***首屈一指的晶圓代工廠商臺(tái)積電（TSMC）是全球最重要的智能手機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī)內(nèi)部芯片制造商之一。該公司最新的制造節(jié)點(diǎn)銷售為'7nm'，這使基于Santa Clara的應(yīng)用處理器和圖形處理單元設(shè)計(jì)商Advanced Micro Devices Inc.在微處理器領(lǐng)域可以與Intel Corporation有效競(jìng)爭(zhēng)。

臺(tái)積電（TSMC）管理層最近與分析師進(jìn)行了交談，并就今年整個(gè)晶圓代工廠和半導(dǎo)體行業(yè)的期望提供了重要見解。該晶圓廠一直在忙于對(duì)其N7和N5節(jié)點(diǎn)進(jìn)行大量投資，因?yàn)樗A(yù)計(jì)對(duì)它們的需求將會(huì)增加。

臺(tái)積電計(jì)劃在2020年投入150億至160億美元的資本支出，其中80％用于7nm，5nm和3nm工藝節(jié)點(diǎn)

對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說，2019年是7nm增長(zhǎng)的標(biāo)志。N7涵蓋的晶圓廠工藝技術(shù)貢獻(xiàn)了其收入的35％，比上一季度增長(zhǎng)8％，比去年同期增長(zhǎng)12％。全年，基于7nm的產(chǎn)品為臺(tái)積電的收入貢獻(xiàn)了27％，而2018年為9％。有趣的是，盡管智能手機(jī)的收入貢獻(xiàn)在這一年增長(zhǎng)了4％，但高性能計(jì)算的收入?yún)s來(lái)自于其中，中央和圖形處理單元下降了3％。

更重要的是，臺(tái)積電意識(shí)到要保持其產(chǎn)能與客戶需求保持一致，為此，該晶圓廠計(jì)劃在今年內(nèi)投資150億至160億美元的資本支出。相比之下，由于5G部署的增加，該公司2019年的資本支出為149億美元。

今年支出的80％將分配給先進(jìn)的制造節(jié)點(diǎn)，包括7nm，5nm和3nm系列，其中10％用于先進(jìn)的封裝，掩模制造和特殊技術(shù)。臺(tái)積電的專業(yè)技術(shù)涵蓋MEMS，CMOS圖像傳感器，嵌入式NVM，RF等領(lǐng)域。此外，臺(tái)積電在整個(gè)2019年用于收購(gòu)物業(yè)，廠房和設(shè)備的149億美元中，約有1.2億美元直接與即將到來(lái)的5nm坡道以及5nm和3nm工藝技術(shù)系列的開發(fā)有關(guān)。

臺(tái)積電表示5nm坡道今年將包括HPC產(chǎn)品，影響其毛利率并為2020年收入貢獻(xiàn)10％

臺(tái)積電今年超越了半導(dǎo)體和晶圓代工行業(yè)，并且該晶圓廠預(yù)計(jì)未來(lái)幾年也將如此。未來(lái)四年，半導(dǎo)體和晶圓代工業(yè)預(yù)計(jì)將分別增長(zhǎng)8％和17％，而臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)，以美元計(jì)算，它將比晶圓代工廠的增長(zhǎng)快幾個(gè)百分點(diǎn)。臺(tái)積電（TSMC）認(rèn)為，在當(dāng)前季度中，當(dāng)前的5G增長(zhǎng)將使其產(chǎn)生比季節(jié)性通常允許的更好的結(jié)果。

此外，該公司認(rèn)為，不僅今年市場(chǎng)預(yù)期5G滲透率將達(dá)到青少年，而且這一滲透率已超過4G在類似階段展示的水平。隨后，它相信對(duì)5G和HPC產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求將在未來(lái)幾年推動(dòng)對(duì)先進(jìn)工藝的需求，并且如果您小心的話，您會(huì)注意到該列表中缺少智能手機(jī)的應(yīng)用處理器。

