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三星明年將發(fā)布128層第六代V-NAND TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb

jf_1689824270.4192 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:jf_1689824270.4192 ? 2019-11-25 09:52 ? 次閱讀
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19日,在東京舉行的“ Samsung SSD Forum 2019 Tokyo”會(huì)上。三星電子存儲(chǔ)器部門產(chǎn)品規(guī)劃團(tuán)隊(duì)高級(jí)董事總經(jīng)理Jinman就所展示的解決方案進(jìn)行了演講。

Jinman解釋說,該公司的堆疊NAND閃存“ V-NAND”實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊,并通過TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb(千兆位)容量。它計(jì)劃于2020年投放市場,并且正在針對在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧進(jìn)行研究。

之后,他介紹了該公司針對云,消費(fèi)者和自動(dòng)駕駛的解決方案。

在云中,引入具有PCI Express Gen4(PCIe Gen4)連接的SSD作為寬帶,并且需要高度穩(wěn)定的存儲(chǔ)解決方案。U.2外形尺寸“ PM1733”實(shí)現(xiàn)了連續(xù)讀取6,400MB / s的高速傳輸,并引入了30.72TB的大容量模型。雙端口設(shè)計(jì)吸引了它,即使兩個(gè)控制器之一被損壞,它也將繼續(xù)運(yùn)行。

低延遲SSD產(chǎn)品“ Z-SSD”吸引了需要低訪問延遲存儲(chǔ)的場景,例如云服務(wù)。通過基于SLC的柵極寬度優(yōu)化和更快的電壓上升/下降等,基于TLC的標(biāo)準(zhǔn)SSD的讀取延遲為1 / 5.5。

針對高速NAND閃存進(jìn)行了優(yōu)化的NVMe SSD是市場的主要驅(qū)動(dòng)力,但我們?nèi)栽诶^續(xù)開發(fā)具有諸如HDD替換需求和熱插拔支持等優(yōu)勢的SAS SSD產(chǎn)品。

除了由公司領(lǐng)導(dǎo)的NF1之外,還推出了各種外形尺寸的產(chǎn)品,包括由其他公司領(lǐng)導(dǎo)的標(biāo)準(zhǔn),并且在引入PCIe Gen4產(chǎn)品之后不久,帶寬就增加了一倍。該公司還宣布開發(fā)加速的PCIe Gen5 SSD。

未來的固態(tài)硬盤,例如“ SmartSSD”和“ EthernetSSD”,它們可以通過內(nèi)置的FPGA代替CPU進(jìn)行的處理,而“ EthernetSSD”可以通過以太網(wǎng)促進(jìn)存儲(chǔ)擴(kuò)展,以及那些傳統(tǒng)產(chǎn)品的擴(kuò)展。

在消費(fèi)者存儲(chǔ)中,引入了用于智能手機(jī)的UFS 3。與iOS設(shè)備閃存相比,Android和UFS的結(jié)合吸引了人們在編寫時(shí)沒有性能下降的問題,并且穩(wěn)定,快速。

UFS主要用于嵌入式eUFS,但三星還發(fā)布了可移動(dòng)UFS卡,它不僅比競爭對手的microSD卡快,而且還具有硬件錯(cuò)誤和數(shù)據(jù)丟失檢測,錯(cuò)誤恢復(fù)以及假定通過諸如自動(dòng)重發(fā)的功能來提高穩(wěn)定性。

它已經(jīng)在韓國發(fā)布,并將于2020年在美國推出。參展商表示,該公司的某些筆記本電腦配備了UFS卡插槽。

此外,他介紹了固態(tài)硬盤已在面向消費(fèi)者的游戲領(lǐng)域中部署,并解釋說到2020年,NVMe固態(tài)硬盤不僅將安裝在PC上,還將安裝在消費(fèi)者游戲機(jī)上。對于大存儲(chǔ)游戲內(nèi)容的播放更加流暢,而且SSD是必不可少的。

隨著移動(dòng)設(shè)備的增加,我們還致力于開發(fā)更節(jié)省空間的SSD,并且我們已經(jīng)將尺寸為M.2 22x30的NVMe SSD商業(yè)化。并朝著1TB的容量前進(jìn),硬幣大小且重量小于1g。

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