01為什么要推出 G3？

在碳中和與高功率密度的雙重賽道上，電源工程師面臨的挑戰(zhàn)從未如此嚴峻：體積要更小，效率要更高，發(fā)熱要更低。

今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 --基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。

這不僅僅是一次產(chǎn)品迭代，更是我們對多層外延技術(shù)數(shù)年深耕的成果展示。我們不談虛的“革命”，只談它能為你的設(shè)計帶來哪些實實在在的改變。

02四大硬核突破，重構(gòu)性能邊界

G3平臺不是簡單的參數(shù)微調(diào)，而是從元胞結(jié)構(gòu)到制造工藝的系統(tǒng)性重塑。

極致緊湊：元胞間距壓縮至5.5μm

這是目前國內(nèi)同類產(chǎn)品中最緊湊的芯片結(jié)構(gòu)之一。我們通過多層外延工藝與領(lǐng)先器件設(shè)計的高度匹配，打破了空間限制。這意味著在同樣的封裝體積下，你能獲得更大的功率密度。對于車載充電器、高密度服務(wù)器電源等應(yīng)用場景，G3 提供了全新的解題思路。

損耗探底：Rsp 9.0 mΩ·cm2 (600V)

同等硅面積，更低阻抗，更少發(fā)熱。在TO247封裝下，我們成功將導(dǎo)通電阻做到14mΩ，逼近了硅基超結(jié)的理論極限。這意味著電流通道更“寬闊”，傳導(dǎo)損耗被壓到了極致。

極速開關(guān)：Qg ↓ 24%，Coss ↓ 50%

這是高頻電源設(shè)計的福音。相比上一代 G1 平臺，G3 在動態(tài)特性上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍：

柵極電荷（Qg）降低 24%@10V，驅(qū)動更輕松，開關(guān)速度更快。

輸出電容（Coss）降低 50%@400V，硬開關(guān)應(yīng)力顯著緩和。

關(guān)斷損耗（Eoss）降低 40%@400V，使系統(tǒng)在更高頻率下運行仍能保持低溫與高效。

圖：G3與G1的Eoss曲線比較

堅若磐石：工業(yè)級可靠性

無懼電網(wǎng)波動與負載突變，我們深知“炸機”是工程師的噩夢。G3 延續(xù)了我們對可靠性的偏執(zhí)，在單脈沖雪崩能量（EAS）耐受能力和高溫穩(wěn)定性上做足了冗余，確保在嚴苛的工業(yè)、通信環(huán)境下依然穩(wěn)如泰山。

03全拓撲兼容，哪里需要去哪里

G3系列的設(shè)計初衷就是“全能”。無論是追求極致效率的軟開關(guān)，還是強調(diào)耐受性的硬開關(guān)，它都能勝任。

軟開關(guān)場景： LLC 諧振變換器、ZVS 移相全橋

硬開關(guān)場景： PFC、TTF 拓撲

目標(biāo)應(yīng)用：

消費電子（快充、適配器、LED、TV、PC電源）

工業(yè)電源

數(shù)據(jù)中心與5G通信電源

新能源（光伏儲能）

充電樁、車載充電機（OBC）