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高通驍龍865移動(dòng)平臺(tái)與765處理器的深度解析

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:TechWeb ? 作者:憲瑞 ? 2019-12-26 15:01 ? 次閱讀
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12月3日的2019年驍龍技術(shù)峰會(huì)上,高通正式發(fā)布了驍龍865移動(dòng)平臺(tái),這是高通第二代5G平臺(tái)了,相比驍龍855平臺(tái)有著全方位的升級(jí),工藝、架構(gòu)、能效及5G等方面再上一層樓。

業(yè)界權(quán)威網(wǎng)站Anandetch網(wǎng)站前不久發(fā)了驍龍865及驍龍765(G)處理器的深度解析,與其他媒體不同的是,Anandtech作為業(yè)界大佬有不少自己的解析,我們就來(lái)看看他們是怎么評(píng)價(jià)驍龍865這一款面向2020年5G旗艦機(jī)的新一代平臺(tái)的。

驍龍865移動(dòng)平臺(tái)簡(jiǎn)介

關(guān)于驍龍865移動(dòng)平臺(tái),我們之前也做過(guò)詳細(xì)解析,詳情可以參考:

無(wú)數(shù)第一的怪獸!高通驍龍865深度解析

Anandtech網(wǎng)站對(duì)于驍龍865處理器的基本介紹跟之前我們寫(xiě)過(guò)的報(bào)道差不多,畢竟都是官方資料,這點(diǎn)不再贅述,其實(shí)他們做的規(guī)格表就非常詳細(xì)了,如上所示。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),驍龍865可以看做驍龍855的全面升級(jí)版,制程工藝從臺(tái)積電的第一代7nm(N7)升級(jí)到了第二代7nm(N7P),CPU還是1+3+4三簇架構(gòu),但大核全面升級(jí)到Cortex-A77架構(gòu),頻率不變,GPU則從Adreno 640升級(jí)到Adreno 650,性能增強(qiáng)了25%,Anandtech沒(méi)提及具體頻率,不過(guò)網(wǎng)絡(luò)爆料稱GPU是587MHz。

其他方面,AI性能從7TFLOPS提升到了15TFLOPS,翻倍還多,ISP圖形傳感器也支持到了2億像素,視頻拍攝也多了8K、960幀慢動(dòng)作等新功能。

驍龍865之CPU變化:全面使用Cortex-A77架構(gòu)

相比驍龍855,驍龍865在CPU上的改進(jìn)更為直接,這里指的是高通不再使用自研架構(gòu),也全面換到了公版ARM架構(gòu)了。這也是大趨勢(shì)了,高通的產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁Keith Kressin也在驍龍技術(shù)峰會(huì)上表示,驍龍865的CPU是唯一一個(gè)并非高通自主設(shè)計(jì)的主要內(nèi)核,因?yàn)锳RM在設(shè)計(jì)CPU方面做得非常出色,如果高通把重點(diǎn)放在內(nèi)核設(shè)計(jì)上,那么很可能是投入大量精力來(lái)設(shè)計(jì)出一個(gè)與ARM相仿的產(chǎn)品,這樣做的成效不如把精力投入在AI、攝像頭、圖像、SoC等方面的研發(fā)上,帶來(lái)更好的產(chǎn)品。

具體來(lái)說(shuō),驍龍865使用的CPU核心跟驍龍855一樣是1+3+4架構(gòu),頻率分別是2.84GHz、2.42Ghz、1.80GHz,緩存容量也沒(méi)變,不過(guò)1+3大核升級(jí)到了Coterx-A77架構(gòu),L3緩存翻倍到了4MB,頻率也沒(méi)有公布。不過(guò)4個(gè)效率內(nèi)核依然是Cortex-A55架構(gòu),1.8GHz的頻率。

雖然核心頻率、L2緩存沒(méi)變,但是與驍龍855使用的是基于Cortex-A76核心改進(jìn)相比,高通在驍龍865上主要變化就是直接在CPU核心上用了ARM的Cortex-A77架構(gòu)。不過(guò)高通依然在Cortex集成的技術(shù)來(lái)定制CPU接口IP的某些部分,所以驍龍865的CPU核心命名依然是Kryo 585品牌,不是公版。

此外,高通還表示驍龍865處理器的CPU能效提升了25%,相比上一代的驍龍855,驍龍865在實(shí)現(xiàn)同樣性能時(shí)的功耗減少了25%。從數(shù)據(jù)角度來(lái)講,驍龍865的Kryo 585 CPU的峰值性能和峰值性能功耗都有所上升,但是其峰值性能下的能效是與驍龍855持平的。

高通在驍龍865上另一個(gè)改進(jìn)是L3緩存,從上代的2MB翻倍到了4MB,除了性能會(huì)受益之外,高通還指出這個(gè)改變會(huì)提升能效,減少輕負(fù)載時(shí)大量的內(nèi)存訪問(wèn)連接。這很好理解,L3緩存越大,CPU就不需要頻繁從內(nèi)存中獲得數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)功耗的降低。

Andreno 650 GPU:相同的架構(gòu) 更寬的微架構(gòu)

說(shuō)完了CPU,再來(lái)說(shuō)說(shuō)GPU架構(gòu)的變化,在這方面高通對(duì)新的IP內(nèi)核做了漸進(jìn)式升級(jí)。

