AGMSEMI 推出的 AGM40P150C 是一款面向 40V 低壓超大功率場(chǎng)景的 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝，適配負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET（溝槽工藝）
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：-40V（P 溝道，電壓為負(fù)），適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：3.0mΩ（VGS?=?10V），低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（ID?）：TC?=25°C時(shí) - 148A、TC?=100°C時(shí) - 104A（負(fù)號(hào)對(duì)應(yīng) P 溝道電流方向），承載能力極強(qiáng)；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：-592A（TC?=25°C），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)超大電流沖擊。

二、核心特性

• 先進(jìn)溝槽工藝：高集成度設(shè)計(jì)，兼具低導(dǎo)通電阻與快速開(kāi)關(guān)特性；
• 低柵極電荷：開(kāi)關(guān)損耗小，提升電路能效；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試、100% VDSS? 測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 847mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• TO-220 封裝：直插封裝散熱性能優(yōu)異，適配大功率電路。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（TC?=25°C，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：TO-220 直插封裝，包裝規(guī)格為 1000pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 40V 級(jí)低壓大功率負(fù)載開(kāi)關(guān)；
  • 電池保護(hù)系統(tǒng)；
  • 同步整流電路；
  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

五、信息來(lái)源

AGMSEMI 官方數(shù)據(jù)手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版資料為準(zhǔn)。）