兆易創(chuàng)新今日宣布，與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商RambusInc.就RRAM(電阻式隨機存取存儲器)?技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。同時，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥睿科微（RelianceMemory）簽署了授權(quán)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術(shù)相關(guān)專利和應(yīng)用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。

RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式，能夠在改變電壓的前提下，通過改變電介質(zhì)的電阻進行存儲。RRAM擁有獨特物理與器件特性，可在工藝后端線(BEOL)以列陣結(jié)構(gòu)制造，其列陣結(jié)構(gòu)的低電壓特性能夠有效降低MCU產(chǎn)品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗，非常適合物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用;此外，根據(jù)學(xué)術(shù)界與行業(yè)發(fā)表的相關(guān)文獻，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內(nèi)存（SCM）。

早在2018年5月，兆易創(chuàng)新就攜手Rambus以及其他全球知名半導(dǎo)體投資機構(gòu)創(chuàng)辦了以RRAM技術(shù)為核心業(yè)務(wù)的合資公司合肥?？莆ⅰ?/p>

兆易創(chuàng)新董事長朱一明先生表示：兆易創(chuàng)新一直以創(chuàng)新為己任，多年來致力新技術(shù)革新，強化產(chǎn)品競爭力，重視核心專利，此次獲得Rambus和?？莆⑨槍RAM技術(shù)的授權(quán)，有助于我們?yōu)榭蛻籼峁└邉?chuàng)新特色的存儲解決方案。

Rambus技術(shù)合作和企業(yè)發(fā)展高級副總裁KitRodgers表示：兆易創(chuàng)新在全球閃存領(lǐng)域已取得顯著的成績，我們很高興能夠?qū)RAM專利方案授權(quán)給兆易創(chuàng)新，此次授權(quán)能夠幫助其在存儲器領(lǐng)域開發(fā)創(chuàng)新型的解決方案，并加速其商用的進程。

此前，長鑫存儲技術(shù)有限公司（以下簡稱“長鑫存儲”）也與美國半導(dǎo)體公司RambusInc.（以下簡稱“藍鉑世”）簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)協(xié)議，長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態(tài)隨機存取存儲（以下簡稱“DRAM”）技術(shù)專利的實施許可。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“與藍鉑世達成的協(xié)議再次表明，長鑫存儲高度重視知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)的國際規(guī)則，持續(xù)強化知識產(chǎn)權(quán)組合。公司致力于通過自主研發(fā)與國際合作，不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價值知識產(chǎn)權(quán)方面的積累，并以此為基礎(chǔ)實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，穩(wěn)步提升市場競爭力。”

藍鉑世總裁兼首席執(zhí)行官LucSeraphin表示：“在中國DRAM市場投資顯著增長的背景下，長鑫存儲脫穎而出，成為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的引領(lǐng)者。我們高興地看到長鑫存儲走上DRAM產(chǎn)業(yè)的國際舞臺。這份長期協(xié)議的簽署為長鑫存儲的業(yè)務(wù)發(fā)展提供權(quán)益保障，同時認(rèn)可了藍鉑世廣泛的存儲技術(shù)專利組合的重要價值?！?/p>

美國Rambus公司在內(nèi)存技術(shù)上很有實力的，過去多年中三星、SK海力士、Intel、高通、NVIDIA等公司都跟他們簽訂了DRAM技術(shù)授權(quán)協(xié)議。

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