高通指出,Adreno 650 GPU在不同的測(cè)試及負(fù)載中平均提升了25%的性能。需要指出的是,高通明確表示部分負(fù)載中性能增幅還會(huì)更高,比如GFXBench中的高負(fù)載測(cè)試Aztec Ruins,這時(shí)候可能會(huì)有超過(guò)25%的性能提升。

至于Adreno 650的具體架構(gòu),去年夏天在高性能圖形計(jì)算大會(huì)上,高通公布了一些細(xì)節(jié),指出其GPU的ALU單元中,每通道可以分成為MUL+ADD單元,并且Adreno 640在一些第三方性能測(cè)試已經(jīng)展示過(guò)這樣的變化了。

AnandTech指出,Adreno 630/640 GPU都是2核GPU,每個(gè)GPU核分別有256、384個(gè)ALU單元,而Adreno 650的性能實(shí)現(xiàn)了50%的提升,這意味著它可能是有3個(gè)256-ALU核心組成,或者是2個(gè)512-ALU核心。Adreno 650 GPU的頻率和性能數(shù)據(jù)高通尚未公布,如果假設(shè)其核心頻率為600MHz,那它的浮點(diǎn)性能將達(dá)到1.2TFLOPS;如果按照推算的587MHz的頻率計(jì)算,其浮點(diǎn)性能也能超過(guò)1TFLOPS。

在紋理填充方面,上代的Adreno 640已經(jīng)表現(xiàn)不錯(cuò),每個(gè)核心從12組TMU單元翻倍到了24組TMU單元,總計(jì)48組TMU單元,這也使得紋理填充率:像素填充率達(dá)到了少見(jiàn)的3:1比例。而Adreno 650 GPU較前代又帶來(lái)了50%的像素處理性能提升,現(xiàn)在它的像素填充率性能與ARM的Mali GPU相持平。

整體而言,高通的SoC處理器就一直以低功耗著稱,驍龍835和更早的平臺(tái)上,其設(shè)備的峰值活動(dòng)功耗只有3.5W-4W左右。不過(guò)在最近幾代產(chǎn)品中,我們可以看到驍龍旗艦平臺(tái)的功耗一直在小幅上漲,驍龍855的功耗達(dá)到了5W左右。對(duì)此,高通也指出這實(shí)際上是根據(jù)OEM廠商提出的要求進(jìn)行的修改,因?yàn)楝F(xiàn)在OEM廠商已經(jīng)提高了移動(dòng)終端產(chǎn)品的散熱能力,可以應(yīng)付更高的功耗水平,因此希望高通結(jié)合廠商的散熱優(yōu)勢(shì),帶來(lái)更高性能水平的SoC。

除了性能之外,高通在Adreno 650上還實(shí)現(xiàn)了另外一項(xiàng)重大更新,那就是高通計(jì)劃每個(gè)季度為新一代SoC在Google Play應(yīng)用商店中將提供GPU圖形驅(qū)動(dòng)程序更新。高通現(xiàn)在是第一個(gè)在移動(dòng)終端實(shí)現(xiàn)自由更新GPU驅(qū)動(dòng)的公司,這個(gè)特性也能幫助用戶及時(shí)體驗(yàn)最新的圖形性能,即使不進(jìn)行硬件的更新也能享受到更出色的游戲體驗(yàn)。

LPDDR55內(nèi)存在2020年商用

在2020年,我們有望看到LPDDR5內(nèi)存正式商用。新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)可以將每bit數(shù)據(jù)的能效提升20%以上,驍龍865如今也正式支持LPDDR5內(nèi)存。

值得注意的是,高通在驍龍865中使用了混合型內(nèi)存控制器,以便讓驍龍865同時(shí)支持LPDD5及LPDDR4X內(nèi)存,前者最高支持2750MHz,后者最高2133MHz,,等效頻率更別是5500、4266MHz,前者帶寬提升了31%。至于延遲,高通指出兩種標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存延遲差不多,沒(méi)有提高也沒(méi)有降低。

AnandTech指出,高通對(duì)新內(nèi)存技術(shù)帶來(lái)的性能影響比較保守,高通指出帶寬不足的情況下LPDDR5內(nèi)存會(huì)帶來(lái)優(yōu)勢(shì),但其影響并不算大。高通支持廠商自行選擇LPDDR5或者LPDDR4X內(nèi)存,不過(guò)兩者之間的性能差距只有幾個(gè)百分點(diǎn),因此LPDDR5這種新型內(nèi)存技術(shù)的普及不僅取決于SoC未來(lái)的發(fā)展,也要看內(nèi)存廠商對(duì)相關(guān)產(chǎn)品線的支持力度。

同時(shí),高通表示他們還改善了SoC的子內(nèi)存系統(tǒng),并且將延遲降低了130ns,以隨機(jī)訪問(wèn)測(cè)試為例,驍龍855的內(nèi)存延遲在150-170ns之間,相比之下驍龍865的提升相當(dāng)可觀。

最后的結(jié)尾中,Anandtech網(wǎng)站也指出高通近年來(lái)的情況讓人滿意,采用驍龍SoC的旗艦機(jī)一直表現(xiàn)出色,可以看出在SoC設(shè)計(jì)等方面,高通確實(shí)是發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。

責(zé)任編輯:gt

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