許多物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序-包括互聯(lián)汽車，工廠自動(dòng)化，智慧城市，互聯(lián)健康和可穿戴設(shè)備-都需要非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。傳統(tǒng)上，嵌入式應(yīng)用程序?yàn)榇四康氖褂昧送獠块W存。

但是，隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)向更小尺寸發(fā)展，在規(guī)模和成本方面面臨挑戰(zhàn)，將閃存嵌入主機(jī)SoC變得越來(lái)越困難。因此，未來(lái)的MCU或SoC設(shè)計(jì)的目標(biāo)是系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）或外部閃存的使用。由于其外形尺寸小，嚴(yán)格的成本約束以及低功耗相關(guān)要求，因此這種趨勢(shì)無(wú)法滿足可穿戴設(shè)備等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求。

為了解決這些問(wèn)題，閃存制造商正在開(kāi)發(fā)可優(yōu)化尺寸和功耗的架構(gòu)。同時(shí)，他們正在引入重要的新功能，以支持更大的耐用性，可靠性，安全性和安全性。

內(nèi)存大小

傳統(tǒng)和當(dāng)前的可穿戴設(shè)備需要低密度的NOR閃存解決方案來(lái)存儲(chǔ)代碼，但是隨著應(yīng)用程序變得越來(lái)越復(fù)雜并且需要記錄更多的數(shù)據(jù)，它們需要的密度也將越來(lái)越高。新的單元架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)容量。例如，MirrorBit技術(shù)可以在每個(gè)單元中存儲(chǔ)兩位，并支持密度高達(dá)4 Gb的產(chǎn)品。與傳統(tǒng)的浮柵NOR閃存架構(gòu)相比，這種密度的增加使芯片尺寸減小了20％至30％。較小的裸片尺寸還增加了外部存儲(chǔ)器的包裝靈活性。對(duì)于SiP解決方案或具有晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝（WLCSP）的外部非易失性存儲(chǔ)器，較小的裸片尺寸是合適的選擇。

為了支持對(duì)更大內(nèi)存陣列的訪問(wèn)速度，需要一個(gè)高速接口。例如，賽普拉斯的Semper NOR閃存具有以102 MB / s的速度運(yùn)行的Quad SPI協(xié)議和以400 MB / s的速度運(yùn)行的xSPI協(xié)議。高速接口對(duì)于高性能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用以及需要即時(shí)啟動(dòng)功能和NOR閃存中的就地執(zhí)行（XiP）的應(yīng)用都是必需的。

除了更大的內(nèi)存大小以外，新架構(gòu)也更加靈活。代碼，數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)記錄分別具有不同的存儲(chǔ)要求。利用允許開(kāi)發(fā)人員配置扇區(qū)大小并提供連續(xù)尋址方案的靈活扇區(qū)架構(gòu)，可以以與存儲(chǔ)在其中的代碼或數(shù)據(jù)最匹配的方式對(duì)內(nèi)存進(jìn)行分段。

直接執(zhí)行（XiP）

隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備不斷擴(kuò)展到更多種類的應(yīng)用程序和操作環(huán)境中，對(duì)安全性的要求也越來(lái)越嚴(yán)格。存儲(chǔ)代碼的內(nèi)存需要允許系統(tǒng)從內(nèi)存啟動(dòng)，記錄傳感器數(shù)據(jù)并執(zhí)行XiP功能。使用傳統(tǒng)的NOR閃存架構(gòu)不容易實(shí)現(xiàn)這些功能。

考慮具有應(yīng)用處理器的典型物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，該應(yīng)用處理器的內(nèi)部RAM連接到外部NOR閃存。這些應(yīng)用程序通常將應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在NOR閃存中，并在加電時(shí)將所有內(nèi)容從NOR閃存下載到內(nèi)部RAM。此用例稱為“存儲(chǔ)和下載”（SnD），如圖2所示。應(yīng)用處理器的內(nèi)部RAM密度限制了IoT系統(tǒng)的性能改進(jìn)，例如更快的無(wú)線更新，改進(jìn)的顯示性能，增強(qiáng)的網(wǎng)絡(luò)連接吞吐量，改進(jìn)的音頻性能，通過(guò)SPI / UART的傳感器融合以及算術(shù)運(yùn)算。由于內(nèi)部RAM密度有限，因此此類改進(jìn)需要更改BOM。

