臺(tái)積電3nm晶體管密度達(dá)到2.5億/mm2
近日，臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
作為參考，采用臺(tái)積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm2，晶體管密度103億，平均下來(lái)是0.9億/mm2，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。
性能提升上，臺(tái)積電5nm較7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm較5nm性能提升7%，能耗提升15%。
此外臺(tái)積電還表示，3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期，并沒有受到疫情影響，預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，2022年下半年量產(chǎn)。
工藝上，臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。
但臺(tái)積電老對(duì)手三星則押寶3nm節(jié)點(diǎn)翻身，所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn)，將會(huì)淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5803瀏覽量
176336 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10396瀏覽量
147769
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
今日看點(diǎn)：臺(tái)積電敦促客戶預(yù)訂 2nm 制程產(chǎn)能；廣州再添兩大百億級(jí)半導(dǎo)體項(xiàng)目
臺(tái)積電敦促客戶預(yù)訂 2nm 制程產(chǎn)能 業(yè)內(nèi)報(bào)道稱臺(tái)積電
臺(tái)積電擬投資170億，在日本建設(shè)3nm芯片工廠
據(jù)報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體代工制造商臺(tái)積電（TSMC）已最終確定在日本熊本縣量產(chǎn)3nm線寬的尖端半導(dǎo)體芯片的計(jì)劃。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資額將達(dá)到170
漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)如何影響晶體管性能
隨著智能手機(jī)、電腦等電子設(shè)備不斷追求輕薄化，芯片中的晶體管尺寸已縮小至納米級(jí)(如3nm、2nm)。但尺寸縮小的同時(shí)，一個(gè)名為“漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)(DIBL)”的物理現(xiàn)象逐漸成為制約芯片性能的關(guān)鍵難題。
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車芯片，誰(shuí)將率先受益？
與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)積電在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）
臺(tái)積電Q3凈利潤(rùn)4523億元新臺(tái)幣 英偉達(dá)或取代蘋果成臺(tái)積電最大客戶
39.1%，凈利潤(rùn)創(chuàng)下紀(jì)錄新高，臺(tái)積電在上年同期凈利潤(rùn)為3252.58億新臺(tái)幣。 每股盈余為新臺(tái)幣17.44元，同比增加39.0%。 目前臺(tái)積
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車芯片
又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節(jié)點(diǎn)不僅意味著制程技術(shù)的再度跨越，也預(yù)示著未來(lái)AI、通信與汽車等核心領(lǐng)域即將迎來(lái)一場(chǎng)深刻的“芯革命”。 1、技術(shù)再突破 與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)積電
臺(tái)積電預(yù)計(jì)對(duì)3nm漲價(jià)！軟銀豪擲54億美元收購(gòu)ABB機(jī)器人部門/科技新聞點(diǎn)評(píng)
在十一黃金周和國(guó)慶假期后第一天工作日，科技圈接連發(fā)生三件大事：1、臺(tái)積電預(yù)計(jì)將對(duì)3nm實(shí)施漲價(jià)策略；2、日本巨頭軟銀宣布54
看點(diǎn)：臺(tái)積電2納米N2制程吸引超15家客戶 英偉達(dá)擬向OpenAI投資1000億美元
給大家分享兩個(gè)熱點(diǎn)消息： 臺(tái)積電2納米N2制程吸引超15家客戶 此前有媒體爆出蘋果公司已經(jīng)鎖定了臺(tái)
臺(tái)積電2nm工藝突然泄密
據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電爆出工程師涉嫌盜取2納米制程技術(shù)機(jī)密，臺(tái)灣檢方經(jīng)調(diào)查后，向法院申請(qǐng)羈押禁見3名涉案人員獲準(zhǔn)。 據(jù)悉，由于
臺(tái)積電Q2凈利潤(rùn)3982.7億新臺(tái)幣 暴增60% 創(chuàng)歷史新高
據(jù)臺(tái)積電公布的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電在2025年第二季度營(yíng)收達(dá)
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
，10埃）開始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下一代互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）的生產(chǎn)。
目前，領(lǐng)先的芯片制造商——英特爾、臺(tái)積
發(fā)表于 06-20 10:40
蘋果A20芯片的深度解讀
）工藝，相較iPhone 17 Pro搭載的A19 Pro（3nm N3P）實(shí)現(xiàn)代際跨越。 ? 性能與能效 ?：晶體管密度提升15%，同等功耗下性能提升15%，同等性能下功耗降低24-
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)
臺(tái)積電先進(jìn)制程漲價(jià)，最高或達(dá)30%！
據(jù)知情人士透露，臺(tái)積電2nm工藝晶圓的價(jià)格將較此前上漲10%，去年300mm晶圓的預(yù)估價(jià)格為3萬(wàn)
發(fā)表于 05-22 01:09
?1257次閱讀
臺(tái)積電2nm制程良率已超60%
，較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升（此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴，或?qū)⒙氏炔捎眠@一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測(cè)iPhone 18
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論