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三星計(jì)劃基于GAA技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界首批半導(dǎo)體

我快閉嘴 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2020-09-20 10:43 ? 次閱讀
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三星電子和SK Hynix希望開(kāi)始半導(dǎo)體制造工藝的新時(shí)代。 其中,三星電子計(jì)劃量產(chǎn)業(yè)界首批采用3納米環(huán)繞式棧極(gate-all-around,簡(jiǎn)稱(chēng)GAA)工藝制造的尖端芯片;SK海力士則正準(zhǔn)備生產(chǎn)基于極紫外光刻 (EUV)技術(shù)的DRAM

GAA和EUV DRAM是核心技術(shù),將分別領(lǐng)導(dǎo)全球系統(tǒng)半導(dǎo)體(晶圓廠)和DRAM市場(chǎng)。一旦它們成功實(shí)現(xiàn)了GAA和EUV DRAM的商業(yè)化,韓國(guó)與其他國(guó)家之間的差距以及韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位將進(jìn)一步擴(kuò)大和提高。

三星電子和SK Hynix在“電子周刊”主辦的“技術(shù)周2020 LIVE”的第一天宣布了關(guān)于這些下一代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略。

三星電子宣布,計(jì)劃通過(guò)獲得IBM和NVIDIA的下一代CPUGPU訂單,在全球晶圓代工市場(chǎng)中占有一席之地,以其GAA技術(shù)開(kāi)拓下一代市場(chǎng)。

“我們相信我們的GAA技術(shù)是世界上最先進(jìn)的?!?三星晶圓代工廠執(zhí)行董事姜文說(shuō)?!拔覀冇?jì)劃基于我們的GAA技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界首批半導(dǎo)體?!?/p>

GAA技術(shù)比目前最常用于半導(dǎo)體制造工藝的FinFET技術(shù)先進(jìn)。與FinFET技術(shù)如何將柵極放置在通道的三個(gè)側(cè)面上不同,GAA技術(shù)覆蓋了通道的所有四個(gè)側(cè)面并更精確地控制電流,被視為實(shí)現(xiàn)高性能半導(dǎo)體和小于3nm的半導(dǎo)體的合適技術(shù)。

三星電子和臺(tái)積電是唯一開(kāi)始開(kāi)發(fā)GAA流程的公司。因此,如果三星電子能夠比臺(tái)積電更早地批量生產(chǎn)基于GAA技術(shù)的半導(dǎo)體,那么它將有機(jī)會(huì)抓住在全球晶圓代工市場(chǎng)落后甚至超越臺(tái)積電的機(jī)會(huì)。據(jù)悉,三星電子在GAA技術(shù)和商業(yè)化方面已取得了重大進(jìn)展,因?yàn)樗行判膶⒊蔀闃I(yè)內(nèi)第一家基于GAA技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體的公司。

SK Hynix即將批量生產(chǎn)基于EUV工藝的下一代DRAM?!拔覀冇?jì)劃從第四代10nm(1a)DRAM開(kāi)始應(yīng)用EUV工藝?!?負(fù)責(zé)SK海力士未來(lái)技術(shù)研究所的林昌文說(shuō)?!拔覀兿M诿髂瓿蹰_(kāi)始批量生產(chǎn)?!?/p>

EUV是一種具有13.5納米短波長(zhǎng)的光源。與其他光源相比,其波長(zhǎng)短十倍。這表明EUV能夠在半導(dǎo)體晶圓上創(chuàng)建更精細(xì),更詳細(xì)的圖案。同樣,它能夠減少工藝數(shù)量,而其他光源需要多次光刻工藝以實(shí)現(xiàn)微電路。較少的過(guò)程導(dǎo)致簡(jiǎn)化的半導(dǎo)體制造過(guò)程,從而大大提高了生產(chǎn)率。

三星電子,SK Hynix和美光約占全球DRAM市場(chǎng)的94%,而三星電子和SK Hynix約占74%。盡管由于這三家公司的寡頭壟斷而建立了市場(chǎng),但美光尚未將EUV流程引入其產(chǎn)品,從而導(dǎo)致了市場(chǎng)的寡頭結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,而這種變化似乎并沒(méi)有改變。由于三星電子還希望通過(guò)自己的EUV DRAM技術(shù)來(lái)與眾不同,因此韓國(guó)的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)再次面臨著飛躍的機(jī)會(huì)。

EUV DRAM對(duì)于縮小韓國(guó)半導(dǎo)體公司與積極追逐韓國(guó)公司的中國(guó)半導(dǎo)體公司之間的差距特別有用?!氨M管韓國(guó)半導(dǎo)體公司希望基于EUV工藝批量生產(chǎn)1a產(chǎn)品,但中國(guó)公司去年只能批量生產(chǎn)第一代10nm(1x)DRAM,而今年僅能夠基于第二代10nm(1y)DRAM。EUV流程。” 韓國(guó)進(jìn)出口銀行對(duì)外經(jīng)濟(jì)研究所說(shuō)?!坝捎贓UV設(shè)備的昂貴成本和有限的供應(yīng)能力,韓國(guó)公司很有可能將自己與中國(guó)公司分開(kāi)?!?br /> 責(zé)任編輯:tzh

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