處理器如何在加電時(shí)從NOR閃存復(fù)制數(shù)據(jù)并直接從NOR閃存使用XiP執(zhí)行代碼。通過(guò)這種方法，處理器可以使用更多內(nèi)部RAM來(lái)改善應(yīng)用程序。因此，使用由NOR Flash啟用的XiP可以改進(jìn)IoT應(yīng)用程序，而不會(huì)影響性能。

通常，僅由于耐久性和可靠性問(wèn)題，NOR閃存才用于隨機(jī)快速讀取目的。所有閃存在大量的編程/擦除周期中會(huì)遭受物理性能下降，最終可能導(dǎo)致設(shè)備故障。一些物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需要閃存設(shè)備的高耐久性和高保留率；較低的數(shù)據(jù)保留或耐久性可能會(huì)影響系統(tǒng)功能。

存儲(chǔ)器制造商正在研究提高耐用性的新架構(gòu)，以便應(yīng)用程序現(xiàn)在可以使用NOR閃存執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄。例如，賽普拉斯Semper Flash中的EnduraFlex體系結(jié)構(gòu)通過(guò)將Flash設(shè)備劃分為多個(gè)分區(qū)來(lái)優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。每個(gè)分區(qū)都可以獨(dú)立配置，以實(shí)現(xiàn)高耐用性或長(zhǎng)期保留。對(duì)于頻繁的數(shù)據(jù)寫(xiě)入，與典型的NOR閃存設(shè)備中的100，000個(gè)周期相比，分區(qū)可以配置為提供多達(dá)256萬(wàn)個(gè)編程/擦除周期。同樣，數(shù)據(jù)保留最長(zhǎng)也可以提高25年。

安全保障

必須在安全性（即通過(guò)防止數(shù)據(jù)損壞的可靠操作）和安全性（即保護(hù)數(shù)據(jù)免受黑客攻擊）方面保護(hù)代碼和敏感的用戶數(shù)據(jù)（例如帶有醫(yī)用可穿戴設(shè)備）。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，存儲(chǔ)器變得越來(lái)越智能，并且集成了諸如嵌入式Arm Cortex-M0 CPU之類的處理器，以處理片上與安全性和安全性相關(guān)的復(fù)雜嵌入式算法。這樣可以提高可靠性，同時(shí)有助于改善設(shè)備性能，全性和安全性。

借助集成處理器，NOR Flash還能夠支持提供端到端數(shù)據(jù)完整性和保護(hù)的各種功能和診斷。NOR Flash支持傳統(tǒng)的高級(jí)扇區(qū)保護(hù)（ASP）方案以及1 KB一次性可編程（OTP）區(qū)域，但是這些功能不足以用于某些IoT或可穿戴應(yīng)用程序。先進(jìn)的NOR閃存可實(shí)現(xiàn)其他端到端安全解決方案，包括云到閃存安全性，安全的無(wú)線空中固件（FOTA）更新以及安全的寫(xiě)保護(hù)。

功率效率是可穿戴設(shè)備的另一個(gè)重要考慮因素?？纱┐髟O(shè)備傾向于在很短的時(shí)間內(nèi)使用NOR閃存設(shè)備的有功功率。在其他所有時(shí)間，NOR閃存設(shè)備均處于待機(jī)或深度掉電模式。另外，大多數(shù)可穿戴設(shè)備都依靠電池供電。這需要NOR閃存設(shè)備具有低待機(jī)電流和低功耗電流。如今的NOR閃存可支持6.5 μA的低待機(jī)電流和1 μA的深度掉電電流。

即使可穿戴設(shè)備傾向于在室溫下運(yùn)行，但某些物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用仍需要能夠在極端溫度下可靠運(yùn)行。對(duì)于這些應(yīng)用，提供了可處理-55°C至+ 125°C環(huán)境溫度的工業(yè)存儲(chǔ)器。

結(jié)論

可穿戴設(shè)備是未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要組成部分，其要求范圍從尺寸，功耗和成本到安全性。隨著諸如集成處理器之類的NOR Flash技術(shù)的進(jìn)步，這些存儲(chǔ)器可以在存儲(chǔ)中提供更大的密度，更低的功耗，更高的安全性和更高的性能。
責(zé)任編輯：tzh