91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新的EUV光刻技術(shù)可大幅減少光刻膠用量

汽車(chē)玩家 ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-02-29 11:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2月28日,美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開(kāi)發(fā)了新的EUV光刻技術(shù),不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能,還將光刻膠的用量最多降至原來(lái)的1/10,大幅降低了成本。

泛林Lam Research的名字很多人不清楚,前不久中芯國(guó)際宣布的6億美元半導(dǎo)體設(shè)備訂單就是購(gòu)買(mǎi)的泛林的產(chǎn)品。

泛林是一家美國(guó)公司,也是全球半導(dǎo)體裝備行業(yè)的巨頭之一,與應(yīng)用材料、KLA科磊齊名,2019年?duì)I收95億美元,在全球半導(dǎo)體裝備行業(yè)位列第四,僅次于ASML、TEL日本東京電子及KLA。

泛林生產(chǎn)的設(shè)備主要是蝕刻機(jī)、CVD(化學(xué)氣相沉積)、清洗、鍍銅等設(shè)備,其中來(lái)自中國(guó)市場(chǎng)的客戶(hù)是第一大來(lái)源。

這次取得重大突破的不是半導(dǎo)體裝備,而是一項(xiàng)用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù),而光刻膠是半導(dǎo)體生產(chǎn)中最重要的原料之一,尤其是EUV光刻膠,門(mén)檻極高,全球僅有幾家公司能產(chǎn)。

泛林表示,全新的干膜光刻膠技術(shù)將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。

泛林集團(tuán)的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢(shì),從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。

根據(jù)泛林所說(shuō),全新的干膜光刻膠應(yīng)用和顯影技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更低的劑量和更高的分辨率,從而增加生產(chǎn)率并擴(kuò)大曝光工藝窗口。

此外,通過(guò)將原材料的用量降低至原來(lái)的五分之一到十分之一,泛林集團(tuán)的干膜光刻膠技術(shù)不僅為客戶(hù)大幅節(jié)省了運(yùn)營(yíng)成本,同時(shí)還為環(huán)境、社會(huì)和公司治理提供了一種更加可持續(xù)的解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1199

    瀏覽量

    48929
  • ASML
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    737

    瀏覽量

    43535
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中國(guó)打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代,不僅需要EUV光刻機(jī),更需要
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?6678次閱讀

    光刻膠涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠(亦稱(chēng)光致抗蝕劑)是集成電路制造中的關(guān)鍵材料,其純度直接決定光刻圖形的質(zhì)量與芯片良率。隨著光刻技術(shù)向極紫外(EUV,13.5?nm)工
    的頭像 發(fā)表于 02-09 18:01 ?370次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類(lèi)型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?1964次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1799次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

    EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展

    這一突破的核心力量。 ? 然而,EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途,其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷,這對(duì)配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能
    的頭像 發(fā)表于 08-17 00:03 ?4725次閱讀

    國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

    量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式驗(yàn)證,從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破,一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?6898次閱讀

    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測(cè)量之光刻膠厚度測(cè)量

    光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣,在電子工業(yè)集成電路制造中,對(duì)其有著極為嚴(yán)格的要求,而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。 項(xiàng)目需求? 本次項(xiàng)目旨在測(cè)量光刻膠厚度,
    的頭像 發(fā)表于 07-11 15:53 ?578次閱讀
    行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測(cè)量之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度測(cè)量

    針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1056次閱讀
    針對(duì)晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?883次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來(lái)的成本、環(huán)保等問(wèn)題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?829次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過(guò)度刻蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用,并
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?793次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?907次閱讀
    <b class='flag-5'>減少</b><b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說(shuō)最終制造出來(lái)的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來(lái)可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱(chēng)為光阻或光阻劑
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1601次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1367次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠的類(lèi)型及特性

    光刻膠類(lèi)型及特性光刻膠(Photoresist),又稱(chēng)光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類(lèi)型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9599次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類(lèi)型及特性