（文章來源：數(shù)碼小妖精）

近年來，我國在高新技術(shù)研發(fā)方面不斷獲得新突破，原本的薄弱領(lǐng)域更是逐步建立起技術(shù)壁壘，在全球市場中站穩(wěn)腳跟，例如國產(chǎn)芯片。提及國產(chǎn)芯片，想必大多數(shù)消費(fèi)者都會第一時(shí)間聯(lián)想到華為海思，但除了民營科技巨頭在研發(fā)國產(chǎn)芯之外，“國家隊(duì)”早已走上自研之路。

中科院傳來好消息，中國科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。

眾所周知，目前市面上最先進(jìn)的工藝為7nm以及第二代7nm，中國芯片代工巨頭臺積電的5nm有望2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外，臺積電還曾宣布其3nm工藝正在研發(fā)過程中，而2nm工藝預(yù)計(jì)2024年才會投產(chǎn)。而這些芯片工藝的升級其實(shí)就是晶體管密度的不斷增強(qiáng)以及晶體管技術(shù)的更新?lián)Q代。

據(jù)了解，從英特爾首發(fā)22nm FinFET工藝至今，這種FinFET鰭式晶體管就被沿用至今，未來的5nm以及4nm都將繼續(xù)使用此類晶體管。而在2018年，三星曾率先發(fā)布3nm工藝需要采用的GAA環(huán)繞柵極晶體管，此類技術(shù)相比原有的FinFET鰭式晶體管，可在多方面增強(qiáng)芯片性能、降低功耗和核心面積。

而在三星之后，中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。據(jù)悉，早在2016年官方就開始針對此類技術(shù)開展相關(guān)研究，歷經(jīng)重重困難，中科院斬獲全球第一，研發(fā)出世界上首個(gè)具有自對準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。

值得注意的是，這一疊層垂直納米環(huán)柵晶體管還獲得多項(xiàng)中、美發(fā)明專利授權(quán)，更在國際微電子器件領(lǐng)域的頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》成功發(fā)表?？偠灾?，即便目前有些技術(shù)依舊被西方國家壟斷甚至被惡意阻撓其正常發(fā)展，但國產(chǎn)芯片依舊迸發(fā)出了不容忽視的力量。

疊層垂直納米環(huán)柵晶體管的誕生就是最有力的證明，同時(shí)也是中國特色社會主義制度優(yōu)越性的展現(xiàn)。集中力量辦大事，即便面臨西方國家的技術(shù)封鎖和惡意阻撓，筆者相信在多方的努力下國產(chǎn)芯片未來可期。
（責(zé)任編輯：fqj）