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鎧俠宣布開(kāi)始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片 寫(xiě)速將是UFS 3.0的2~3倍

工程師鄧生 ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:萬(wàn)南 ? 2020-02-26 14:24 ? 次閱讀
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昨日,iQOO 3 5G首發(fā)UFS 3.1閃存,調(diào)試信息顯示芯片顆粒來(lái)自三星。

事實(shí)上,上周西部數(shù)據(jù)也推出了符合JEDEC最新規(guī)范的UFS 3.1閃存,品名iNAND MC EU521 ,引入第六代SmartSLC緩存技術(shù),寫(xiě)速最高可達(dá)800MB/s,且號(hào)稱容量滿載時(shí)也不掉速。

本周,鎧俠(KIOXIA,原東芝存儲(chǔ))宣布開(kāi)始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片。

新閃存基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造,設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB、512GB和1TB,比西數(shù)EU521豐富,主控和閃存都按照規(guī)范要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內(nèi)。

關(guān)于性能,鎧俠未給出具體數(shù)據(jù),但表示寫(xiě)速是UFS 3.0的2~3倍,連續(xù)讀速比UFS 3.0提升30%,引入HPB改善隨機(jī)讀取性能,睡眠模式下功耗更低,溫度過(guò)高時(shí)可主動(dòng)降低性能避免損壞元件。

鎧俠指出,東芝是最早在2013年推出UFS的廠商,去年也是第一波提供UFS 3.0產(chǎn)品的企業(yè)。

責(zé)任編輯:wv

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