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快速充電的運用

lhl545545 ? 來源:矽萊克半導體 ? 作者:矽萊克半導體 ? 2020-06-14 09:48 ? 次閱讀
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矽萊克半導體(www.sirect.com)為2001年成立之專業(yè)功率半導體設計制造商,擁有自主開發(fā)能力以及數(shù)十項專利。隨著環(huán)保意識提升、能效要求變高、功率密度要求更大,我司于2020年已推出SGT制程的N-Channel & P-Channel的中低電壓MOSFET產(chǎn)品。

目前主推產(chǎn)品的電性為30V - 100V的電壓和較低的RDS(on)值。隨著不同的產(chǎn)業(yè)的要求,也提供涵蓋不同客戶不同產(chǎn)品電性參數(shù)上的需求。而目前主要封裝有DFN3*3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23、SOT-523及TO-220等功率封裝。

溝槽式(Trench)工藝與SGT工藝MOSFET的比較

SGT MOSFET系列產(chǎn)品可以廣泛應用于直流無刷馬達(BLDC/Wireless) ,筆電、液晶顯示器、充電器、手機、平板等快速或無線充電器Charger (PD/QCPower System)、BMS ( Battery Management System)及電動工具等各領域。

電動工具的運用

電動車的運用

快速充電的運用

科技日新月異,相關的開發(fā)技術(shù)與零件特性要求越來越高。矽萊克半導體本著技術(shù)研究創(chuàng)新,服務客戶的精神,針對MOSFET,敝司亦將持續(xù)開發(fā)RDS(on)越低、效率更好、封裝更小巧、可顯著提升功率密度的產(chǎn)品,協(xié)助客戶大幅提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
責任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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