三星率先將EUV用于DRAM內(nèi)存顆粒生產(chǎn)中，預計12英寸晶圓生產(chǎn)率翻番
當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。
這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務器等應用領域開啟新大門。
得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產(chǎn)能。
三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預計會使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
不過，目前支持DDR5的PC平臺尚未亮相，LPDDR5倒是已經(jīng)逐漸鋪開。三星量產(chǎn)的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb（2GB），地點是平澤市的V2線。
根據(jù)三星此前的預判，EUV將幫助公司至少推進到3nm尺度。
責任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
41文章
2394瀏覽量
189180 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15894瀏覽量
183135 -
晶圓
+關注
關注
53文章
5411瀏覽量
132314
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
2026全球12英寸晶圓廠產(chǎn)能，中國占比25%居首#晶圓#產(chǎn)能#12英寸晶圓#先進制程
晶圓
jf_15747056
發(fā)布于 :2026年03月04日 18:42:35
8英寸晶圓代工價格將上漲5-20%！
根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機構TrendForce最新調(diào)查，全球8英寸晶圓代工價格即將全面上調(diào)，漲幅預計在5%到20%之間。
產(chǎn)能告急！2026年8英寸芯片價格最高暴漲20%
的并非大尺寸晶圓，而是以8英寸晶圓代工為主的成熟代工。 ? 成熟代工集體漲價 ? 據(jù)市場調(diào)研機構TrendForce發(fā)布的最新報告顯示，全球
50.6億！中國首條8英寸MEMS晶圓全自動生產(chǎn)線，正式投產(chǎn)
近日，由中國電子系統(tǒng)工程第二建設有限公司（以下簡稱“中電二公司”）承建的中國蚌埠傳感谷8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線EPC項目迎來重要里程碑——首批產(chǎn)品成功下線。這一成果標志著全國首條8
重大突破！12 英寸碳化硅晶圓剝離成功，打破國外壟斷！
了國內(nèi)相關技術應用的空白，更為第三代半導體關鍵制造裝備的國產(chǎn)化進程注入了強大動力，同時也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前，該激光剝離技術已在6英寸、8英寸
臺積電戰(zhàn)略收縮：兩年內(nèi)逐步關停6英寸晶圓產(chǎn)線
圓業(yè)務，旨在提高生產(chǎn)效率并專注于更大尺寸晶圓的生產(chǎn)。這一決策是基于市場需求及公司長期發(fā)展戰(zhàn)略而做出的。 臺積電方面確認，停止6英寸
晶圓清洗機怎么做晶圓夾持
晶圓清洗機中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關鍵環(huán)節(jié)。以下是
晶圓清洗后表面外延顆粒要求
小尺寸晶圓（2-6英寸）：允許顆粒尺寸通?！?μm，數(shù)量控制在＜1000顆/cm2（具體取決于工藝節(jié)點）。部分應用（如功率器件）可接受更低標準，但需避免肉眼可見污
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4
12英寸SiC，再添新玩家
科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底；今年三月，天科合達、
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進的技術路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?20
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 20
工商網(wǎng)監(jiān)
評論