近年來(lái)，在科技飛速發(fā)展的浪潮推動(dòng)下，可穿戴設(shè)備領(lǐng)域迎來(lái)了爆發(fā)式增長(zhǎng)，產(chǎn)品種類愈發(fā)豐富，形態(tài)持續(xù)創(chuàng)新。從產(chǎn)品形態(tài)來(lái)看，新型可穿戴設(shè)備正朝著隱形化、輕量化、柔性化的方向邁進(jìn)，更好地貼合人體，融入日常生活場(chǎng)景中。
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在市場(chǎng)層面，全球可穿戴設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。據(jù)Canalys數(shù)據(jù)顯示，2024年全球可穿戴設(shè)備市場(chǎng)出貨量達(dá)1.93億臺(tái)，同比增長(zhǎng)4%。其中，新興市場(chǎng)表現(xiàn)尤為突出，出貨量同比增幅超過(guò)20%，展現(xiàn)出巨大的市場(chǎng)潛力。
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技術(shù)升級(jí)：雙輪驅(qū)動(dòng)可穿戴設(shè)備發(fā)展

未來(lái)，可穿戴設(shè)備的技術(shù)升級(jí)將主要聚焦兩大方向：一是與AI深度整合。隨著生成式AI技術(shù)的爆發(fā)式增長(zhǎng)，為可穿戴設(shè)備開(kāi)辟了新的發(fā)展路徑。可穿戴設(shè)備終端廠商也在不斷探索AI技術(shù)與產(chǎn)品相結(jié)合，以期釋放更大的市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Γ?br /> ?
二是顯示技術(shù)創(chuàng)新。在顯示技術(shù)方面，可穿戴設(shè)備也取得了顯著進(jìn)展。目前，60%的腕表采用了OLED屏幕，1.8英寸以上大屏占比增至40%，兼顧了高清晰度和低功耗的需求。
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東芯半導(dǎo)體多存儲(chǔ)產(chǎn)品矩陣，賦能可穿戴設(shè)備未來(lái)發(fā)展

在即將于2025年4月15-17日舉辦的慕尼黑上海電子展上，針對(duì)可穿戴設(shè)備的新技術(shù)和新產(chǎn)品也將是展會(huì)的焦點(diǎn)之一。
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隨著可穿戴設(shè)備超小型化、輕量等方向發(fā)展，對(duì)于用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器的要求也越來(lái)越高。此次，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）將攜其應(yīng)用于可穿戴設(shè)備的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品亮相慕尼黑上海電子展，并同時(shí)展出TWS耳機(jī)、智能手表，以及手環(huán)等多個(gè)可穿戴解決方案。
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東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）深耕存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，聚焦于中小容量的NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。
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在SPI NAND Flash產(chǎn)品領(lǐng)域，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）的產(chǎn)品具有引腳少、封裝尺寸小且形式豐富（如WSON、BGA、LGA等），且在同一顆粒上集成了存儲(chǔ)陣列和控制器，帶有內(nèi)部ECC模塊，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時(shí)，節(jié)約了空間，提升了穩(wěn)定性。
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目前，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）的SPI NAND Flash產(chǎn)品擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程，并已經(jīng)推進(jìn)至1xnm先進(jìn)工藝制程。產(chǎn)品可提供1.8V/3.3V兩種電壓，不僅能滿足常規(guī)應(yīng)用場(chǎng)景，使其在目前日益普及的由電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中保持低功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的待機(jī)時(shí)間，也更靈活地適用于不同應(yīng)用場(chǎng)景。
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在DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）的DDR3(L)系列可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流，具備高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域也應(yīng)用廣泛。LPDDR系列產(chǎn)品具有LPDDR1、LPDDR2，以及LPDDR4X三個(gè)系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，非常適合應(yīng)用于各種移動(dòng)設(shè)備中。未來(lái)，LPDDR系列產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品中。
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MCP在MCP系列產(chǎn)品領(lǐng)域，MCP可將Flash和DDR合二為一進(jìn)行封裝，簡(jiǎn)化走線設(shè)計(jì)，節(jié)省組裝空間，高效集成電路，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）具有NAND Flash和DDR多種容量組合，F(xiàn)lash和DDR均采用低電壓設(shè)計(jì)，核心電壓1.8V，可滿足目前移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗的需求。
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如前所述，可穿戴設(shè)備對(duì)芯片的功耗、尺寸，以及生物兼容性等方面的要求越來(lái)越高。對(duì)此，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）也進(jìn)行了積極布局。以其大容量、低功耗、ETOX工藝的NOR Flash為例，該產(chǎn)品具備1.8V低工作電壓，封裝可選擇WLCSP晶圓級(jí)封裝技術(shù)，該封裝技術(shù)最大的特點(diǎn)就是能有效縮減封裝體積，可滿足可穿戴式產(chǎn)品輕薄短小的特性需求。此外，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）的NOR Flash產(chǎn)品覆蓋64Mb-2Gb中高容量，可根據(jù)不同容量的目標(biāo)客戶群進(jìn)行精確定位，幫助其在性能、功耗和性價(jià)比之間獲得絕佳平衡。
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AI技術(shù)深刻影響可穿戴設(shè)備領(lǐng)域

