91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國內(nèi)三代半導(dǎo)體氮化鎵團隊獲得“全國創(chuàng)新爭先獎牌”

lhl545545 ? 來源:國科環(huán)宇 ? 作者:國科環(huán)宇 ? 2020-06-12 10:44 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

5月30日,在第二屆全國創(chuàng)新爭先獎表彰獎勵大會上,國內(nèi)三代半導(dǎo)體氮化鎵)團隊獲得“全國創(chuàng)新爭先獎牌”,表明國內(nèi)在三代半導(dǎo)體方面取得了技術(shù)突破,為國產(chǎn)電子裝備性能提高和升級打下了堅實的基礎(chǔ)。氮化鎵(GAN)器件與現(xiàn)有砷化鎵(GAAS)器件相比,功率更大,耐熱性更好,是新一代有源相控陣雷達首選。有人曾經(jīng)這樣形容GAN器件重要性,如果說2020年之后雷達進入了有源相控陣時代,那么2025年之后,有源相控陣將會進入GAN時代。

許多人可能很難相信自己的手機充電寶用了055萬噸大驅(qū)上面的技術(shù)我們知道雷達探測距離公式有兩個重要參數(shù),天線孔徑和功率。在天線孔徑一定情況下,功率就成為提高雷達探測距離主要途徑。對于有源相控陣雷達來說,就是提高T/R模塊功率,更大功率意味著更大電壓,另外T/R模塊能量轉(zhuǎn)化效率較低,大部分能量轉(zhuǎn)化成了熱能,更大功率也意味著更大熱量,這些都對T/R模塊增加功率提出了挑戰(zhàn)。高電壓、大功率、耐熱性強正好是GAN器件優(yōu)勢所在,它與GAAS器件相比,器件體積、重量更小,但是功率更大,能夠在更高溫度下工作,因此采用GAN器件的T/R模塊,功率比GAAS模塊體積更小,重量更輕,但是功率更大,耐熱性能更好,相應(yīng)雷達性能也會更高,可靠性也會更好。

美國伯克F3驅(qū)逐艦,它的雷達同樣用了GAN技術(shù)GAN器件帶寬更大,增益也更高,對于雷達來說,更大帶寬意味著更好的分辨率,能夠探測更小的目標,國內(nèi)外雷達工業(yè)界普遍認為2020年之后隱身目標將會更加廣泛出現(xiàn)在戰(zhàn)場上,對于雷達探測能力提出了更高要求,這也是有源相控陣雷達GAN化重要原因之一。另外更大帶寬也意味著雷達抗電子干擾性能更好,現(xiàn)代戰(zhàn)場電子戰(zhàn)日益激烈,這一點顯然非常寶貴。

瑞典全球眼預(yù)警機,它的雷達同樣采用了GAN技術(shù)從國外先進有源相控陣雷達發(fā)展來看,GAN化已經(jīng)是趨勢。以伯克F3驅(qū)逐艦為例,它配備了SPY-6有源相控陣雷達,這種雷達就采用了GAN器件,功率迅速提高。有消息說它的平均功率超過1MW,這個數(shù)字遠高于現(xiàn)有艦載有源相控陣雷達,為雷達更好對抗隱身目標和彈道導(dǎo)彈打下了堅實的基礎(chǔ)。另外國外新一代機載有源相控陣雷達也配備了GAN器件,例如瑞典最新全球眼空中預(yù)警機就采用了基于GAN器件的有源相控陣雷達,雷達具有更好的抗小目標性能,更強的電子戰(zhàn)能力。中國相關(guān)單位也非常重視GAN器件運用,從相關(guān)資料來看,國產(chǎn)GAN器件已經(jīng)成熟,并且進入實用階段。如電子工業(yè)第13所已經(jīng)研制出GNA器件的小型高功率模塊,頻率覆蓋范圍L-X波段??梢詽M足國產(chǎn)大功率微波系統(tǒng)、有源相控陣雷達就用要求。需要指出的是13所GAN器件模塊材料、設(shè)備都實現(xiàn)了國產(chǎn)化,性能穩(wěn)定可靠,已經(jīng)在國產(chǎn)雷達上面得到運用。

國內(nèi)相關(guān)單位已經(jīng)能夠生產(chǎn)基于GAN的T/R模塊

國產(chǎn)GAN器件已經(jīng)在雷達上面運用外界此前曾經(jīng)推測國產(chǎn)055型驅(qū)逐艦上面艦載有源相控陣雷達可能就采用了基于GAN器件的T/R模塊,從而得到更大功率、增益和帶寬。雷達探測距離更遠,靈敏度更高,探測隱身目標能力更強。應(yīng)該這個技術(shù)運用大大提高了055型驅(qū)逐艦作戰(zhàn)能力。另外國產(chǎn)新一代預(yù)警機、機載火控雷達、防空雷達等等也有可能已經(jīng)或者即將運用GAN器件,為雷達性能升級打下了堅實的基礎(chǔ)。

GAN技術(shù)突破,讓殲20擁有更加銳利的鷹眼

隨著國產(chǎn)GAN器件技術(shù)突破,國產(chǎn)有源相控陣雷達將會更加廣泛采用GAN器件,進一步增強系統(tǒng)性能,將我軍作戰(zhàn)能力不斷向前推進。
責(zé)任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30850

    瀏覽量

    264899
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2373

    瀏覽量

    82901
  • 手機充電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    66

    瀏覽量

    21973
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    半導(dǎo)體將參加 ISPSD 2026 國際功率器件與功率集成電路大會

    半導(dǎo)體研究創(chuàng)新|云半導(dǎo)體六篇研究成果被ISPSD2026錄用在剛剛結(jié)束的ISPSD2026征稿評比中,云
    的頭像 發(fā)表于 03-10 14:36 ?345次閱讀
    云<b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>將參加 ISPSD 2026 國際功率器件與功率集成電路大會

    意法半導(dǎo)體氮化方案賦能高頻應(yīng)用新場景

    快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化(GaN)。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,氮化的材料特性十分突出
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:15 ?641次閱讀

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?742次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新第<b class='flag-5'>三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

    關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?420次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>異質(zhì)集成熱損傷難題

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化(GaN)與碳化硅(
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?358次閱讀

    安森美推出垂直氮化功率半導(dǎo)體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2221次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    氮化(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?702次閱讀

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?784次閱讀
    電鏡技術(shù)在第<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    基于芯干線氮化與碳化硅的100W電源適配器方案

    半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:33 ?2930次閱讀
    基于芯干線<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>與碳化硅的100W電源適配器方案

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2890次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關(guān)深度解析

    三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2568次閱讀

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代
    發(fā)表于 05-19 10:16

    納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過車規(guī)認證

    日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證,這標志著氮化
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?5144次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率芯片正式通過車規(guī)認證

    意法半導(dǎo)體:推進8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

    ???????? ? ??文章來源:行家說三代半 ? ??作者:行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年,碳化硅和氮化行業(yè)在多個領(lǐng)域取得了顯著進步,并經(jīng)歷了重要的變化。展望2025年,行業(yè)也將面臨
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:18 ?4449次閱讀