臺(tái)積電的N6制造工藝（6納米）處于該晶圓廠7納米工藝技術(shù)系列的末尾。N6 的密度比N7 +（TSMC的第一個(gè)基于EUV的7nm）提高了18％，并在其上增加了一層EUV層，并且設(shè)計(jì)規(guī)則與N7（基于DUV的7nm）完全兼容。臺(tái)積電已經(jīng)確認(rèn)，N6的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)有望在2020年第一季度實(shí)現(xiàn)，工藝技術(shù)將在年底之前投入量產(chǎn)（如果我們的猜測(cè)正確的話，可能在H2后期）。

在N6之后，TSMC的第一個(gè)基于5nm的制程節(jié)點(diǎn)稱為N5。制造商已經(jīng)確認(rèn)N5廣泛采用EUV，并且與基于7nm系列的產(chǎn)品相比，該工藝具有80％的密度和20％的性能提升。臺(tái)積電（TSMC）去年4月通過硅測(cè)試車驗(yàn)證了工藝節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)時(shí)，5nm進(jìn)入了風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。該制造工藝將于今年上半年進(jìn)入批量生產(chǎn)，并在下半年大幅度提高。

這種激進(jìn)的增長(zhǎng)將由移動(dòng)設(shè)備（蘋果A14，您好）推動(dòng)，更重要的是，如臺(tái)積電管理層所說 的高性能計(jì)算產(chǎn)品。 最后的粗體字已得到確認(rèn)，它提供了有限的可能性。臺(tái)積電的高性能計(jì)算產(chǎn)品涵蓋中央處理器，人工智能和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序，因此可以自由推測(cè)這些產(chǎn)品可能是什么。臺(tái)積電預(yù)計(jì)2020年，5納米占其總收入的10％。

Fab確認(rèn)所有主要客戶都將在2021年轉(zhuǎn)向第二代5nm，今年7nm工藝收入將增長(zhǎng)至總收入的34％

臺(tái)積電也在與客戶合作設(shè)計(jì)N3（3nm）工藝節(jié)點(diǎn)，但按照慣例，它拒絕提及涉及哪些客戶。更重要的是，該晶圓廠已經(jīng)確認(rèn)， 所有主要客戶都將在2021年轉(zhuǎn)向N5P。N5P是臺(tái)積電的第二代5nm工藝。它提供了前端和中間的優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)7％的性能或15％的電源效率增益。早期的5nm磁帶輸出在類似的階段要比7nm的少，但是臺(tái)積電（TSMC）認(rèn)為，大批量生產(chǎn)時(shí)它們將等于7nm。

隨著臺(tái)積電為未來(lái)工藝技術(shù)奠定基礎(chǔ)，明年的資本強(qiáng)度將低于40％，明年將下降30％-35％。該公司在2019年上半年的第四季度清除了未售出的晶圓庫(kù)存，并指出，到2020年，預(yù)計(jì)產(chǎn)能將增長(zhǎng)個(gè)個(gè)位數(shù)。

臺(tái)積電（TSMC）預(yù)測(cè)今年后端收入將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，它預(yù)測(cè)7nm工藝技術(shù)系列收入將在移動(dòng)和HPC需求的推動(dòng)下在2020年增長(zhǎng)到34％，而5nm的增長(zhǎng)確實(shí)將釋放7nm的產(chǎn)能分配。

這家***晶圓廠受到美國(guó)政府的壓力，要求將對(duì)國(guó)家安全至關(guān)重要的組件生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到美國(guó)或提供同樣可接受的解決方案。為此，臺(tái)積電表示，工廠建設(shè)的成本是***最低的，而這些低廉的成本符合其所有客戶的最大利益。

臺(tái)積電副董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官魏建中博士駁斥了媒體報(bào)道，中國(guó)半導(dǎo)體制造國(guó)際公司正在削減其公司的14nm訂單。魏博士期望5G以下的低于6Ghz的5G基站，而不是5G的mmWave，他拒絕評(píng)論臺(tái)積電為N7和N5工藝技術(shù)家族增加的新客戶。