華為P40保護(hù)殼曝光 矩陣相機(jī)開(kāi)孔與渲染圖相吻合
12月23日消息，推特上曝光了華為P40保護(hù)殼，其背部的矩陣相機(jī)開(kāi)孔與此前Onleaks曝光的P40渲染圖相吻合，由此看來(lái)P40大概率會(huì)使用這種設(shè)計(jì)。
值得注意的是，P40保護(hù)殼上并沒(méi)有3.5mm耳機(jī)開(kāi)孔，暗示該機(jī)有可能取消了這一接口（上一代旗艦P30保留了3.5mm耳機(jī)孔，P30 Pro則沒(méi)有3.5mm耳機(jī)孔）。
除了保護(hù)殼之外，目前關(guān)于P40的信息還比較少。它可能會(huì)采用挖孔屏形態(tài)，這是2020年旗艦手機(jī)的屏幕趨勢(shì)。
在5G手機(jī)時(shí)代，挖孔屏是實(shí)現(xiàn)高屏占比的一種衍生和進(jìn)化，也是追求屏下相機(jī)全面屏的過(guò)渡。因此，不排除P40會(huì)使用挖孔屏的可能。
核心配置上，P40搭載麒麟990系列芯片應(yīng)該沒(méi)有什么懸念，而且會(huì)支持SA、NSA雙模5G。
按照慣例，P40系列還有一款頂配版P40 Pro。此前華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東透露，P40系列會(huì)在明年3月份發(fā)布，值得期待。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
華為
+關(guān)注
關(guān)注
218文章
36005瀏覽量
262095
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探秘MAX20086：相機(jī)電源保護(hù)的理想之選
探秘MAX20086 - MAX20089：相機(jī)電源保護(hù)的理想之選 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電源保護(hù)至關(guān)重要，尤其是在相機(jī)模塊等對(duì)電源穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景中。今天，我們就來(lái)深入了解一下
深入解析MAX20087：雙/四通道相機(jī)電源保護(hù)器
深入解析MAX20086 - MAX20089：雙/四通道相機(jī)電源保護(hù)器 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電源保護(hù)至關(guān)重要，尤其是對(duì)于相機(jī)模塊這類(lèi)對(duì)電源穩(wěn)定性要求較高的設(shè)備。今天我們就來(lái)詳細(xì)了解一
選型手冊(cè)：AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220封裝，適配負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：
視覺(jué)創(chuàng)新！思奧特開(kāi)孔面光源如何重塑機(jī)器視覺(jué)檢測(cè)新標(biāo)準(zhǔn)
與應(yīng)用價(jià)值。 技術(shù)突破：開(kāi)孔設(shè)計(jì)的光學(xué)智慧 傳統(tǒng)面光源在配合工業(yè)相機(jī)使用時(shí)，常常面臨光路干擾和安裝空間限制的挑戰(zhàn)。思奧特智能開(kāi)孔面光源通過(guò)創(chuàng)新的中心
ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)
中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工
DDR200T LCD顯示模塊
部分根據(jù)SPI四線時(shí)序，用一個(gè)狀態(tài)機(jī)完成。狀態(tài)機(jī)主要有以下幾個(gè)狀態(tài)：IDLE:初始狀態(tài)；COMMAND：發(fā)送配置寄存器的命令；DATA：連續(xù)發(fā)送一副圖像所有數(shù)據(jù)；DISPLAY：顯示輸入的數(shù)據(jù)。狀態(tài)機(jī)狀態(tài)的跳轉(zhuǎn)和SPI時(shí)序相吻合。
五、RTL代碼
發(fā)表于 10-28 07:21