AI技術(shù)的發(fā)展將對(duì)可穿戴設(shè)備領(lǐng)域戴帶來(lái)深刻的影響和變革。從智能化升級(jí)到健康醫(yī)療領(lǐng)域的深度應(yīng)用，再到全新交互方式的探索，AI正在重塑可穿戴設(shè)備領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展方向。具體表現(xiàn)為：功能范式的更新，即從基礎(chǔ)數(shù)據(jù)采集向主動(dòng)健康管理演進(jìn)，通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)算法，實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)與個(gè)性化訓(xùn)練方案生成，健康指標(biāo)分析與疾病預(yù)警等核心功能；交互能力增強(qiáng)，搭建大數(shù)據(jù)模型能夠使得可穿戴設(shè)備交互能力實(shí)現(xiàn)突破，使可穿戴設(shè)備從輔助工具成為真正的人體增強(qiáng)系統(tǒng)，賦能健康監(jiān)護(hù)、認(rèn)知增強(qiáng)和環(huán)境互動(dòng)等方面。典型的應(yīng)用場(chǎng)景包括實(shí)時(shí)生理參數(shù)異常檢測(cè)、動(dòng)態(tài)運(yùn)動(dòng)姿態(tài)矯正、慢性病智能管理等。
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此外，隨著AI技術(shù)的融入與不斷發(fā)展，未來(lái)可穿戴設(shè)備芯片的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)可能會(huì)更注重于算的方面，在醫(yī)療健康無(wú)感化監(jiān)測(cè)與自主智能交互等方面扮演更加重要的角色。目前，為順應(yīng)科技的發(fā)展，進(jìn)一步豐富其產(chǎn)品品類，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）將以存儲(chǔ)為核心，向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)探索，拓展行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，優(yōu)化業(yè)務(wù)布局。
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可穿戴設(shè)備數(shù)據(jù)隱私與合規(guī)性挑戰(zhàn)

目前，可穿戴設(shè)備正無(wú)縫融入到我們的日常生活中，為我們的健康管理和便利性帶來(lái)了極大的提升。但由于這些設(shè)備具有數(shù)據(jù)收集功能和網(wǎng)絡(luò)連接特性，它們收集的用戶生物特征數(shù)據(jù)（如心率、睡眠模式、地理位置等），一旦泄露或被濫用，可能會(huì)對(duì)用戶造成嚴(yán)重的隱私威脅。
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針對(duì)這一問(wèn)題，東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）認(rèn)為需要以技術(shù)手段確保數(shù)據(jù)全生命周期的安全可控，而可靠高效的存儲(chǔ)芯片就起到了至關(guān)重要的作用。東芯半導(dǎo)體（展位號(hào)：N5.517）的“局部自電位升壓操作方法”、“步進(jìn)式、多次式編寫(xiě)/擦除操作方法”、“步進(jìn)式、多次式編寫(xiě)/擦除操作方法”、“內(nèi)置8比特ECC技術(shù)”、“提高擦除可靠性技術(shù)”、“數(shù)據(jù)自動(dòng)刷新技術(shù)”，以及“具有垂直溝道晶體管的存儲(chǔ)器制造方法”等多個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)核心環(huán)節(jié)中所涉及的核心技術(shù)，都旨在提高存儲(chǔ)產(chǎn)品的可靠性，用自主的創(chuàng)新能力不斷提高產(chǎn)品的可靠性水平，為客戶提供高品質(zhì)的存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案。
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結(jié)語(yǔ)

在萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代，可穿戴設(shè)備作為關(guān)鍵一環(huán)，正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。AI技術(shù)與可穿戴設(shè)備的深度融合將進(jìn)一步推動(dòng)該市場(chǎng)的發(fā)展。然而，數(shù)據(jù)隱私與合規(guī)性挑戰(zhàn)也不容忽視，需要整個(gè)行業(yè)共同努力應(yīng)對(duì)。歡迎前往慕尼黑上海電子展，了解可穿戴設(shè)備領(lǐng)域最新的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。
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