手。與常用光源相比，采用EUV的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮，但先進晶圓廠建造成本也跟著水漲船高，臺積電兩年前宣布的新廠建造費用達200億美元。

關鍵在于EUV光刻器具價格高昂。ASML公布，第3季光售出7套EUV系統(tǒng)就進帳7.43億歐元，等于每套系統(tǒng)要價超過1億歐元。這還不含半導體制程控管與測試設備成本。

臺積電深耕晶圓代工先進制程，10月表示強效版7納米制程導入EUV技術，今年第2季開始量產，良率已相當接近7納米制程；6納米制程預計明年第1季試產，并于明年底前進入量產。

與此同時，晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢。

臺積電10月宣布今年資本支出達140億至150億美元，高于原先設定目標近40%。英特爾（Intel）隨后宣布加碼3%，今年資本支出目標達160億美元，創(chuàng)公司成立以來新高，比兩年前高出36%。三星（Samsung）上周宣布，今年半導體事業(yè)資本支出約200億美元。

三星公布的金額略少于去年，但業(yè)界分析師預期，三星今年大幅減少投資存儲器生產，以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在EUV技術帶動下，半導體設備廠獲益良多。ASML第3季接獲23套EUV系統(tǒng)訂單，創(chuàng)單季訂單金額新高；半導體制程控管設備制造商科磊（KLA-Tencor）上周公布，會計年度第1季營收年增率達29%，并表示EUV投資是業(yè)績成長主要動能。

今年以來，ASML與科磊股價漲幅分別達76%、94%。報導指出，明年EUV需求預料更加旺盛，半導體設備廠前景一片光明。
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