由于芯片工藝不斷改進，從0.35um、0.18um、0.13um到目前的40nm甚至28nm，芯片的內(nèi)核電壓也在不斷降低，從3.3V、1.8V、1.5V到40nm器件的0.9V，芯片對電源的波動越來越敏感。

與SI相比，電源完整性PI是一個比較新的概念，實際上PI也屬于SI研究的范疇，它和SI之間的關(guān)系非常密切。

保持電源的完整性，就是保持電源的穩(wěn)定供電。在實際系統(tǒng)中，要做到這一點并不容易，因為系統(tǒng)中總是存在著不同頻率的噪聲。

首先需要把電源分配系統(tǒng)與外界很好的隔離起來，電源系統(tǒng)與外界主要的連接途徑是電壓調(diào)整模塊，通?？偸切枰陔妷赫{(diào)整模塊的附近使用T型或者PI型濾波網(wǎng)絡。以放置低頻噪聲串入。同時大電容也提供了一個電荷的蓄水池，及時提供電壓調(diào)整模塊所不能供給的電流。

另外，系統(tǒng)內(nèi)部的一些元件會產(chǎn)生高頻的電源噪聲，例如在數(shù)字邏輯門在翻轉(zhuǎn)的時候，瞬間會從電源平面汲取一定的電流。電流值雖然不是很大，但是速度很快，如果是電源分配系統(tǒng)的阻抗，電源平面不能及時提供這些電流，那么就會在這里產(chǎn)生翻轉(zhuǎn)噪聲。如果PCB去耦處理不當，這個電源噪聲就會波及整個電源地平面。

與此相類似，當信號線穿過一個過孔，切換信號的參考平面時，例如由地平面切換到電源平面，相應的會在過孔附近的電源平面和地平面之間形成一個回路電流，這個回路電流同樣會成為系統(tǒng)噪聲，波及整個電源分布系統(tǒng)。

同步開關(guān)噪聲

同步開關(guān)噪聲（SSN）是指由于多個輸出同時發(fā)生翻轉(zhuǎn)而引起的感應噪聲。

要搞清楚SSN的原理，必須從不同的層面來分析。下圖所示，電源分配系統(tǒng)的感抗表示，同時也把硅片到PCB電源之間的連線感抗也表示出來。

SSN模型

從芯片級來考慮，如果多個IO同時由“1”到“0”翻轉(zhuǎn)，會在地腳上產(chǎn)生較大的變化電流，上圖實線箭頭部分，由于芯片電感的存在，而電感的特性是產(chǎn)生一個反向電動勢來抵抗電流的變化，因此在硅片內(nèi)部的地平面和單板地之間將形成一定的電壓波動，這種現(xiàn)象又稱為地彈（ground-bounce）。

要知道PCB的地和硅片的地之間的電壓差關(guān)系，首先要分析輸出信號的電壓變化。當輸出信號由“1”翻轉(zhuǎn)到“0”時，在輸出驅(qū)動器的下拉MOS管和芯片電感上將產(chǎn)生一個相應的電流變化（I），這個電流滿足I=-C*（dV/dt），這里的負號表示電流的方向（灌電流）。如下圖I的變化情況，首先由0變?yōu)樽畲笾?，然后再回?。

SSN產(chǎn)生原理

這樣的電流變化會在“芯片電感”兩端產(chǎn)生一個電壓的波動（V_Ldie） ，根據(jù)電感的特性，這個電壓值可以表示為V_Ldie=Ldie*（dI/dt），如上圖。

因此，在硅片地和PCB地之間就有一個V_Ldie的電壓差，假設PCB地保持不變，硅片地上就有一個相應的噪聲信號，這個噪聲信號會對輸出0的靜態(tài)信號造成影響，也有可能使得輸入信號誤采樣，如下圖，SSN對輸出低信號的影響。

SSN對輸出低信號的影響