三星電子成功研發(fā)3D 晶圓封裝技術(shù)「X-Cube」，宣稱此種垂直堆疊的封裝方法，可用于7 納米制程，能提高晶圓代工能力，要借此和業(yè)界領(lǐng)袖臺(tái)積電一較高下。

三星官網(wǎng)13日新聞稿稱，三星3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能讓速度和能效大躍進(jìn)，以協(xié)助解決新一代應(yīng)用程式嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能（AI）、高性能運(yùn)算、移動(dòng)和可穿戴裝置等。

三星晶圓代工市場(chǎng)策略的資深副總Moonsoo Kang 說：「三星的新3D 整合技術(shù)，確保TSV 在先進(jìn)的極紫外光（EUV）制程節(jié)點(diǎn)時(shí)，也能穩(wěn)定聯(lián)通」。有了X-Cube，IC 設(shè)計(jì)師打造符合自身需求的客制化解決方案時(shí)，將有更多彈性。X-Cube 的測(cè)試芯片，以7 納米制程為基礎(chǔ)，使用TSV 技術(shù)在邏輯晶粒（logic die）堆疊SRAM，可釋放更多空間、塞入更多存儲(chǔ)器。

有了3D整合方案，晶粒間的訊號(hào)傳輸路徑將大為縮短，可加快數(shù)據(jù)傳送速度和能源效益。三星宣稱，X-Cube可用于7納米和5納米制程。

韓國(guó)時(shí)報(bào)13 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，封裝是晶圓生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)，過去幾年來，三星強(qiáng)化封裝技術(shù)，超薄封裝能縮短積體電路的訊號(hào)傳輸路徑，加快傳遞速度、提升能源效益。三星將在16~18 日的Hot Chips 峰會(huì)，公布更多X-Cube 的細(xì)節(jié)。