91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中國半導(dǎo)體技術(shù)新突破,成功研發(fā)3納米晶體管

獨(dú)愛72H ? 來源:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟 ? 作者:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟 ? 2019-12-03 17:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(文章來源:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟)

最近,國產(chǎn)芯片一直是個(gè)熱議的話題,隨著科技的發(fā)展,芯片在我們?nèi)粘I钪械膽?yīng)用無處不在,最常見的就是我們的手機(jī)芯片。

手機(jī)芯片制造需要很高的工藝,指甲蓋大小的芯片要集成幾十萬,甚至上百萬的晶體管。一塊芯片的制作大概需要以下幾個(gè)流程,設(shè)計(jì)―制造―封裝和檢測(cè),其中最難得就是制造這道工藝。目前全球比較出名的幾家半導(dǎo)體公司,包括高通、三星、AMD、英特爾等,他們幾乎壟斷了整個(gè)市場。

華為近幾年在芯片領(lǐng)域的研發(fā)不斷投入巨資,不過目前的技術(shù)水平,可以勉強(qiáng)和上述幾家公司競爭一下。

目前中國整個(gè)半導(dǎo)體的水平而言,和發(fā)達(dá)國家還是存在著不小的差距。單中國在刻苦研發(fā)的同時(shí),國外競爭對(duì)手也沒有停下研發(fā)的腳步,中國現(xiàn)在可以可以量產(chǎn)14納米芯片,華為也已經(jīng)設(shè)計(jì)出7納米級(jí)別芯片,但國際頂尖水平目前已經(jīng)開始籌備5納米EUV芯片的量產(chǎn)。

還有一點(diǎn)要說的是:雖然華為可以設(shè)計(jì)出7 nm芯片,但是我們沒有能力制造7nm的芯片啊,目前華為是有臺(tái)積電代工芯片制造。

制造芯片的一個(gè)重要設(shè)備就是光刻機(jī),目前頂級(jí)光刻機(jī)技術(shù)被荷蘭的ASML壟斷,購買他們的頂級(jí)光刻機(jī)都要提現(xiàn)一年預(yù)約,有時(shí)候有錢也買不到高級(jí)光刻機(jī)。芯片制造還有一個(gè)難點(diǎn)就是材質(zhì),目前芯片主要用硅基材料打造,大部分人認(rèn)為7納米是硅基材料芯片的物理極限,但隨著7nm和5nm工藝的突破,摩爾定律的上限不斷被拉高。

但是硅基材料最終還是要面對(duì)它的上限問題,如果半導(dǎo)體還想要更好的發(fā)現(xiàn),那么就只能從其它材料下手。

前段時(shí)間,我國中科院微電子研究所傳出了好消息,我國成功研發(fā)出了3納米碳基晶體管,中科院微電子研究所先導(dǎo)中心和院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任殷華湘帶領(lǐng)他的團(tuán)隊(duì),將我國的芯片研發(fā)能力直接抬高了一個(gè)階梯,中國將登上技術(shù)巔峰。

未來隨著5G時(shí)代的普及,對(duì)于高性能芯片的需求將與日俱增,無論是時(shí)下熱門的無人駕駛、人工智能、還是萬物互聯(lián),都要依托于強(qiáng)大芯片才能夠?qū)崿F(xiàn)。隨著5G的技術(shù)來臨,電子產(chǎn)品的爆發(fā)式增長,這個(gè)時(shí)候中國能夠?qū)⑿酒难邪l(fā)制造能力提上來,顯得極為重要,這是我們能夠與西方發(fā)達(dá)國家在半導(dǎo)體領(lǐng)域縮短差距,甚至是一較高下的最好時(shí)機(jī)。
(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31086

    瀏覽量

    265807
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10424

    瀏覽量

    148295
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明歷史

    1947年12月16 日美國貝爾(Bell)實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen(1908-1991)和W,Brattain(1902一1987)研究成功一種嶄新的電子器件----半導(dǎo)體晶體管。
    的頭像 發(fā)表于 03-31 14:49 ?127次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶體管</b>的發(fā)明歷史

    英特爾半導(dǎo)體制造技術(shù)突破:2D 材料晶體管、新型電容器、12吋硅基氮化鎵

    聚焦晶體管微型化、功率傳輸效率、新興材料應(yīng)用等行業(yè)關(guān)鍵痛點(diǎn),涵蓋 MIM 電容器創(chuàng)新、GaN 芯片 let 技術(shù)、2D FET 優(yōu)化及 CMOS 縮放演進(jìn)等多個(gè)前沿方向,為人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)提供
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:33 ?2284次閱讀

    鎵未來 Gen3 平臺(tái)重磅發(fā)布|六大核心突破,助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再度升級(jí)!

    在全球碳中和戰(zhàn)略深入推進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),第三代半導(dǎo)體正成為突破能源轉(zhuǎn)換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來科技有限公司Gen3技術(shù)平臺(tái)650/700V系列場效應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:42 ?777次閱讀
    鎵未來 Gen<b class='flag-5'>3</b> 平臺(tái)重磅發(fā)布|六大核心<b class='flag-5'>突破</b>,助力功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)再度升級(jí)!

    晶體管的定義,晶體管測(cè)量參數(shù)和參數(shù)測(cè)量儀器

    晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
    的頭像 發(fā)表于 10-24 12:20 ?653次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的定義,<b class='flag-5'>晶體管</b>測(cè)量參數(shù)和參數(shù)測(cè)量儀器

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

    %。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。 2、晶背供電技術(shù) 3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù) 光刻技術(shù)是制造
    發(fā)表于 09-15 14:50

    中芯國際 7 納米工藝突破:代工龍頭的技術(shù)躍遷與拓能半導(dǎo)體的封裝革命

    流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠,正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證,標(biāo)志著中國大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底
    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:22 ?1.3w次閱讀

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    晶體管光耦的工作原理

    晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?1067次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    提高了器件的性能。據(jù)IMEC的研究,叉片晶體管相比納米晶體管可以實(shí)現(xiàn)約10%的性能提升。 叉片晶體管被認(rèn)為是未來1nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的有力
    發(fā)表于 06-20 10:40

    鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

    半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番,而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?2187次閱讀
    鰭式場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優(yōu)勢(shì)

    薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

    導(dǎo)語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜
    的頭像 發(fā)表于 05-27 09:51 ?3165次閱讀
    薄膜<b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>架構(gòu)與主流工藝路線

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    場效應(yīng)晶體管(TFET)沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié),金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT)垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1556次閱讀
    無結(jié)場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    晶體管(Transistor)是一種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī))都依賴晶體管實(shí)
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?5129次閱讀

    SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)介紹

    SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高速高精度測(cè)試機(jī)。? ? ? ? ? ? ?
    發(fā)表于 04-16 17:27 ?0次下載

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24