盡管三星追的很緊，但臺(tái)積電今年上半年就要開(kāi)始量產(chǎn)5nm工藝了，本年度內(nèi)蘋(píng)果、華為的A14及麒麟1020芯片訂單已經(jīng)在手了。

再下一個(gè)節(jié)點(diǎn)就是3nm工藝了，這個(gè)節(jié)點(diǎn)非常重要，因?yàn)槟柖梢恢痹诜啪彛現(xiàn)inFET晶體管一度被認(rèn)為只能延續(xù)到5nm節(jié)點(diǎn)，3nm要換全新技術(shù)方向。

在這方面，三星將轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管，根據(jù)官方所說(shuō)，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)。

具體來(lái)說(shuō)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

由于之前在先進(jìn)工藝上進(jìn)度落后了，三星在3nm進(jìn)行了一場(chǎng)豪賭，是第一個(gè)大規(guī)模上馬GAA技術(shù)的，目的就是希望通過(guò)激進(jìn)的手段迅速扭轉(zhuǎn)晶圓代工市場(chǎng)上的地位，GAA成敗很關(guān)鍵。

相比之下，臺(tái)積電也在投資200億美元建設(shè)3nm晶圓廠，但一直沒(méi)有公布3nm的技術(shù)細(xì)節(jié)，其技術(shù)路線選擇將對(duì)未來(lái)先進(jìn)芯片的代工產(chǎn)生重大影響。

根據(jù)最新的消息，臺(tái)積電可能沒(méi)有三星這么激進(jìn)，在3nm節(jié)點(diǎn)也會(huì)跟之前的7nm工藝一樣采取兩步走的方式，第一代3nm工藝還會(huì)繼續(xù)改進(jìn)FinFET晶體管工藝，在第二代3nm或者2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)升級(jí)到GAA晶體管技術(shù)。

這樣做一方面是出于技術(shù)研發(fā)的考慮，臺(tái)積電在GAA技術(shù)上落后三星12到18個(gè)月，另一方面則是要在進(jìn)度上趕超，2021年3月份就準(zhǔn)備試產(chǎn)，所以不能急著上GAA工藝，先用FinFET工藝頂上。

臺(tái)積電在4月份會(huì)有一次專(zhuān)門(mén)的發(fā)布會(huì)，屆時(shí)會(huì)正式公布3nm工藝的技術(shù)細(xì)節(jié)。