詳解ROMA中復(fù)雜圖表的渲染實(shí)現(xiàn)
一、背景 ROMA承接很多復(fù)雜圖表的渲染需求，在京東金融APP內(nèi)，特別是首頁(yè)首屏的圖表，對(duì)圖表渲染的及時(shí)性要求很高。近期業(yè)務(wù)反饋頻繁重啟時(shí)，首頁(yè)的黃金走勢(shì)圖偶現(xiàn)渲染不出的問(wèn)題，通過(guò)梳理
知乎開(kāi)源“智能預(yù)渲染框架” 幾行代碼實(shí)現(xiàn)鴻蒙應(yīng)用頁(yè)面“秒開(kāi)”
，交互延遲等核心痛點(diǎn)，通過(guò)智能預(yù)測(cè)用戶瀏覽目標(biāo)進(jìn)行提前渲染，只需幾行代碼即可顯著提升復(fù)雜頁(yè)面的加載性能，實(shí)現(xiàn)“頁(yè)面秒開(kāi)”的高效體驗(yàn)，為鴻蒙開(kāi)發(fā)者帶來(lái)開(kāi)發(fā)效率和用戶體驗(yàn)的雙重飛躍。 隨著鴻蒙生態(tài)快速發(fā)展，應(yīng)用開(kāi)發(fā)者難免會(huì)遇到一些性能問(wèn)題
如何提升科研級(jí)CCD相機(jī)成像信噪比?
如何提升科研級(jí)CCD相機(jī)成像信噪比? 如果希望提升科研級(jí)CCD相機(jī)成像的信噪比，改善信號(hào)較弱時(shí)的成像質(zhì)量，在相機(jī)選型、使用中我們要注意哪些因素呢?大致可以從以下6個(gè)方面來(lái)綜合考慮：曝光
大電流端子通常會(huì)有開(kāi)孔設(shè)計(jì)是做什么用的？
在大電流電氣連接系統(tǒng)中，端子是不可或缺的部分。細(xì)心的工程師可能會(huì)注意到，許多大電流端子都設(shè)計(jì)有各種形狀的開(kāi)孔，這并非偶然或單純的裝飾，而是基于多重工程考量的智能設(shè)計(jì)。
如何修改cycx3_uvcdscr.c以便 Amcap可以調(diào)整我的曝光時(shí)間？
使用 Amcap 打開(kāi)相機(jī)時(shí)，盡管我已經(jīng)編寫(xiě)了曝光控制程序，但我無(wú)法控制相機(jī)的曝光時(shí)間。 在 Amcap 中它是灰色的。
請(qǐng)問(wèn)如何修改cycx3_uvcdscr.c 以便 Amcap
發(fā)表于 05-14 07:06
CPU渲染、GPU渲染、XPU渲染詳細(xì)對(duì)比：哪個(gè)渲染最快，哪個(gè)效果最好？
動(dòng)畫(huà)渲染動(dòng)畫(huà)3D渲染技術(shù)需要應(yīng)對(duì)復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)和精細(xì)的圖像處理，作為渲染技術(shù)人員，選擇合適的渲染模式，會(huì)直接影響制作效率和成品質(zhì)量。在主流的渲染
CORE-V（OpenHW Group）CV32E40P 詳細(xì)解讀
CV32E40P 是 OpenHW Group 推出的開(kāi)源 RISC-V 處理器 IP 內(nèi)核，基于 PULP 平臺(tái)的 RI5CY 內(nèi)核演進(jìn)而來(lái)，專(zhuān)為高效嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。以下從技術(shù)架構(gòu)、性能特性
BNC座安裝指南：精確開(kāi)孔規(guī)格與技巧
遵循這些精確的開(kāi)孔規(guī)格和技巧，可以確保BNC座安裝的牢固性和信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，為設(shè)備的正常運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)的保障。在安裝過(guò)程中，對(duì)每一個(gè)細(xì)節(jié)的嚴(yán)格把控都是確保最終產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。選擇德索精密工業(yè)的產(chǎn)品和服務(wù)，您將獲得更專(zhuān)業(yè)、更可靠的支持。
LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-07 11:28
?0次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論