歷經(jīng)一年多的景氣循環(huán)，記憶體大廠庫(kù)存去化有成，加上供給端新增產(chǎn)能有限，今年受惠5G 時(shí)代來(lái)臨，供需將趨于平衡，甚至可望供不應(yīng)求；隨著產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)好年，臺(tái)廠今年也將陸續(xù)有新制程技術(shù)問(wèn)世，搭上產(chǎn)業(yè)景氣步入上升循環(huán)的多頭行情。

過(guò)去一年多以來(lái)，DRAM 原廠去化庫(kù)存有成，除去年第3 季旺季需求順利啟動(dòng)外，市場(chǎng)新產(chǎn)能也有限，在5G 需求帶動(dòng)下，加上智慧音箱、4K/8K 電視、ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))、物聯(lián)網(wǎng)與人工智能等，也將持續(xù)推升DRAM 需求，業(yè)者看好，今年DRAM 供需將趨于穩(wěn)定，下半年甚至可能供不應(yīng)求。

NAND Flash 除供應(yīng)商庫(kù)存持續(xù)下降、供給成長(zhǎng)也保守，同樣受惠5G 需求驅(qū)動(dòng)，加上筆電搭載SSD 比重與容量顯著提升，資料中心客戶也積極備貨，且次世代游戲主機(jī)將搭載SSD 規(guī)格提升等，均成為刺激NAND Flash 需求增溫的動(dòng)能，今年NAND 價(jià)格可望走出去年雪崩慘況、穩(wěn)健向上，下半年也可能面臨供給短缺情況。

就在記憶體產(chǎn)業(yè)景氣將走出去年谷底之時(shí)，臺(tái)廠新制程技術(shù)也將在今年相繼問(wèn)世。旺宏NOR Flash 與NAND Flash 產(chǎn)品線，一路走來(lái)均堅(jiān)持自主研發(fā)技術(shù)，去年成功量產(chǎn)19 納米SLC NAND Flash，持續(xù)追趕NAND Flash 大廠腳步，第一批產(chǎn)品SLC NAND Flash 4GB 產(chǎn)品已出貨美國(guó)機(jī)上盒大客戶。

除SLC NAND 外，旺宏今年下半年將量產(chǎn)48 層3D NAND Flash，屆時(shí)游戲機(jī)大客戶也可望采用，旺宏并預(yù)計(jì)于2021 年量產(chǎn)96 層3D NAND、2022 年量產(chǎn)192 層3D NAND。

華邦電擁有工研院技轉(zhuǎn)背景，早期DRAM制程主要來(lái)自由英飛凌分割出來(lái)的奇夢(mèng)達(dá)授權(quán)，但在奇夢(mèng)達(dá)倒閉后，華邦電買下其46納米DRAM制程技術(shù)，成為其自主研發(fā)基礎(chǔ)，而后成功自主開發(fā)38奈米技術(shù)，并于2018年第4季開始小幅量產(chǎn)25納米DRAM制程技術(shù)。

然而，2018 年第3 季起，DRAM 產(chǎn)業(yè)受美中貿(mào)易影響，加上終端需求趨緩，且供給端集中在下半年開出，DRAM 價(jià)格在第4 季終結(jié)連9 季上揚(yáng)態(tài)勢(shì)，而華邦電25 納米制程量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)，剛好碰上DRAM 市況反轉(zhuǎn)。

受到DRAM 市況不佳影響，華邦電25 納米新制程轉(zhuǎn)進(jìn)較為辛苦，客戶端驗(yàn)證速度趨緩，價(jià)格壓力也更大，去年第2 季25 納米占整體DRAM 營(yíng)收占比僅約2 %，但第3 季起受惠傳統(tǒng)旺季需求順利啟動(dòng)，到第4 季時(shí)占比已成長(zhǎng)至6%，惟受到DRAM 價(jià)格下滑沖擊，加上25 納米開發(fā)成本高，第4 季單季營(yíng)運(yùn)因此轉(zhuǎn)虧。

不過(guò)，華邦電看好，25 納米制程良率本季將趨于穩(wěn)定，新制程轉(zhuǎn)進(jìn)可望逐步步入軌道；而為下世代20 納米技術(shù)做準(zhǔn)備，華邦電也將在中科12 吋廠進(jìn)行新制程研發(fā)，新設(shè)備裝機(jī)導(dǎo)入預(yù)計(jì)今年第2、3 季可望到位。

南亞科目前主力為20納米制程技術(shù)，來(lái)自美光授權(quán)，今年初并宣布成功開發(fā)出10納米級(jí)DRAM新型記憶胞技術(shù)，再度走回自主研發(fā)之路，第一代10納米級(jí)前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5，涵蓋消費(fèi)型、低功率與標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品，預(yù)計(jì)今年下半年陸續(xù)進(jìn)入試產(chǎn)。

第二代10 納米級(jí)制程技術(shù)已進(jìn)入研發(fā)階段，預(yù)計(jì)2022 年前試產(chǎn)，也會(huì)開發(fā)第三代10 納米級(jí)制程技術(shù)，確立下世代10 納米級(jí)DRAM 將采用自主研發(fā)技術(shù)，不再走授權(quán)，擺脫動(dòng)輒上百億元的授權(quán)金與專利費(fèi)用。

雖然目前臺(tái)廠在DRAM 與NAND Flash 市場(chǎng)，市占率仍不高，不過(guò)，隨著各家記憶體廠自主研發(fā)的新制程技術(shù)陸續(xù)量產(chǎn)，與大廠間的技術(shù)差距也逐步縮小，而受惠5G 商機(jī)推升產(chǎn)業(yè)需求揚(yáng)升，今年記憶體將迎來(lái)好年，新制程技術(shù)的轉(zhuǎn)進(jìn)也可望搭上這波景氣上升循環(huán)，趁勢(shì)起飛。